會(huì)不會(huì)因?yàn)轵?qū)動(dòng)頻率太低造成能量轉(zhuǎn)移效率低，MOS過熱呢
請(qǐng)問DCDC電源效率與MOS驅(qū)動(dòng)頻率有關(guān)系么？
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@zvszcs
不太會(huì)吧，太低，就是你的體積小不下來啊
軍長，請(qǐng)幫小弟下面這個(gè)是什么問題呢
小弟近日做了一個(gè)DCDC，輸入12-20V，共10個(gè)輸出繞組，輸出均為4V
變壓器參數(shù)為初級(jí)電感70uH，漏感300nH，初級(jí)匝數(shù)12匝，次級(jí)4匝
選用MOS型號(hào)為IRL540，VGS(th) min為1V，max為2V，用4V電壓驅(qū)動(dòng)
現(xiàn)在出現(xiàn)了兩個(gè)問題：
1. MOS發(fā)熱嚴(yán)重，燙手 當(dāng)輸入提高到12V時(shí)，燙的厲害，不知此處發(fā)熱主要是開關(guān)損耗還是導(dǎo)通損耗
2. Vds尖峰很高，RCD無法吸收，R：10K，C：4.7nF
另外因?yàn)樵趯?shí)驗(yàn)，所以僅采用了一路輸出，其他輸出繞組懸空，不知是否有影響
MOS驅(qū)動(dòng)如下圖：
Vds波形如下圖：
下圖中黃色為RCD中C兩端波形：
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