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輸入直流20V~40V 輸出直流44V~54V Boost電路求助

剛開始做大功率電源,遇到問題求助:

輸入:直流20V~40V
輸出:直流44V~54V
輸出電流:10A
效率:80%

選擇電路結(jié)構(gòu):Boost,非隔離,100V功率MOSFET做開關(guān)管

輸出最大功率:Po=54V*10A=540W
輸入最大功率:Pin=Po/0.8=675W

若為CCM或臨界模式,最大占空比:Dmax=1-Vin(min)/Vo(max)=1-20/54=0.63

接下來,該如何計算電感量,如何利用AP法選擇磁芯,計算線圈匝數(shù),氣隙長度等參數(shù)? 多謝

全部回復(fù)(31)
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starlight
LV.2
2
2011-08-28 17:07
補充一下:硬開關(guān),開關(guān)頻率選多少為好?暫且選fs=30kHz
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mko145
LV.8
3
2011-08-28 17:31
頻率太低了, 那樣電感的個子要好大 ~ 
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starlight
LV.2
4
2011-08-28 19:15
@mko145
頻率太低了,那樣電感的個子要好大~ 
謝謝答復(fù),頻率可以提高到50kHz,如下該怎么計算?選什么形狀的磁芯要好?
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starlight
LV.2
5
2011-08-28 20:36
頂上去,不要沉了啊
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starlight
LV.2
6
2011-08-28 23:00
等待中,高手請不吝賜教,多謝
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starlight
LV.2
7
2011-08-29 11:26
等待高手幫助解答啊,先謝過
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mko145
LV.8
8
2011-08-29 18:10
既然沒有高手指導(dǎo),我來試著幫你算一算。僅供參考 ~  爆炸不關(guān)我的事 輸入:直流20V~40V輸出:直流44V~54V輸出電流:10A最低輸入電壓 Vi = 20V ; 最高輸出電壓 Vo = 54V假設(shè)MOSFET 導(dǎo)通時 Vds = 1V ; 輸出的整流管壓降 Vf = 1V(Vi - Vds)/ (Vo+  Vf)= 1/ (1-D) ;D 為占空比 ; 得到 D = 0.655電感上的平均電流為 ILa ; ILa  x (1-D)= Io ;得到 ILa = 10A / (1-0.655) = 29A假設(shè)效率為85%; 則電感上電流 IL = 29A / 0.85 = 34A取紋波電流峰峰值△IL = 0.2 IL = 0.2 x 34A = 6.8A △IL  = (Vi - Vds)x Ton / L  ; (L 為電感量) ; 得到 L = 19V x 13.1us / 6.8A = 36.6uH考慮選用 Cool Mu 的 254 鐵硅鋁磁環(huán) ; Ae = 110mm由公式 N = I x L / (Ae x Bm) ;Bm 取 3500 Gauss ; 得到 N = 32.5 T由公式 L = Al x N2; 得到 Al = 35 nH/T2;查表可知 對應(yīng)的材料為 26u最后確定為 Cool Mu 的 254 - 26 鐵硅鋁磁環(huán) ; 
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starlight
LV.2
9
2011-08-29 21:29
@mko145
既然沒有高手指導(dǎo),我來試著幫你算一算。僅供參考~ 爆炸不關(guān)我的事[圖片]輸入:直流20V~40V輸出:直流44V~54V輸出電流:10A最低輸入電壓Vi=20V; 最高輸出電壓Vo=54V假設(shè)MOSFET導(dǎo)通時Vds=1V;輸出的整流管壓降Vf=1V(Vi-Vds)/(Vo+ Vf)=1/(1-D);D為占空比;得到D=0.655電感上的平均電流為ILa;ILa x(1-D)=Io;得到ILa=10A/(1-0.655)=29A假設(shè)效率為85%;則電感上電流IL=29A/0.85=34A取紋波電流峰峰值△IL=0.2IL=0.2x34A=6.8A △IL =(Vi-Vds)xTon/L ;(L為電感量);得到L=19Vx13.1us/6.8A=36.6uH考慮選用CoolMu的254鐵硅鋁磁環(huán);Ae=110mm由公式N=IxL/(AexBm);Bm取3500Gauss;得到N=32.5T由公式L=AlxN2;得到Al=35nH/T2;查表可知對應(yīng)的材料為26u最后確定為CoolMu的254-26鐵硅鋁磁環(huán); 
謝謝大俠幫忙,我再看看資料,有問題再請教
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starlight
LV.2
10
2011-09-02 23:18
@mko145
既然沒有高手指導(dǎo),我來試著幫你算一算。僅供參考~ 爆炸不關(guān)我的事[圖片]輸入:直流20V~40V輸出:直流44V~54V輸出電流:10A最低輸入電壓Vi=20V; 最高輸出電壓Vo=54V假設(shè)MOSFET導(dǎo)通時Vds=1V;輸出的整流管壓降Vf=1V(Vi-Vds)/(Vo+ Vf)=1/(1-D);D為占空比;得到D=0.655電感上的平均電流為ILa;ILa x(1-D)=Io;得到ILa=10A/(1-0.655)=29A假設(shè)效率為85%;則電感上電流IL=29A/0.85=34A取紋波電流峰峰值△IL=0.2IL=0.2x34A=6.8A △IL =(Vi-Vds)xTon/L ;(L為電感量);得到L=19Vx13.1us/6.8A=36.6uH考慮選用CoolMu的254鐵硅鋁磁環(huán);Ae=110mm由公式N=IxL/(AexBm);Bm取3500Gauss;得到N=32.5T由公式L=AlxN2;得到Al=35nH/T2;查表可知對應(yīng)的材料為26u最后確定為CoolMu的254-26鐵硅鋁磁環(huán); 

請問大俠,boost電源,開關(guān)頻率50KHz,需要考慮趨膚效應(yīng),用多股線并繞嗎?

如上計算出來的電感量,一般需要留一定的設(shè)計裕量嗎?留多少設(shè)計裕量合適? 謝謝了

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mko145
LV.8
11
2011-09-03 13:10
@starlight
請問大俠,boost電源,開關(guān)頻率50KHz,需要考慮趨膚效應(yīng),用多股線并繞嗎?如上計算出來的電感量,一般需要留一定的設(shè)計裕量嗎?留多少設(shè)計裕量合適?謝謝了

趨膚效應(yīng)還是要考慮的, 網(wǎng)上有計算公式。不過繞電感通常不用很多股線并繞。如果你用我上面講的磁芯,可以考慮用AWG17或18 的線,雙線并繞。差不多剛好繞滿一層。 先試試看

電感不用再留余量了。感量的誤差一般是5%,問題不大。只是稍微影響一點紋波電流的大小。不會導(dǎo)致飽和什么的 ~

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starlight
LV.2
12
2011-09-06 22:42
@mko145
趨膚效應(yīng)還是要考慮的,網(wǎng)上有計算公式。不過繞電感通常不用很多股線并繞。如果你用我上面講的磁芯,可以考慮用AWG17或18的線,雙線并繞。差不多剛好繞滿一層。先試試看電感不用再留余量了。感量的誤差一般是5%,問題不大。只是稍微影響一點紋波電流的大小。不會導(dǎo)致飽和什么的~
謝謝大俠幫忙,這幾天在忙其它事情,沒上來看,隨后有問題再請教,多謝
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starlight
LV.2
13
2011-09-07 19:14
@mko145
趨膚效應(yīng)還是要考慮的,網(wǎng)上有計算公式。不過繞電感通常不用很多股線并繞。如果你用我上面講的磁芯,可以考慮用AWG17或18的線,雙線并繞。差不多剛好繞滿一層。先試試看電感不用再留余量了。感量的誤差一般是5%,問題不大。只是稍微影響一點紋波電流的大小。不會導(dǎo)致飽和什么的~

請問大俠,計算導(dǎo)線截面時用的電流密度是多少?我的計算如下:

導(dǎo)線截面:SL=IL/Jm=34A/(6A/mm^2)=5.67mm^2

如果用雙線并繞,由5.67/2=2.835mm^2,要用AWG#13號線并繞33匝。

如上計算是否有誤???

另外,如果想用體積小一點的磁芯,但開關(guān)頻率50KHz不變,有沒有辦法?

是否可以用磁導(dǎo)率高一點的磁芯? 謝謝了

 

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2011-09-07 20:35
@starlight
請問大俠,計算導(dǎo)線截面時用的電流密度是多少?我的計算如下:導(dǎo)線截面:SL=IL/Jm=34A/(6A/mm^2)=5.67mm^2如果用雙線并繞,由5.67/2=2.835mm^2,要用AWG#13號線并繞33匝。如上計算是否有誤???另外,如果想用體積小一點的磁芯,但開關(guān)頻率50KHz不變,有沒有辦法?是否可以用磁導(dǎo)率高一點的磁芯?謝謝了 
幫頂~~
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mko145
LV.8
15
2011-09-08 10:28
@starlight
請問大俠,計算導(dǎo)線截面時用的電流密度是多少?我的計算如下:導(dǎo)線截面:SL=IL/Jm=34A/(6A/mm^2)=5.67mm^2如果用雙線并繞,由5.67/2=2.835mm^2,要用AWG#13號線并繞33匝。如上計算是否有誤啊?另外,如果想用體積小一點的磁芯,但開關(guān)頻率50KHz不變,有沒有辦法?是否可以用磁導(dǎo)率高一點的磁芯?謝謝了 

你說的對,銅線是不太夠。書上通常講的3-6A是指變壓器的繞組銅線。這個值不是絕對的,也有書上說可以多到 8-12A(忘了是哪本書)。主要看散熱情況。相對于變壓器,電感的散熱要好得多,線也可以用細(xì)一些。我之前的線徑是根據(jù)磁芯的尺寸選取的 -- 正好繞滿一層。確實不一定夠。你可以試試看,加粗一些,或者加多一兩條并繞,但不建議用太粗的線。實際做的時候要根據(jù)溫升和散熱情況進行調(diào)整。另外,電感的繞線層數(shù)不易太多,當(dāng)然最好是一層。我手上有個日本cosel的電源(見下圖)。上面的30A電感是用AWG17 x 3 并繞的(正好繞滿一層)。
如果選用小一些,磁導(dǎo)率高的磁芯,可以做到同樣的電感。但Bm會增大,鐵損增加。不想鐵損增加太多,則需要相應(yīng)加多圈數(shù)(可參考上面計算圈數(shù)的公式)??傊姼袝訜?,也需要更粗的銅線。當(dāng)然,也更難繞。圈數(shù)多了散熱也會變差,導(dǎo)致溫升更高。到底可以用多大的磁芯,多粗的銅線,要看電感的溫升。也就是說需要試 ~  此外,實際做出來的東西和我們的設(shè)計還會有出入。一切應(yīng)以實驗數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。

 

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starlight
LV.2
16
2011-09-09 16:33
@mko145
你說的對,銅線是不太夠。書上通常講的3-6A是指變壓器的繞組銅線。這個值不是絕對的,也有書上說可以多到8-12A(忘了是哪本書)。主要看散熱情況。相對于變壓器,電感的散熱要好得多,線也可以用細(xì)一些。我之前的線徑是根據(jù)磁芯的尺寸選取的--正好繞滿一層。確實不一定夠。你可以試試看,加粗一些,或者加多一兩條并繞,但不建議用太粗的線。實際做的時候要根據(jù)溫升和散熱情況進行調(diào)整。另外,電感的繞線層數(shù)不易太多,當(dāng)然最好是一層。我手上有個日本cosel的電源(見下圖)。上面的30A電感是用AWG17x3并繞的(正好繞滿一層)。如果選用小一些,磁導(dǎo)率高的磁芯,可以做到同樣的電感。但Bm會增大,鐵損增加。不想鐵損增加太多,則需要相應(yīng)加多圈數(shù)(可參考上面計算圈數(shù)的公式)。總之,電感會更加熱,也需要更粗的銅線。當(dāng)然,也更難繞。圈數(shù)多了散熱也會變差,導(dǎo)致溫升更高。到底可以用多大的磁芯,多粗的銅線,要看電感的溫升。也就是說需要試~ 此外,實際做出來的東西和我們的設(shè)計還會有出入。一切應(yīng)以實驗數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。[圖片] 

謝謝大俠幫忙。
我今天下載了一些美磁的技術(shù)資料,按照那份資料提供的方法計算如下:

計算出感量L=36.6uH以后,因為LI^2=36.6*(10^-3)mH*(34A)^2=42.3mHA^2
查Kool Mu 環(huán)型和跑道型 磁芯LI^2選型圖,水平軸上的數(shù)值選定42.3mHA^2。
按照對應(yīng)的縱向坐標(biāo),選擇0077721A7磁芯。

查看0077721A7磁芯的參數(shù),電感因子AL=49nH/T^2 ±8%,該磁芯的最小AL值為
AL(min)=49*0.92=45.1nH/T^2,由公式L=AL*N^2,算出來N=29匝。

計算滿載時,確定直流偏置水平:H=N*I/Le=29*34/12.7=77.6AT/cm。
當(dāng)直流偏置為77.6AT/cm時,磁導(dǎo)率為初始磁導(dǎo)率的67% 。
調(diào)整后的匝數(shù)為29/0.67=44匝。

重新計算直流偏置水平:H=N*I/Le=44*34/12.7=118AT/cm。
從磁導(dǎo)率-直流偏置曲線看出,對應(yīng)初始磁導(dǎo)率的57% 。

計算出有效AL=AL(min)*0.57=45.1nH/T^2 * 0.57=25.7nH/T^2 。
磁芯匝數(shù)為44匝,直流偏置水平為118AT/cm,對應(yīng)最小電感值為
L=AL(min)*0.001*0.57*44*44=49.7uH。在滿載直流偏置條件下,
可達(dá)到期望的最小36.6uH電感值。

計算導(dǎo)線截面積:S=I/Jm=34A/(10A/mm^2)=3.4mm^2
可考慮用AWG#16號線雙線并繞44匝。

本意是要減小磁芯體積,同時想要理解選磁芯的方法,這樣的計算方法磁芯體積更大了。
如上計算是否有誤?計算出來的參數(shù)與大俠的不同,為什么?請指教,謝謝

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brsys
LV.7
17
2011-09-09 18:30
@mko145
你說的對,銅線是不太夠。書上通常講的3-6A是指變壓器的繞組銅線。這個值不是絕對的,也有書上說可以多到8-12A(忘了是哪本書)。主要看散熱情況。相對于變壓器,電感的散熱要好得多,線也可以用細(xì)一些。我之前的線徑是根據(jù)磁芯的尺寸選取的--正好繞滿一層。確實不一定夠。你可以試試看,加粗一些,或者加多一兩條并繞,但不建議用太粗的線。實際做的時候要根據(jù)溫升和散熱情況進行調(diào)整。另外,電感的繞線層數(shù)不易太多,當(dāng)然最好是一層。我手上有個日本cosel的電源(見下圖)。上面的30A電感是用AWG17x3并繞的(正好繞滿一層)。如果選用小一些,磁導(dǎo)率高的磁芯,可以做到同樣的電感。但Bm會增大,鐵損增加。不想鐵損增加太多,則需要相應(yīng)加多圈數(shù)(可參考上面計算圈數(shù)的公式)。總之,電感會更加熱,也需要更粗的銅線。當(dāng)然,也更難繞。圈數(shù)多了散熱也會變差,導(dǎo)致溫升更高。到底可以用多大的磁芯,多粗的銅線,要看電感的溫升。也就是說需要試~ 此外,實際做出來的東西和我們的設(shè)計還會有出入。一切應(yīng)以實驗數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。[圖片] 
不錯啊
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brsys
LV.7
18
2011-09-09 18:30
@starlight
謝謝大俠幫忙。我今天下載了一些美磁的技術(shù)資料,按照那份資料提供的方法計算如下:計算出感量L=36.6uH以后,因為LI^2=36.6*(10^-3)mH*(34A)^2=42.3mHA^2查KoolMu環(huán)型和跑道型磁芯LI^2選型圖,水平軸上的數(shù)值選定42.3mHA^2。按照對應(yīng)的縱向坐標(biāo),選擇0077721A7磁芯。查看0077721A7磁芯的參數(shù),電感因子AL=49nH/T^2±8%,該磁芯的最小AL值為AL(min)=49*0.92=45.1nH/T^2,由公式L=AL*N^2,算出來N=29匝。計算滿載時,確定直流偏置水平:H=N*I/Le=29*34/12.7=77.6AT/cm。當(dāng)直流偏置為77.6AT/cm時,磁導(dǎo)率為初始磁導(dǎo)率的67%。調(diào)整后的匝數(shù)為29/0.67=44匝。重新計算直流偏置水平:H=N*I/Le=44*34/12.7=118AT/cm。從磁導(dǎo)率-直流偏置曲線看出,對應(yīng)初始磁導(dǎo)率的57%。計算出有效AL=AL(min)*0.57=45.1nH/T^2*0.57=25.7nH/T^2。磁芯匝數(shù)為44匝,直流偏置水平為118AT/cm,對應(yīng)最小電感值為L=AL(min)*0.001*0.57*44*44=49.7uH。在滿載直流偏置條件下,可達(dá)到期望的最小36.6uH電感值。計算導(dǎo)線截面積:S=I/Jm=34A/(10A/mm^2)=3.4mm^2可考慮用AWG#16號線雙線并繞44匝。本意是要減小磁芯體積,同時想要理解選磁芯的方法,這樣的計算方法磁芯體積更大了。如上計算是否有誤?計算出來的參數(shù)與大俠的不同,為什么?請指教,謝謝
的確不錯
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starlight
LV.2
19
2011-09-10 08:29
@mko145
你說的對,銅線是不太夠。書上通常講的3-6A是指變壓器的繞組銅線。這個值不是絕對的,也有書上說可以多到8-12A(忘了是哪本書)。主要看散熱情況。相對于變壓器,電感的散熱要好得多,線也可以用細(xì)一些。我之前的線徑是根據(jù)磁芯的尺寸選取的--正好繞滿一層。確實不一定夠。你可以試試看,加粗一些,或者加多一兩條并繞,但不建議用太粗的線。實際做的時候要根據(jù)溫升和散熱情況進行調(diào)整。另外,電感的繞線層數(shù)不易太多,當(dāng)然最好是一層。我手上有個日本cosel的電源(見下圖)。上面的30A電感是用AWG17x3并繞的(正好繞滿一層)。如果選用小一些,磁導(dǎo)率高的磁芯,可以做到同樣的電感。但Bm會增大,鐵損增加。不想鐵損增加太多,則需要相應(yīng)加多圈數(shù)(可參考上面計算圈數(shù)的公式)??傊?,電感會更加熱,也需要更粗的銅線。當(dāng)然,也更難繞。圈數(shù)多了散熱也會變差,導(dǎo)致溫升更高。到底可以用多大的磁芯,多粗的銅線,要看電感的溫升。也就是說需要試~ 此外,實際做出來的東西和我們的設(shè)計還會有出入。一切應(yīng)以實驗數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。[圖片] 
頂上去,等待解答,謝謝
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mko145
LV.8
20
2011-09-10 23:30
@starlight
頂上去,等待解答,謝謝
談不上指教,大家一起學(xué)習(xí),共同進步。 我沒有看美磁的技術(shù)資料,不知道你具體的計算是不是沒問題。但你的結(jié)果應(yīng)該是接近正確。后來發(fā)現(xiàn)美磁的網(wǎng)站上有電感計算的軟件,就偷懶用提供的軟件算了一把。結(jié)果如下圖所示 ~ 算出的兩個磁芯一大一個小,但損耗相當(dāng)。你算得的磁芯大小介乎兩者之間,所以感覺你的計算應(yīng)該靠譜。由軟件計算結(jié)果看到兩種大小磁芯的損耗差不多。差別主要有兩個地方。一是空載電感。磁芯越小空載電感越大,這個好像不是什么大問題。二是電感的溫升。雖然損耗一樣,但磁芯小則溫升高 - 很合理。 具體到你的設(shè)計,如果有風(fēng)扇,那么應(yīng)該可以用小些的的磁芯。電感的總損耗17W多點,只占到總輸入功率的 3%, 感覺上不算多。
我原先的設(shè)計磁芯要再小一點。原因是忽略了電感滿載時磁導(dǎo)率的下降。當(dāng)時粗略的從特性圖上看磁導(dǎo)率似乎只變化幾個percent,就沒有理它。所以導(dǎo)致誤差很大。
從軟件計算結(jié)果看,最小的磁芯外徑是 47mm(比我原先計算的40mm還略大)。你不妨先按這個參數(shù)做樣品試試,如果溫度允許再換小的磁芯。當(dāng)然前提是最好有風(fēng)扇 ~
  
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starlight
LV.2
21
2011-09-13 19:39
@mko145
談不上指教,大家一起學(xué)習(xí),共同進步。我沒有看美磁的技術(shù)資料,不知道你具體的計算是不是沒問題。但你的結(jié)果應(yīng)該是接近正確。后來發(fā)現(xiàn)美磁的網(wǎng)站上有電感計算的軟件,就偷懶用提供的軟件算了一把。結(jié)果如下圖所示~算出的兩個磁芯一大一個小,但損耗相當(dāng)。你算得的磁芯大小介乎兩者之間,所以感覺你的計算應(yīng)該靠譜。由軟件計算結(jié)果看到兩種大小磁芯的損耗差不多。差別主要有兩個地方。一是空載電感。磁芯越小空載電感越大,這個好像不是什么大問題。二是電感的溫升。雖然損耗一樣,但磁芯小則溫升高-很合理。 具體到你的設(shè)計,如果有風(fēng)扇,那么應(yīng)該可以用小些的的磁芯。電感的總損耗17W多點,只占到總輸入功率的3%,感覺上不算多。我原先的設(shè)計磁芯要再小一點。原因是忽略了電感滿載時磁導(dǎo)率的下降。當(dāng)時粗略的從特性圖上看磁導(dǎo)率似乎只變化幾個percent,就沒有理它。所以導(dǎo)致誤差很大。從軟件計算結(jié)果看,最小的磁芯外徑是47mm(比我原先計算的40mm還略大)。你不妨先按這個參數(shù)做樣品試試,如果溫度允許再換小的磁芯。當(dāng)然前提是最好有風(fēng)扇~[圖片] [圖片] 

謝謝DX幫忙,可否將以上兩個計算結(jié)果對應(yīng)的輸入?yún)?shù)也貼出來,謝謝

特別是左邊的那個,這個軟件有時候很奇怪,我試了多個輸入?yún)?shù)組合,都沒有得出這個結(jié)果,~

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mko145
LV.8
22
2011-09-14 00:21
@starlight
謝謝DX幫忙,可否將以上兩個計算結(jié)果對應(yīng)的輸入?yún)?shù)也貼出來,謝謝特別是左邊的那個,這個軟件有時候很奇怪,我試了多個輸入?yún)?shù)組合,都沒有得出這個結(jié)果,~

知道你為什么算不出來 

  

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starlight
LV.2
23
2011-09-14 11:40
@mko145
知道你為什么算不出來 [圖片][圖片] [圖片] 
呵呵,直流電流相差1A(3%),計算結(jié)果相差很大啊,~
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starlight
LV.2
24
2011-09-21 15:00

請問DX,通常Boost電路需要加MOSFET尖峰電壓吸收電路嗎?

如果MOSFET用IRFB4115pbf,150V 104A,     該選用 RC、RCD,哪種電路?

RC、RCD,電路參數(shù)該如何選?在網(wǎng)上看了一些資料,

還是有太清楚啊,先謝過

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2011-09-22 13:55
關(guān)注一下。。。
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2011-09-25 13:47
@starlight
請問DX,通常Boost電路需要加MOSFET尖峰電壓吸收電路嗎?如果MOSFET用IRFB4115pbf,150V104A,    該選用RC、RCD,哪種電路?RC、RCD,電路參數(shù)該如何選?在網(wǎng)上看了一些資料,還是有太清楚啊,先謝過
其實,除了用BOOST拓?fù)渫?,還可以用其它拓?fù)潆娐纷?,效率體積都會比你這個好!
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starlight
LV.2
27
2011-09-25 22:56
@電源三板斧
其實,除了用BOOST拓?fù)渫?,還可以用其它拓?fù)潆娐纷?,效率體積都會比你這個好!

其他什么拓?fù)??推挽拓?fù)鋯幔?/p>

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starlight
LV.2
28
2011-09-25 22:57
@starlight
請問DX,通常Boost電路需要加MOSFET尖峰電壓吸收電路嗎?如果MOSFET用IRFB4115pbf,150V104A,    該選用RC、RCD,哪種電路?RC、RCD,電路參數(shù)該如何選?在網(wǎng)上看了一些資料,還是有太清楚啊,先謝過
等待DX指教啊,呵呵
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2011-09-26 17:30
@starlight
其他什么拓?fù)??推挽拓?fù)鋯幔?/span>
BOOST功率密度較低,可考慮用磁芯雙向磁化的變壓器拓?fù)洹?/div>
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mko145
LV.8
30
2011-09-28 23:38
@starlight
請問DX,通常Boost電路需要加MOSFET尖峰電壓吸收電路嗎?如果MOSFET用IRFB4115pbf,150V104A,    該選用RC、RCD,哪種電路?RC、RCD,電路參數(shù)該如何選?在網(wǎng)上看了一些資料,還是有太清楚啊,先謝過
好像不需要吧 ~ 如果要的話 RC應(yīng)該可以了
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yzhxx
LV.5
31
2012-03-07 23:59
@starlight
謝謝大俠幫忙。我今天下載了一些美磁的技術(shù)資料,按照那份資料提供的方法計算如下:計算出感量L=36.6uH以后,因為LI^2=36.6*(10^-3)mH*(34A)^2=42.3mHA^2查KoolMu環(huán)型和跑道型磁芯LI^2選型圖,水平軸上的數(shù)值選定42.3mHA^2。按照對應(yīng)的縱向坐標(biāo),選擇0077721A7磁芯。查看0077721A7磁芯的參數(shù),電感因子AL=49nH/T^2±8%,該磁芯的最小AL值為AL(min)=49*0.92=45.1nH/T^2,由公式L=AL*N^2,算出來N=29匝。計算滿載時,確定直流偏置水平:H=N*I/Le=29*34/12.7=77.6AT/cm。當(dāng)直流偏置為77.6AT/cm時,磁導(dǎo)率為初始磁導(dǎo)率的67%。調(diào)整后的匝數(shù)為29/0.67=44匝。重新計算直流偏置水平:H=N*I/Le=44*34/12.7=118AT/cm。從磁導(dǎo)率-直流偏置曲線看出,對應(yīng)初始磁導(dǎo)率的57%。計算出有效AL=AL(min)*0.57=45.1nH/T^2*0.57=25.7nH/T^2。磁芯匝數(shù)為44匝,直流偏置水平為118AT/cm,對應(yīng)最小電感值為L=AL(min)*0.001*0.57*44*44=49.7uH。在滿載直流偏置條件下,可達(dá)到期望的最小36.6uH電感值。計算導(dǎo)線截面積:S=I/Jm=34A/(10A/mm^2)=3.4mm^2可考慮用AWG#16號線雙線并繞44匝。本意是要減小磁芯體積,同時想要理解選磁芯的方法,這樣的計算方法磁芯體積更大了。如上計算是否有誤?計算出來的參數(shù)與大俠的不同,為什么?請指教,謝謝
今晚又長見識了
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