很簡單,MOSFET可以雙向?qū)щ?而且反向?qū)щ娍梢酝ㄟ^本身,也可以通過體二極管.
那就有一個問題,當(dāng)MOSFET是有驅(qū)動的時候.反向電流是如何在MOSFET 本體和體二級管分布的.
當(dāng)電流增大到什么程度,MOSFET導(dǎo)通壓降將被體二極管的壓降鉗住?
各位探討探討!
問一個比較實(shí)際的MOSFET的問題,看看有誰知道?
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500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/39/1141302678.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
有趣.
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@inherit
MOS管本來就是可以雙向?qū)ǖ?但是由于襯底與導(dǎo)電極之間是PN極的關(guān)系因此常常使他們之間必須有一個反向電壓以防止電極與襯底之間形成通路燒壞.因此將襯底與一極相連,才有D、S的區(qū)分,說可以反向使用是可以的,但會帶來許多問題.三極管C、E可以反向使用,放大倍數(shù)就很小了(遠(yuǎn)小于1).因此上述兩種使用只是理論分析可行,在實(shí)際使用中毫無意義,說明對器件結(jié)構(gòu)的不清楚.
我看到很多資料都說結(jié)型場效應(yīng)管JFET的S、D是可以互換的,至于MOSFET,只有本論壇有關(guān)同步整流的帖子有所提及,假如這樣,那FET的反向耐壓等等參數(shù)跟正常使用狀態(tài)有區(qū)別嗎?望請賜教.
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@stonego
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/39/1141302678.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">有趣.
多謝各位關(guān)注.
不過好像暫時沒有人回答這個問題.當(dāng)然這個問題也并不是一般情況可能遇見的.
一般的說法就是電流傾向由MOSFET本體流通,但是壓降隨著電流增大而增大.最大壓降小于DATESHEET中給出的體二極管壓降.
不過這樣的話,損耗計算就只能適用體二極管壓降,計算出來稍微增加.
不過好像暫時沒有人回答這個問題.當(dāng)然這個問題也并不是一般情況可能遇見的.
一般的說法就是電流傾向由MOSFET本體流通,但是壓降隨著電流增大而增大.最大壓降小于DATESHEET中給出的體二極管壓降.
不過這樣的話,損耗計算就只能適用體二極管壓降,計算出來稍微增加.
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從S~D導(dǎo)通時,mos在有驅(qū)動時通常情況下體二極管是沒有電流流過的,因為Rds上的壓降通常很小.從D~S導(dǎo)通時,體二極管反向當(dāng)然更不通了.
兩種導(dǎo)通方式都在大量使用,從D~S導(dǎo)通:在POWER中做開關(guān)管.從S~D導(dǎo)通:同步整流用.
------------------------------------
假如MOSFET體電阻0.2歐姆,當(dāng)電流10安的時候已經(jīng)有2V壓降了.這時候體二極管肯定導(dǎo)通了吧?
這種情況也應(yīng)該是很容易遇到的吧.10A其實(shí)很小了.
兩種導(dǎo)通方式都在大量使用,從D~S導(dǎo)通:在POWER中做開關(guān)管.從S~D導(dǎo)通:同步整流用.
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假如MOSFET體電阻0.2歐姆,當(dāng)電流10安的時候已經(jīng)有2V壓降了.這時候體二極管肯定導(dǎo)通了吧?
這種情況也應(yīng)該是很容易遇到的吧.10A其實(shí)很小了.
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@jurda
從S~D導(dǎo)通時,mos在有驅(qū)動時通常情況下體二極管是沒有電流流過的,因為Rds上的壓降通常很小.從D~S導(dǎo)通時,體二極管反向當(dāng)然更不通了.兩種導(dǎo)通方式都在大量使用,從D~S導(dǎo)通:在POWER中做開關(guān)管.從S~D導(dǎo)通:同步整流用.------------------------------------假如MOSFET體電阻0.2歐姆,當(dāng)電流10安的時候已經(jīng)有2V壓降了.這時候體二極管肯定導(dǎo)通了吧?這種情況也應(yīng)該是很容易遇到的吧.10A其實(shí)很小了.
從效率方面考慮,通常希望電流盡量流過Rds,以你的例子,是不是應(yīng)該選用更低Rds的MOS.
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@jurda
從S~D導(dǎo)通時,mos在有驅(qū)動時通常情況下體二極管是沒有電流流過的,因為Rds上的壓降通常很小.從D~S導(dǎo)通時,體二極管反向當(dāng)然更不通了.兩種導(dǎo)通方式都在大量使用,從D~S導(dǎo)通:在POWER中做開關(guān)管.從S~D導(dǎo)通:同步整流用.------------------------------------假如MOSFET體電阻0.2歐姆,當(dāng)電流10安的時候已經(jīng)有2V壓降了.這時候體二極管肯定導(dǎo)通了吧?這種情況也應(yīng)該是很容易遇到的吧.10A其實(shí)很小了.
此時Pd已達(dá)20W,似不妥當(dāng),大電流MOSFEI的Rds(on)均在0.1以下,如6030為0.013歐姆.
同步整流的初衷就是為了降低二極管正向?qū)▔航档膿p耗,如果MOSFET壓降比用二極管整流的還大,那應(yīng)算是比較失敗的吧.
我的疑問是,正反向應(yīng)用,MOSFET各項參數(shù)有無不同?
同步整流的初衷就是為了降低二極管正向?qū)▔航档膿p耗,如果MOSFET壓降比用二極管整流的還大,那應(yīng)算是比較失敗的吧.
我的疑問是,正反向應(yīng)用,MOSFET各項參數(shù)有無不同?
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@inherit
MOS管本來就是可以雙向?qū)ǖ?但是由于襯底與導(dǎo)電極之間是PN極的關(guān)系因此常常使他們之間必須有一個反向電壓以防止電極與襯底之間形成通路燒壞.因此將襯底與一極相連,才有D、S的區(qū)分,說可以反向使用是可以的,但會帶來許多問題.三極管C、E可以反向使用,放大倍數(shù)就很小了(遠(yuǎn)小于1).因此上述兩種使用只是理論分析可行,在實(shí)際使用中毫無意義,說明對器件結(jié)構(gòu)的不清楚.
三極管C、E可以反向使用,放大倍數(shù)就很小了(遠(yuǎn)小于1).
＝＝大約是5-10之間.
＝＝大約是5-10之間.
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@u-571
我看到很多資料都說結(jié)型場效應(yīng)管JFET的S、D是可以互換的,至于MOSFET,只有本論壇有關(guān)同步整流的帖子有所提及,假如這樣,那FET的反向耐壓等等參數(shù)跟正常使用狀態(tài)有區(qū)別嗎?望請賜教.
MOSFET的D、S是可以互換使用,但要注意制作的工藝,在很多器件里S極與襯底相連,因此該類型的器件是不能互換使用的.如果要互換使用,需選擇襯底不與S極相連的,且襯源間的電壓必須保證襯源間的PN結(jié)是反向偏置,結(jié)果溝道的寬度受UGS和UBS雙重控制,使UGS(th)的絕對值增大.
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