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PSR充電器失敗經(jīng)驗(yàn)分享

  

各位老大,小弟弄的PSR充電器遇到麻煩啦,郁悶當(dāng)中,不知道如何下手,現(xiàn)把我的郁悶與大家共同分享下,希望能找到解決的辦法:

我用的是啟達(dá)的CR5335做的PSR,5V1A充電器了。試產(chǎn)200PCS時(shí)沒(méi)什么問(wèn)題。但在生產(chǎn)時(shí)出現(xiàn)了以下問(wèn)題:

1.老化時(shí)(水泥電阻5R,2小時(shí))IC不知道怎么的炸掉了,也不知道是哪里壞,換了IC就    好了。測(cè)試VDS值是也沒(méi)超出范圍,在450V左右。不良率2%

2,帶負(fù)載1A時(shí),負(fù)載電壓很低,CC模式下只有3.8V,也是不知道哪里壞,測(cè)試變壓器感量,漏感都在范圍內(nèi)。繞線工藝和良品也是樣沒(méi)變化的。這個(gè)不良品弄的真是郁悶,更換變壓器那決對(duì)是OK的,但有時(shí)更換VCC電容時(shí)也好,更換原理圖中的D2,FR107,也有好的。我真不知道是哪里壞了。不良率5%

3.另外只要是高壓測(cè)試不過(guò),IC100%打壞。

全部回復(fù)(77)
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2011-07-28 08:01

IC都能炸,而且換上新IC就好啦,那肯定是IC的問(wèn)題。

另外,給IC供電電路是否正常?尤其在高溫下是否超過(guò)了IC的VCC電壓。

有沒(méi)有可能是打高壓時(shí)把IC打得半死不活的,老化后IC就完全死,結(jié)果就炸IC了?打高壓時(shí)看有沒(méi)有跳火的地方,是不是跳火把IC給滅了,上PCB板圖看一下貼片面的走線。

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gojie
LV.1
3
2011-07-28 10:21
@edie87@163.com
IC都能炸,而且換上新IC就好啦,那肯定是IC的問(wèn)題。另外,給IC供電電路是否正常?尤其在高溫下是否超過(guò)了IC的VCC電壓。有沒(méi)有可能是打高壓時(shí)把IC打得半死不活的,老化后IC就完全死,結(jié)果就炸IC了?打高壓時(shí)看有沒(méi)有跳火的地方,是不是跳火把IC給滅了,上PCB板圖看一下貼片面的走線。

5V帶載偏低可以試著加粗次組繞組的線徑,將其改為兩股0.2MM雙線并繞;

高壓測(cè)試NG,應(yīng)該是地回路走線問(wèn)題,請(qǐng)把PCB圖貼上來(lái)看一下。

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2011-07-28 11:00
如果參數(shù)沒(méi)問(wèn)題,考慮一下你的工藝。老化炸幾換了芯片老化就好了?是否芯片在撬螺絲時(shí)候受傷?芯片內(nèi)部晶元很脆弱!
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dengyuan
LV.8
5
2011-07-28 12:21

以后學(xué)經(jīng)驗(yàn)吧,不要用國(guó)產(chǎn)的IC,做IC的基本上沒(méi)有什么良心,試產(chǎn)用好制程的IC,大批后就用差的,老兄,你做了白老鼠了。

就是價(jià)格二字把大家壓得踹不氣來(lái)。

國(guó)產(chǎn)IC再高壓,靜電,EFT都做的比較差,因?yàn)橐″X(qián)嘛。

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2011-07-28 13:52
芯片是炸掉是炸飛還是短路壞掉,你的電路中VCC供電繞組在FR107后最好串聯(lián)一個(gè)和歐的電阻,INV的下拉電阻不應(yīng)該小于3.6K,最好在R5處接一個(gè)幾百pF的電容。
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2011-07-28 13:55
@edie87@163.com
IC都能炸,而且換上新IC就好啦,那肯定是IC的問(wèn)題。另外,給IC供電電路是否正常?尤其在高溫下是否超過(guò)了IC的VCC電壓。有沒(méi)有可能是打高壓時(shí)把IC打得半死不活的,老化后IC就完全死,結(jié)果就炸IC了?打高壓時(shí)看有沒(méi)有跳火的地方,是不是跳火把IC給滅了,上PCB板圖看一下貼片面的走線。
我這邊一般都是老化后再高壓測(cè)試的
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2011-07-28 13:55
@天空skydai
芯片是炸掉是炸飛還是短路壞掉,你的電路中VCC供電繞組在FR107后最好串聯(lián)一個(gè)和歐的電阻,INV的下拉電阻不應(yīng)該小于3.6K,最好在R5處接一個(gè)幾百pF的電容。
帶負(fù)載1A時(shí),負(fù)載電壓很低,CC模式下只有3.8V,也是不知道哪里壞---是不是你的電流限制點(diǎn)小了點(diǎn)!
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2011-07-28 13:56
@冰上鴨子
如果參數(shù)沒(méi)問(wèn)題,考慮一下你的工藝。老化炸幾換了芯片老化就好了?是否芯片在撬螺絲時(shí)候受傷?芯片內(nèi)部晶元很脆弱!
我這是超聲波工藝的,是裝好殼后再進(jìn)行老化,然后再進(jìn)行超聲波的呢。
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2011-07-28 13:57
@天空skydai
帶負(fù)載1A時(shí),負(fù)載電壓很低,CC模式下只有3.8V,也是不知道哪里壞---是不是你的電流限制點(diǎn)小了點(diǎn)!

不是,這不關(guān)限流問(wèn)題,限流現(xiàn)在定在1.2A內(nèi)的

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2011-07-28 14:01
@富貴吉祥
不是,這不關(guān)限流問(wèn)題,限流現(xiàn)在定在1.2A內(nèi)的
INV的下拉電阻不應(yīng)該小于3.6K,OB的芯片也是這樣的
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2011-07-28 14:03
@富貴吉祥
不是,這不關(guān)限流問(wèn)題,限流現(xiàn)在定在1.2A內(nèi)的
現(xiàn)在我付上相關(guān)測(cè)試參數(shù),給各位做個(gè)評(píng)價(jià)。    
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2011-07-28 14:06
@天空skydai
INV的下拉電阻不應(yīng)該小于3.6K,OB的芯片也是這樣的
負(fù)載低與上下偏電阻沒(méi)有太大關(guān)系,我有調(diào)試過(guò)
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2011-07-28 14:10
@天空skydai
芯片是炸掉是炸飛還是短路壞掉,你的電路中VCC供電繞組在FR107后最好串聯(lián)一個(gè)和歐的電阻,INV的下拉電阻不應(yīng)該小于3.6K,最好在R5處接一個(gè)幾百pF的電容。
芯片表面穿一個(gè)孔咯,我把產(chǎn)品寄到原廠分析,那邊說(shuō)我的峰值電壓過(guò)高,他們測(cè)試是586V,但在我這邊測(cè)試都只有480V左右呢。現(xiàn)提供原廠給我的測(cè)試圖片:   
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2011-07-28 14:12
@富貴吉祥
芯片表面穿一個(gè)孔咯,我把產(chǎn)品寄到原廠分析,那邊說(shuō)我的峰值電壓過(guò)高,他們測(cè)試是586V,但在我這邊測(cè)試都只有480V左右呢?,F(xiàn)提供原廠給我的測(cè)試圖片:[圖片] [圖片] [圖片] 
但I(xiàn)C規(guī)格書(shū)上最大峰值電壓在650V的
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2011-07-28 14:13
@富貴吉祥
現(xiàn)在我付上相關(guān)測(cè)試參數(shù),給各位做個(gè)評(píng)價(jià)。[圖片] [圖片] [圖片] [圖片] 
VDS波形處的振鈴比較大,見(jiàn)意R4從330R改為82R,D1用的應(yīng)該 是1N4007吧~D2FR107后面要串一個(gè)4.7R電阻,啟動(dòng)電阻還是用大一點(diǎn)的吧,串兩個(gè)1M,VCC電容改為10uF/50V,R6改為4.7K,R5按比例增加。還有你PCB走線的間距不知道夠不夠,這個(gè)SOP8L封裝的芯片其5,6與7,8腳之間容易出現(xiàn)放電炸掉燒毀芯片,見(jiàn)間在其5,6與7,8腳之間開(kāi)槽增加安全間距。
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2011-07-28 14:16
@富貴吉祥
但I(xiàn)C規(guī)格書(shū)上最大峰值電壓在650V的
MOS應(yīng)該是600V的,我想最有可能是5,6與7,8腳的安全不夠造成的。
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2011-07-28 14:16
@富貴吉祥
但I(xiàn)C規(guī)格書(shū)上最大峰值電壓在650V的
現(xiàn)符上我的PCB圖:  
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2011-07-28 14:17
@富貴吉祥
但I(xiàn)C規(guī)格書(shū)上最大峰值電壓在650V的
從你的VDS波形看你的VDS尖峰最高已經(jīng)有600V了。而不是580V??!
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2011-07-28 14:20
@富貴吉祥
芯片表面穿一個(gè)孔咯,我把產(chǎn)品寄到原廠分析,那邊說(shuō)我的峰值電壓過(guò)高,他們測(cè)試是586V,但在我這邊測(cè)試都只有480V左右呢。現(xiàn)提供原廠給我的測(cè)試圖片:[圖片] [圖片] [圖片] 
還是改RCD吸收吧。把VDS電壓降下去,VDS電壓應(yīng)該要把尖峰一起加上去。好像已經(jīng)超過(guò)600V了。
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2011-07-28 14:22
@富貴吉祥
現(xiàn)符上我的PCB圖:[圖片] [圖片] 
幫頂
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2011-07-28 14:26
@富貴吉祥
芯片表面穿一個(gè)孔咯,我把產(chǎn)品寄到原廠分析,那邊說(shuō)我的峰值電壓過(guò)高,他們測(cè)試是586V,但在我這邊測(cè)試都只有480V左右呢?,F(xiàn)提供原廠給我的測(cè)試圖片:[圖片] [圖片] [圖片] 
應(yīng)該是你的輸入電壓跟原廠測(cè)試的輸入電壓不一樣造成的
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2011-07-28 14:34
@富貴吉祥
芯片表面穿一個(gè)孔咯,我把產(chǎn)品寄到原廠分析,那邊說(shuō)我的峰值電壓過(guò)高,他們測(cè)試是586V,但在我這邊測(cè)試都只有480V左右呢?,F(xiàn)提供原廠給我的測(cè)試圖片:[圖片] [圖片] [圖片] 
 
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冰上鴨子
LV.10
24
2011-07-28 14:37
@天空skydai
[圖片] 
看來(lái)找到問(wèn)題了
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2011-07-28 14:53
 
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海之源
LV.6
26
2011-07-28 14:59
@富貴吉祥
但I(xiàn)C規(guī)格書(shū)上最大峰值電壓在650V的
CR5335內(nèi)置的 MOSFET 是 600V的,不是650V的。
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2011-07-28 17:24
@天空skydai
[圖片] 

 謝謝各位這么挺我,但我還是不太清楚天空兄發(fā)的原理圖的意義在哪里,能跟我講解一下嗎?上面的圖VDS達(dá)到600V不是我測(cè)試的,請(qǐng)看我在公司測(cè)試的:這個(gè)才是我測(cè)試的參數(shù),只有480V

 

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2011-07-28 20:59
@富貴吉祥
[圖片] 謝謝各位這么挺我,但我還是不太清楚天空兄發(fā)的原理圖的意義在哪里,能跟我講解一下嗎?上面的圖VDS達(dá)到600V不是我測(cè)試的,請(qǐng)看我在公司測(cè)試的:這個(gè)才是我測(cè)試的參數(shù),只有480V 

我是一家psr  ic 的FAE

對(duì)于這樣的問(wèn)題,我給你的建議是:你在老化是 老化架上  產(chǎn)品的AC電壓

是不是經(jīng)過(guò)調(diào)壓器,還是直接接的市電?

-----  如沒(méi)有接  你接下調(diào)壓器 將電壓調(diào)至220V  產(chǎn)品老化 ,看還會(huì)不會(huì)燒

如是接的市電,市電是有峰

值干擾的,雖有電路上的 RCD吸收保護(hù),但對(duì)于國(guó)產(chǎn)IC    集成 BJT .技術(shù)上

是不夠成熟的。雖技術(shù)參數(shù)上標(biāo)識(shí)600V , 但老化溫度升高后是達(dá)不到的。

 

國(guó)產(chǎn)IC  不建議使用 集成功率管在內(nèi)部,在這么小的IC內(nèi)部,要做到高低壓

和內(nèi)部數(shù)模小集號(hào)電路 的隔離,是有難度假,技術(shù)有待提高。

 

 

建議,PSR方案還是采用外接功率成熟,而且成本比集成功率的IC,

還要低,

我們的 TX12XX系列的 PSR   IC  ,  已做到AC350V輸入 ,有廠家出印度都沒(méi)問(wèn)題。有興趣的可以了解下,也可以找我要IC樣片和測(cè)試樣板。

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zvszcs
LV.12
29
2011-07-28 21:06
會(huì)不會(huì)是芯片散熱不夠啊,造成這樣啊
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2011-07-28 21:08
LZ,究竟上面那張才是  265V測(cè)的Vds??????有超600V的,有485V的.....麻煩指正.....
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2011-07-28 21:10
@富貴吉祥
芯片表面穿一個(gè)孔咯,我把產(chǎn)品寄到原廠分析,那邊說(shuō)我的峰值電壓過(guò)高,他們測(cè)試是586V,但在我這邊測(cè)試都只有480V左右呢?,F(xiàn)提供原廠給我的測(cè)試圖片:[圖片] [圖片] [圖片] 
這張?jiān)趺春湍愕南嗖?00V???輸入電壓電壓是不是不一樣?。??
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