TI的低壓MOSFET用在同步BUCK電路中,如何避免上下管的直通情況發(fā)生?
【問】TI的低壓MOSFET用在BUCK電路中,如何避免上下管的直通情況發(fā)生?
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如果是同步整流的BUCK電路,驅(qū)動做不好的話,的確會存在上下管直通的情況發(fā)生,要想解決這幾個問題,要做到以下幾點
1、合理的上下管導(dǎo)通死區(qū)時間,如果太小就會存在直通的可能導(dǎo)致炸管,如果太大,對電源的整體效率提升有負(fù)面作用
2、合理的選擇上下管的驅(qū)動電阻,太大會影響驅(qū)動功率,以及電源的整體效率,太小就會影響EMI以及會造成直通的可能,還有就是上下管的尖峰問題
3、注意電路的layout,因為布線引起的分布電感(特別是大電流回路)會產(chǎn)生大量的尖峰,嚴(yán)重影響電路的EMI跟效率,嚴(yán)重時會導(dǎo)致下管的誤導(dǎo)通
4.選擇合適的MOSFET,主要關(guān)注的是Qrr跟body diode 的trr
以上供你參考
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@心中有冰
如果是同步整流的BUCK電路,驅(qū)動做不好的話,的確會存在上下管直通的情況發(fā)生,要想解決這幾個問題,要做到以下幾點1、合理的上下管導(dǎo)通死區(qū)時間,如果太小就會存在直通的可能導(dǎo)致炸管,如果太大,對電源的整體效率提升有負(fù)面作用2、合理的選擇上下管的驅(qū)動電阻,太大會影響驅(qū)動功率,以及電源的整體效率,太小就會影響EMI以及會造成直通的可能,還有就是上下管的尖峰問題3、注意電路的layout,因為布線引起的分布電感(特別是大電流回路)會產(chǎn)生大量的尖峰,嚴(yán)重影響電路的EMI跟效率,嚴(yán)重時會導(dǎo)致下管的誤導(dǎo)通4.選擇合適的MOSFET,主要關(guān)注的是Qrr跟bodydiode的trr以上供你參考
冰版你好,
現(xiàn)在我在做一個60V100A輸出的電源,輸入是100V的。
現(xiàn)在懷疑是下管恢復(fù)時上下管直通的問題,發(fā)熱嚴(yán)重
能推介一款適合做此的管子嗎?
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