應(yīng)該還是看它與散熱器的接觸面積的大小吧,單獨散熱可能金封的好些

金封的三極管比較多,如:TO-92,F2封裝等,但金封的MOSFET很少見,貼個圖片看看.

比如toshiba的K2611

2SK2611看起來象TO-247封裝,這不是金屬封裝的.

不是2SK2611,是K2611~~

什么是金屬封裝?不是管子后面有一塊金屬?還是整個外殼都是金屬的?

全金屬封裝的和塑封的MOS管區(qū)別不只是散熱這么簡單,兩者的區(qū)別主要在是否能滿足航空航天對器件的高空底氣壓,抗離子輻射,震動沖擊 等等惡劣條件 要求, 普通的管子肯定是過不了這些的,所以那也就是為什么軍品一定要用全金屬封裝的MOSFET ,偶原來做過兩年軍用電源,現(xiàn)在做軍用器件的貿(mào)易,歡迎大家指教,當然如果要金屬封裝的MOS管,偶這里就有啦   注意:所謂金屬封裝,為全金屬封裝,3只腳都與散熱金屬殼體絕緣

不管2SK2611 還是K2611 都不是金屬封裝的,如果大家想看金屬封裝的,偶來貼個圖好了500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/39/1141784434.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

哦,知道了,我說的這個叫半塑封~~~

這才是貨真價實的金屬封裝.

真是行家!

IR460就有金封的,價格很高

呵呵 老兄 真是識貨

多謝各位的幫忙.
我說的金封是指各位說的半金封(即背面有一金屬塊的,全金封的本人還是第一次聽說),還有一個問題想請教:我用塑封的MOS,測得MOS本體與其散熱片的溫度相差15度左右(MOS與散熱片之間涂有硅脂,即散熱油),而用相同參數(shù)的半金封的MOS時,其溫度相差30度左右(MOS與散熱片之間加了矽膠片,就是大家通用的那種,灰色的),不知道是我的矽膠片質(zhì)量不行還是別的什么原因,但是我用云母片代替矽膠片溫度也是相差30度左右(用云母片時有涂硅脂).
另外,MOS管的規(guī)格書上寫的最高工作溫度是指MOS的表面溫度還是內(nèi)部的節(jié)溫呢?
請各位幫忙解答,謝謝.

呵呵,找你要樣品也是拿來開開眼界,象我做消費電子的是不可能用這種“黃金”的...

可能是因為塑封的內(nèi)外溫差大,半塑封內(nèi)外溫差小吧~~~
工作溫度應(yīng)該是指內(nèi)部溫度,要推算的~~~

怎么測MOS的內(nèi)部的溫度?

那應(yīng)該根據(jù)規(guī)格書推算的吧,測估計是測不出來的吧?

長了見識!

那規(guī)格書里有什么數(shù)據(jù)可以推算的?

TO-3的鐵殼大管子呢?

老大發(fā)了.

 來個圖看看吧  IR宇航級的MOSFET 

因為是你的導熱絕緣材料不合格，僅僅絕緣但是不導熱，我這現(xiàn)在使用的是氧化鋁陶瓷片。導熱系數(shù)為29.3.是矽膠片的30多倍。你可以來咨詢我哈。 QQ 346493791