不可能正常工作，需要重新調(diào)整電路。

感謝樓上兄弟的回復(fù)！ 講得很在理！

不過在工作于高壓升壓時，是工作在LLC模式下的，也試了其它變形后的電路，仍就無效。

做這么寬范圍電壓輸出。。要求肯定很高的。。。。建議用推挽去做。。。。

樓主計算一下MOS功率器件承受的啟動電流脈沖是不是差別很大啊？

全橋嘛，關(guān)鍵是平衡，當(dāng)突然施加負(fù)載時，假設(shè)A1和B2在導(dǎo)通狀態(tài)，再大的功率都可以承受，可是，當(dāng)這一組開始截止到完全截止的時候，DV/DT的問題就出來了，直接影響到A2和B1組的導(dǎo)通。

炸管的時候管子沒有發(fā)熱的跡象，多數(shù)是開機的時候損壞。

解決辦法，在MOS上并聯(lián)更大電流的超快恢復(fù)二極管，適當(dāng)調(diào)整RCD電路。

以上言論僅代表個人看法，實際案例可能與樓主的現(xiàn)象存在差異。

謝謝您的分析！

我所遇到的也多是開機不久就損壞，我會按您的方法去試一下。

按圖所示，LA LB取50uH，并限制占空比，適當(dāng)降頻至80KHz，炸管有所好轉(zhuǎn)，但仍很脆弱。

MOS FET并08TB60超快管，對炸管問題基本無效。

次級電壓很高，且是高頻，可能會通過分布參數(shù)的共模耦合串入原邊，導(dǎo)致MOS上的電壓遠(yuǎn)高于其承受能力。建議監(jiān)控MOS的電壓，同時測一下變壓器原邊是否存在共模電流。
高頻變壓器的漏感越小，原副邊的耦合越緊密，耦合電容相應(yīng)增大，對于副邊高壓的應(yīng)用未必很好。