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  • 【問】TI的低壓MOSFET用在BUCK電路中,如何避免上下管的直通情況發(fā)生?

【問】TI的低壓MOSFET用在BUCK電路中,如何避免上下管的直通情況發(fā)生?

TI的低壓MOSFET用在同步BUCK電路中,如何避免上下管的直通情況發(fā)生?
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2012-06-07 00:05

如果是同步整流的BUCK電路,驅(qū)動做不好的話,的確會存在上下管直通的情況發(fā)生,要想解決這幾個問題,要做到以下幾點

1、合理的上下管導(dǎo)通死區(qū)時間,如果太小就會存在直通的可能導(dǎo)致炸管,如果太大,對電源的整體效率提升有負(fù)面作用

2、合理的選擇上下管的驅(qū)動電阻,太大會影響驅(qū)動功率,以及電源的整體效率,太小就會影響EMI以及會造成直通的可能,還有就是上下管的尖峰問題

3、注意電路的layout,因為布線引起的分布電感(特別是大電流回路)會產(chǎn)生大量的尖峰,嚴(yán)重影響電路的EMI跟效率,嚴(yán)重時會導(dǎo)致下管的誤導(dǎo)通

4.選擇合適的MOSFET,主要關(guān)注的是Qrr跟body diode 的trr

以上供你參考

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javike
LV.12
3
2012-06-07 09:07
和MOS的主要關(guān)系不大,主要是驅(qū)動IC要預(yù)留合適的死區(qū)時間,其次是要注意PCB layout。
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2012-06-07 09:58
@javike
和MOS的主要關(guān)系不大,主要是驅(qū)動IC要預(yù)留合適的死區(qū)時間,其次是要注意PCBlayout。

呵呵,這個跟MOSFET的關(guān)系太大了?。?!甚至是主要的問題。

我有這個方面的資料,由于有版權(quán)問題,不方便發(fā)上來,但第4點非常重要

0
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javike
LV.12
5
2012-06-07 10:06
@心中有冰
呵呵,這個跟MOSFET的關(guān)系太大了?。。∩踔潦侵饕膯栴}。我有這個方面的資料,由于有版權(quán)問題,不方便發(fā)上來,但第4點非常重要
預(yù)留死區(qū)就可以了吧,MOS管的恢復(fù)時間肯定是有的,死區(qū)就是為了防止MOS管開關(guān)瞬間的恢復(fù)時間內(nèi)直通
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2012-06-07 10:54
@javike
預(yù)留死區(qū)就可以了吧,MOS管的恢復(fù)時間肯定是有的,死區(qū)就是為了防止MOS管開關(guān)瞬間的恢復(fù)時間內(nèi)直通

死區(qū)太長對效率影響很大!我在上面第一點有說明

主要是流過body diode的電流會造成較大損耗

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2014-11-14 11:08
@心中有冰
如果是同步整流的BUCK電路,驅(qū)動做不好的話,的確會存在上下管直通的情況發(fā)生,要想解決這幾個問題,要做到以下幾點1、合理的上下管導(dǎo)通死區(qū)時間,如果太小就會存在直通的可能導(dǎo)致炸管,如果太大,對電源的整體效率提升有負(fù)面作用2、合理的選擇上下管的驅(qū)動電阻,太大會影響驅(qū)動功率,以及電源的整體效率,太小就會影響EMI以及會造成直通的可能,還有就是上下管的尖峰問題3、注意電路的layout,因為布線引起的分布電感(特別是大電流回路)會產(chǎn)生大量的尖峰,嚴(yán)重影響電路的EMI跟效率,嚴(yán)重時會導(dǎo)致下管的誤導(dǎo)通4.選擇合適的MOSFET,主要關(guān)注的是Qrr跟bodydiode的trr以上供你參考

冰版你好,

現(xiàn)在我在做一個60V100A輸出的電源,輸入是100V的。

現(xiàn)在懷疑是下管恢復(fù)時上下管直通的問題,發(fā)熱嚴(yán)重

能推介一款適合做此的管子嗎?


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