金封與塑封的MOSFET在散熱方面到底差多少
請(qǐng)問電流電壓Rds相同的MOSFET,金封與塑封的在散熱方面到底差多少,謝謝.
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@sntfox
不是2SK2611,是K2611~~什么是金屬封裝?不是管子后面有一塊金屬?還是整個(gè)外殼都是金屬的?
不管2SK2611 還是K2611 都不是金屬封裝的,如果大家想看金屬封裝的,偶來(lái)貼個(gè)圖好了
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/39/1141784434.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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不管2SK2611還是K2611都不是金屬封裝的,如果大家想看金屬封裝的,偶來(lái)貼個(gè)圖好了[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/39/1141784434.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
這才是貨真價(jià)實(shí)的金屬封裝.
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全金屬封裝的和塑封的MOS管區(qū)別不只是散熱這么簡(jiǎn)單,兩者的區(qū)別主要在是否能滿足航空航天對(duì)器件的高空底氣壓,抗離子輻射,震動(dòng)沖擊等等惡劣條件要求,普通的管子肯定是過(guò)不了這些的,所以那也就是為什么軍品一定要用全金屬封裝的MOSFET,偶原來(lái)做過(guò)兩年軍用電源,現(xiàn)在做軍用器件的貿(mào)易,歡迎大家指教,當(dāng)然如果要金屬封裝的MOS管,偶這里就有啦 注意:所謂金屬封裝,為全金屬封裝,3只腳都與散熱金屬殼體絕緣
IR460就有金封的,價(jià)格很高
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多謝各位的幫忙.
我說(shuō)的金封是指各位說(shuō)的半金封(即背面有一金屬塊的,全金封的本人還是第一次聽說(shuō)),還有一個(gè)問題想請(qǐng)教:我用塑封的MOS,測(cè)得MOS本體與其散熱片的溫度相差15度左右(MOS與散熱片之間涂有硅脂,即散熱油),而用相同參數(shù)的半金封的MOS時(shí),其溫度相差30度左右(MOS與散熱片之間加了矽膠片,就是大家通用的那種,灰色的),不知道是我的矽膠片質(zhì)量不行還是別的什么原因,但是我用云母片代替矽膠片溫度也是相差30度左右(用云母片時(shí)有涂硅脂).
另外,MOS管的規(guī)格書上寫的最高工作溫度是指MOS的表面溫度還是內(nèi)部的節(jié)溫呢?
請(qǐng)各位幫忙解答,謝謝.
我說(shuō)的金封是指各位說(shuō)的半金封(即背面有一金屬塊的,全金封的本人還是第一次聽說(shuō)),還有一個(gè)問題想請(qǐng)教:我用塑封的MOS,測(cè)得MOS本體與其散熱片的溫度相差15度左右(MOS與散熱片之間涂有硅脂,即散熱油),而用相同參數(shù)的半金封的MOS時(shí),其溫度相差30度左右(MOS與散熱片之間加了矽膠片,就是大家通用的那種,灰色的),不知道是我的矽膠片質(zhì)量不行還是別的什么原因,但是我用云母片代替矽膠片溫度也是相差30度左右(用云母片時(shí)有涂硅脂).
另外,MOS管的規(guī)格書上寫的最高工作溫度是指MOS的表面溫度還是內(nèi)部的節(jié)溫呢?
請(qǐng)各位幫忙解答,謝謝.
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全金屬封裝的和塑封的MOS管區(qū)別不只是散熱這么簡(jiǎn)單,兩者的區(qū)別主要在是否能滿足航空航天對(duì)器件的高空底氣壓,抗離子輻射,震動(dòng)沖擊等等惡劣條件要求,普通的管子肯定是過(guò)不了這些的,所以那也就是為什么軍品一定要用全金屬封裝的MOSFET,偶原來(lái)做過(guò)兩年軍用電源,現(xiàn)在做軍用器件的貿(mào)易,歡迎大家指教,當(dāng)然如果要金屬封裝的MOS管,偶這里就有啦 注意:所謂金屬封裝,為全金屬封裝,3只腳都與散熱金屬殼體絕緣
呵呵,找你要樣品也是拿來(lái)開開眼界,象我做消費(fèi)電子的是不可能用這種“黃金”的...
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@moreking
多謝各位的幫忙.我說(shuō)的金封是指各位說(shuō)的半金封(即背面有一金屬塊的,全金封的本人還是第一次聽說(shuō)),還有一個(gè)問題想請(qǐng)教:我用塑封的MOS,測(cè)得MOS本體與其散熱片的溫度相差15度左右(MOS與散熱片之間涂有硅脂,即散熱油),而用相同參數(shù)的半金封的MOS時(shí),其溫度相差30度左右(MOS與散熱片之間加了矽膠片,就是大家通用的那種,灰色的),不知道是我的矽膠片質(zhì)量不行還是別的什么原因,但是我用云母片代替矽膠片溫度也是相差30度左右(用云母片時(shí)有涂硅脂).另外,MOS管的規(guī)格書上寫的最高工作溫度是指MOS的表面溫度還是內(nèi)部的節(jié)溫呢?請(qǐng)各位幫忙解答,謝謝.
可能是因?yàn)樗芊獾膬?nèi)外溫差大,半塑封內(nèi)外溫差小吧~~~
工作溫度應(yīng)該是指內(nèi)部溫度,要推算的~~~
工作溫度應(yīng)該是指內(nèi)部溫度,要推算的~~~
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@moreking
多謝各位的幫忙.我說(shuō)的金封是指各位說(shuō)的半金封(即背面有一金屬塊的,全金封的本人還是第一次聽說(shuō)),還有一個(gè)問題想請(qǐng)教:我用塑封的MOS,測(cè)得MOS本體與其散熱片的溫度相差15度左右(MOS與散熱片之間涂有硅脂,即散熱油),而用相同參數(shù)的半金封的MOS時(shí),其溫度相差30度左右(MOS與散熱片之間加了矽膠片,就是大家通用的那種,灰色的),不知道是我的矽膠片質(zhì)量不行還是別的什么原因,但是我用云母片代替矽膠片溫度也是相差30度左右(用云母片時(shí)有涂硅脂).另外,MOS管的規(guī)格書上寫的最高工作溫度是指MOS的表面溫度還是內(nèi)部的節(jié)溫呢?請(qǐng)各位幫忙解答,謝謝.
怎么測(cè)MOS的內(nèi)部的溫度?
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全金屬封裝的和塑封的MOS管區(qū)別不只是散熱這么簡(jiǎn)單,兩者的區(qū)別主要在是否能滿足航空航天對(duì)器件的高空底氣壓,抗離子輻射,震動(dòng)沖擊等等惡劣條件要求,普通的管子肯定是過(guò)不了這些的,所以那也就是為什么軍品一定要用全金屬封裝的MOSFET,偶原來(lái)做過(guò)兩年軍用電源,現(xiàn)在做軍用器件的貿(mào)易,歡迎大家指教,當(dāng)然如果要金屬封裝的MOS管,偶這里就有啦 注意:所謂金屬封裝,為全金屬封裝,3只腳都與散熱金屬殼體絕緣
長(zhǎng)了見識(shí)!
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@moreking
多謝各位的幫忙.我說(shuō)的金封是指各位說(shuō)的半金封(即背面有一金屬塊的,全金封的本人還是第一次聽說(shuō)),還有一個(gè)問題想請(qǐng)教:我用塑封的MOS,測(cè)得MOS本體與其散熱片的溫度相差15度左右(MOS與散熱片之間涂有硅脂,即散熱油),而用相同參數(shù)的半金封的MOS時(shí),其溫度相差30度左右(MOS與散熱片之間加了矽膠片,就是大家通用的那種,灰色的),不知道是我的矽膠片質(zhì)量不行還是別的什么原因,但是我用云母片代替矽膠片溫度也是相差30度左右(用云母片時(shí)有涂硅脂).另外,MOS管的規(guī)格書上寫的最高工作溫度是指MOS的表面溫度還是內(nèi)部的節(jié)溫呢?請(qǐng)各位幫忙解答,謝謝.
TO-3的鐵殼大管子呢?
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