哦,是聽(tīng)錯(cuò)了.原來(lái)是從reliable MTBF上說(shuō)的,磁反饋壽命更長(zhǎng).

是的,由于光藕存在壽命短的問(wèn)題,現(xiàn)在新模塊都不贊成用光藕,我也在關(guān)注這一塊.,power electronics這本書(shū)上也提到了磁反饋.

有很清楚這方面的高手請(qǐng)多指點(diǎn).

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壽命短是肯定的;我只是知道在航天上面,因?yàn)榭馆椩氲膯?wèn)題,不選擇光耦是有道理的.但是磁反饋我沒(méi)有做過(guò),但是知道速度應(yīng)該不如光耦,價(jià)格也貴.
shower,你說(shuō)的那本書(shū)上怎么講的呢?

INTERPOINT的模塊是怎么做的?

第二代基本都是磁反饋的;因?yàn)閼?yīng)用領(lǐng)域不同,對(duì)可靠性要求更高,比如壽命、穩(wěn)定性等等,所以選擇磁反饋.但是不能就說(shuō)光耦反饋不好.

不是指變壓器的輔助線圈吧?如果這樣精度不高的呀.
有沒(méi)有這方面的資料?

光偶在高溫下的誤動(dòng)作與其三極管側(cè)的穿透電流在高溫下變大有關(guān).磁反饋要可靠得多.

不是;是輸出側(cè)的控制反饋回路.從secondary VCC取樣的.

有沒(méi)有應(yīng)用的電路圖?

光耦在我的印象里溫度越高,傳輸比越小.

是,我覺(jué)得光耦的很大的缺點(diǎn)就在于此.

哎,那本書(shū)全英文的,還沒(méi)仔細(xì)讀過(guò)呢,我去好好看看

不過(guò)現(xiàn)在新一帶電源都是主張用磁反饋的

趕快研究吧;差不多了給大家講講.

書(shū)全名叫啥?

光耦在高溫下CTR會(huì)變小,而且其它的原因,比如老化也會(huì)影響CTR.
變得太小了會(huì)導(dǎo)致運(yùn)放飽和.

言之有理.莊主做過(guò)磁反饋的沒(méi)有?我沒(méi)有做過(guò)

也沒(méi)有用過(guò).
磁反饋的成本肯定會(huì)高,一般不會(huì)輕易用.

摟主做過(guò)嗎?可以發(fā)一些相關(guān)的資料上來(lái)大家分享嗎?

呵呵;沒(méi)有做過(guò).

有類似的資料嗎?

UC1901就是專門(mén)用于磁反饋的芯片

3901的精度好像不是很好,有沒(méi)有其他的方案,或者原理性的介紹的書(shū)啊, 在線等

留個(gè)記號(hào)~

踩個(gè)腳印,關(guān)注...

副邊控制,通過(guò)隔離驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)原邊.不需要反饋信號(hào)在原副邊傳遞.

這樣的話就必須準(zhǔn)備一個(gè)獨(dú)立的輔助電源,體積開(kāi)銷要增大啊~
一般需要磁反饋的地方都不太介意成本(比如軍用高可靠產(chǎn)品),當(dāng)很多應(yīng)用對(duì)體積都比較敏感的~這個(gè)問(wèn)題好像不太好解決~

是需要獨(dú)立的輔助電源,許多高功率密度的模塊也有獨(dú)立的輔助電源,我認(rèn)為這不是大問(wèn)題.大概一個(gè)RM5或RM6的磁芯不覺(jué)得很大.

這樣的話,次級(jí)控制的電源是否更適合中功率以上的應(yīng)用?我理解,因?yàn)樵谛」β蕬?yīng)用中(5~15W),感覺(jué)由于獨(dú)立的輔助電源不可能太復(fù)雜,因此損耗(特別是開(kāi)關(guān)損耗)就會(huì)比較大,這就會(huì)影響電源的效率.如果主電路采用的是象單管有源鉗位正激變換這樣的結(jié)構(gòu)的話,輔助電源的硬件開(kāi)銷就幾乎和主電路相當(dāng)了,感覺(jué)就不怎么劃算.不知道這樣理解對(duì)不對(duì).
我現(xiàn)在在作一個(gè)電源模塊的方案,原來(lái)也是想在次級(jí)控制,后來(lái)因?yàn)檩o助電源電路規(guī)模和主電路相差不多而改采用原邊控制.也可能是我沒(méi)有找到合適的輔助電源拓?fù)??或者有低成本的軟開(kāi)關(guān)控制器??輔助電源的問(wèn)題我曾經(jīng)郁悶了一段時(shí)間,最后放棄了次級(jí)控制.