會不會因為驅動頻率太低造成能量轉移效率低，MOS過熱呢
請問DCDC電源效率與MOS驅動頻率有關系么？
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@zvszcs
不太會吧，太低，就是你的體積小不下來啊
軍長，請幫小弟下面這個是什么問題呢
小弟近日做了一個DCDC，輸入12-20V，共10個輸出繞組，輸出均為4V
變壓器參數(shù)為初級電感70uH，漏感300nH，初級匝數(shù)12匝，次級4匝
選用MOS型號為IRL540，VGS(th) min為1V，max為2V，用4V電壓驅動
現(xiàn)在出現(xiàn)了兩個問題：
1. MOS發(fā)熱嚴重，燙手 當輸入提高到12V時，燙的厲害，不知此處發(fā)熱主要是開關損耗還是導通損耗
2. Vds尖峰很高，RCD無法吸收，R：10K，C：4.7nF
另外因為在實驗，所以僅采用了一路輸出，其他輸出繞組懸空，不知是否有影響
MOS驅動如下圖：
Vds波形如下圖：
下圖中黃色為RCD中C兩端波形：
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