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問一個比較實際的MOSFET的問題,看看有誰知道?

很簡單,MOSFET可以雙向導電,而且反向導電可以通過本身,也可以通過體二極管.

那就有一個問題,當MOSFET是有驅動的時候.反向電流是如何在MOSFET 本體和體二級管分布的.

當電流增大到什么程度,MOSFET導通壓降將被體二極管的壓降鉗住?

各位探討探討!
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jurda
LV.6
2
2006-03-02 10:39
沒有人有興趣么?
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78941227
LV.5
3
2006-03-02 10:58
@jurda
沒有人有興趣么?
關注中~~~~~~~~~
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dianhui
LV.4
4
2006-03-02 11:03
@jurda
沒有人有興趣么?
今天第一次看到有人能知道MOSFET可以反向導通,我以前面試過一些很多人包括一些研究生,他都不知道MOSFET可以反向導通.
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2006-03-02 11:11
@dianhui
今天第一次看到有人能知道MOSFET可以反向導通,我以前面試過一些很多人包括一些研究生,他都不知道MOSFET可以反向導通.
當然了,從原理上是可以的,不過沒什么人會這么用的.
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dianhui
LV.4
6
2006-03-02 11:16
@早安豬八戒
當然了,從原理上是可以的,不過沒什么人會這么用的.
本人就用過.
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LV.1
7
2006-03-02 11:24
慚愧啊,我一直以為MOSFET上的電流只能從D到S啊?請問你是怎么做這個實驗的?IGBT也這樣吧?
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2006-03-02 11:29
@
慚愧啊,我一直以為MOSFET上的電流只能從D到S啊?請問你是怎么做這個實驗的?IGBT也這樣吧?
現(xiàn)在大多數(shù)的MOSFET和IGBT都帶一個體內二極管,你說它們怎么會不反向導通
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st.you
LV.10
9
2006-03-02 11:43
@早安豬八戒
現(xiàn)在大多數(shù)的MOSFET和IGBT都帶一個體內二極管,你說它們怎么會不反向導通
這樣理解不對吧?MOS管的反向導通不是靠體內的二極管來的,同步BUCK就是一個例子.
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六號橋
LV.5
10
2006-03-02 11:50
@st.you
這樣理解不對吧?MOS管的反向導通不是靠體內的二極管來的,同步BUCK就是一個例子.
從S~D導通時,mos在有驅動時通常情況下體二極管是沒有電流流過的,因為Rds上的壓降通常很小.從D~S導通時,體二極管反向當然更不通了.
兩種導通方式都在大量使用,從D~S導通:在POWER中做開關管.從S~D導通:同步整流用.
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qaz33510
LV.9
11
2006-03-02 13:07
@六號橋
從S~D導通時,mos在有驅動時通常情況下體二極管是沒有電流流過的,因為Rds上的壓降通常很小.從D~S導通時,體二極管反向當然更不通了.兩種導通方式都在大量使用,從D~S導通:在POWER中做開關管.從S~D導通:同步整流用.
同意以上2帖
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zhipengpan
LV.4
12
2006-03-02 13:34
@六號橋
從S~D導通時,mos在有驅動時通常情況下體二極管是沒有電流流過的,因為Rds上的壓降通常很小.從D~S導通時,體二極管反向當然更不通了.兩種導通方式都在大量使用,從D~S導通:在POWER中做開關管.從S~D導通:同步整流用.
關注中.....
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asm
LV.8
13
2006-03-02 14:01
@st.you
這樣理解不對吧?MOS管的反向導通不是靠體內的二極管來的,同步BUCK就是一個例子.
為提高效率,同步BUCK電路MOS外并肖特基是不可少的.
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yaruolin
LV.4
14
2006-03-02 14:29
@dianhui
今天第一次看到有人能知道MOSFET可以反向導通,我以前面試過一些很多人包括一些研究生,他都不知道MOSFET可以反向導通.
三極管也可以雙向啊,誰都知道
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2006-03-02 15:06
@asm
為提高效率,同步BUCK電路MOS外并肖特基是不可少的.
學到新東西了.謝謝!

剛開始做開關電源呢!
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asm
LV.8
16
2006-03-02 15:17
@yaruolin
三極管也可以雙向啊,誰都知道
三極管C、E區(qū)滲雜濃度是不同的,與MOS管導電溝道不一樣.那你舉個例子說明三極管C、E可以雙向導通.
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yaruolin
LV.4
17
2006-03-02 16:08
@asm
三極管C、E區(qū)滲雜濃度是不同的,與MOS管導電溝道不一樣.那你舉個例子說明三極管C、E可以雙向導通.
如果B、C兩端正向偏置,C、E兩端反向偏置,應該可以導電吧?
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zhaocsq
LV.5
18
2006-03-02 19:08
有這方面的資料嗎?
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jianyedin
LV.9
19
2006-03-02 20:01
@asm
為提高效率,同步BUCK電路MOS外并肖特基是不可少的.
我對這個很感興趣,請大俠多講講這方面的知識.謝謝!
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inherit
LV.5
20
2006-03-02 20:19
MOS管本來就是可以雙向導通的,但是由于襯底與導電極之間是PN極的關系因此常常使他們之間必須有一個反向電壓以防止電極與襯底之間形成通路燒壞.因此將襯底與一極相連,才有D、S的區(qū)分,說可以反向使用是可以的,但會帶來許多問題.三極管C、E可以反向使用,放大倍數(shù)就很小了(遠小于1).因此上述兩種使用只是理論分析可行,在實際使用中毫無意義,說明對器件結構的不清楚.
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stonego
LV.2
21
2006-03-02 20:32
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/39/1141302678.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

有趣.
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u-571
LV.7
22
2006-03-02 20:48
@inherit
MOS管本來就是可以雙向導通的,但是由于襯底與導電極之間是PN極的關系因此常常使他們之間必須有一個反向電壓以防止電極與襯底之間形成通路燒壞.因此將襯底與一極相連,才有D、S的區(qū)分,說可以反向使用是可以的,但會帶來許多問題.三極管C、E可以反向使用,放大倍數(shù)就很小了(遠小于1).因此上述兩種使用只是理論分析可行,在實際使用中毫無意義,說明對器件結構的不清楚.
我看到很多資料都說結型場效應管JFET的S、D是可以互換的,至于MOSFET,只有本論壇有關同步整流的帖子有所提及,假如這樣,那FET的反向耐壓等等參數(shù)跟正常使用狀態(tài)有區(qū)別嗎?望請賜教.
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jurda
LV.6
23
2006-03-02 21:07
@stonego
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/39/1141302678.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">有趣.
多謝各位關注.

不過好像暫時沒有人回答這個問題.當然這個問題也并不是一般情況可能遇見的.

一般的說法就是電流傾向由MOSFET本體流通,但是壓降隨著電流增大而增大.最大壓降小于DATESHEET中給出的體二極管壓降.

不過這樣的話,損耗計算就只能適用體二極管壓降,計算出來稍微增加.
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jurda
LV.6
24
2006-03-02 21:13
@dianhui
今天第一次看到有人能知道MOSFET可以反向導通,我以前面試過一些很多人包括一些研究生,他都不知道MOSFET可以反向導通.
很多人知道地,只是不說而已,知道同步整流的都知道.現(xiàn)在研究生實際能力的確比較差了.
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jurda
LV.6
25
2006-03-02 21:14
@早安豬八戒
現(xiàn)在大多數(shù)的MOSFET和IGBT都帶一個體內二極管,你說它們怎么會不反向導通
IGBT好像不帶體二極管吧.
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jurda
LV.6
26
2006-03-02 21:16
從S~D導通時,mos在有驅動時通常情況下體二極管是沒有電流流過的,因為Rds上的壓降通常很小.從D~S導通時,體二極管反向當然更不通了.
兩種導通方式都在大量使用,從D~S導通:在POWER中做開關管.從S~D導通:同步整流用.


------------------------------------

假如MOSFET體電阻0.2歐姆,當電流10安的時候已經(jīng)有2V壓降了.這時候體二極管肯定導通了吧?
這種情況也應該是很容易遇到的吧.10A其實很小了.
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jurda
LV.6
27
2006-03-02 21:18
@inherit
MOS管本來就是可以雙向導通的,但是由于襯底與導電極之間是PN極的關系因此常常使他們之間必須有一個反向電壓以防止電極與襯底之間形成通路燒壞.因此將襯底與一極相連,才有D、S的區(qū)分,說可以反向使用是可以的,但會帶來許多問題.三極管C、E可以反向使用,放大倍數(shù)就很小了(遠小于1).因此上述兩種使用只是理論分析可行,在實際使用中毫無意義,說明對器件結構的不清楚.
毫無意義?

那同步整流怎么辦?

現(xiàn)在研究熱火的無橋PFC電路怎么辦?
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qaz33510
LV.9
28
2006-03-02 22:03
@jurda
從S~D導通時,mos在有驅動時通常情況下體二極管是沒有電流流過的,因為Rds上的壓降通常很小.從D~S導通時,體二極管反向當然更不通了.兩種導通方式都在大量使用,從D~S導通:在POWER中做開關管.從S~D導通:同步整流用.------------------------------------假如MOSFET體電阻0.2歐姆,當電流10安的時候已經(jīng)有2V壓降了.這時候體二極管肯定導通了吧?這種情況也應該是很容易遇到的吧.10A其實很小了.
從效率方面考慮,通常希望電流盡量流過Rds,以你的例子,是不是應該選用更低Rds的MOS.
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u-571
LV.7
29
2006-03-02 22:22
@jurda
從S~D導通時,mos在有驅動時通常情況下體二極管是沒有電流流過的,因為Rds上的壓降通常很小.從D~S導通時,體二極管反向當然更不通了.兩種導通方式都在大量使用,從D~S導通:在POWER中做開關管.從S~D導通:同步整流用.------------------------------------假如MOSFET體電阻0.2歐姆,當電流10安的時候已經(jīng)有2V壓降了.這時候體二極管肯定導通了吧?這種情況也應該是很容易遇到的吧.10A其實很小了.
此時Pd已達20W,似不妥當,大電流MOSFEI的Rds(on)均在0.1以下,如6030為0.013歐姆.
同步整流的初衷就是為了降低二極管正向導通壓降的損耗,如果MOSFET壓降比用二極管整流的還大,那應算是比較失敗的吧.
我的疑問是,正反向應用,MOSFET各項參數(shù)有無不同?
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njyd
LV.8
30
2006-03-03 00:00
@inherit
MOS管本來就是可以雙向導通的,但是由于襯底與導電極之間是PN極的關系因此常常使他們之間必須有一個反向電壓以防止電極與襯底之間形成通路燒壞.因此將襯底與一極相連,才有D、S的區(qū)分,說可以反向使用是可以的,但會帶來許多問題.三極管C、E可以反向使用,放大倍數(shù)就很小了(遠小于1).因此上述兩種使用只是理論分析可行,在實際使用中毫無意義,說明對器件結構的不清楚.
三極管C、E可以反向使用,放大倍數(shù)就很小了(遠小于1).

  ＝＝大約是5-10之間.
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inherit
LV.5
31
2006-03-03 00:24
@u-571
我看到很多資料都說結型場效應管JFET的S、D是可以互換的,至于MOSFET,只有本論壇有關同步整流的帖子有所提及,假如這樣,那FET的反向耐壓等等參數(shù)跟正常使用狀態(tài)有區(qū)別嗎?望請賜教.
MOSFET的D、S是可以互換使用,但要注意制作的工藝,在很多器件里S極與襯底相連,因此該類型的器件是不能互換使用的.如果要互換使用,需選擇襯底不與S極相連的,且襯源間的電壓必須保證襯源間的PN結是反向偏置,結果溝道的寬度受UGS和UBS雙重控制,使UGS(th)的絕對值增大.
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