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加大驅(qū)動(dòng)電阻EMC好了很多

整改了一個(gè)EMC不能過(guò)的電源，加大了驅(qū)動(dòng)MOS的阻值 ，測(cè)試全部OK，但理論上卻想不通，在有加大過(guò)后，效率也低了2個(gè)點(diǎn)。
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asouth
LV.8
2
2012-07-09 15:01

原來(lái)多大？現(xiàn)在又改成了多大？

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jetweel
LV.4
3
2012-07-09 16:54
@asouth
原來(lái)多大？現(xiàn)在又改成了多大？

原來(lái)10歐，還改為47歐

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hanww2006
LV.4
4
2012-07-09 17:51

測(cè)試MOS門(mén)極對(duì)地波形了嗎？

你加大驅(qū)動(dòng)電阻，MOS的開(kāi)工管段都變慢了，Vgs的斜率也變小了，所以干擾就變小了，但同時(shí)，驅(qū)動(dòng)變慢導(dǎo)致的就是MOS的開(kāi)關(guān)損耗增加了，就是你所說(shuō)的效率降了2%，可以考慮用更好的管子彌補(bǔ)。

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2012-07-09 18:29
驅(qū)動(dòng)MOS的電阻建議不要用的太小，太小了容易在CS腳產(chǎn)生負(fù)壓，
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jetweel
LV.4
6
2012-07-09 18:40
@hanww2006
測(cè)試MOS門(mén)極對(duì)地波形了嗎？你加大驅(qū)動(dòng)電阻，MOS的開(kāi)工管段都變慢了，Vgs的斜率也變小了，所以干擾就變小了，但同時(shí)，驅(qū)動(dòng)變慢導(dǎo)致的就是MOS的開(kāi)關(guān)損耗增加了，就是你所說(shuō)的效率降了2%，可以考慮用更好的管子彌補(bǔ)。

是不是可以這樣理解，MOS關(guān)斷變慢了，D極的尖峰波形就變小了？

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jetweel
LV.4
7
2012-07-09 18:41
@jetweel
是不是可以這樣理解，MOS關(guān)斷變慢了，D極的尖峰波形就變小了？
所以EMC就會(huì)??？
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shtjsd
LV.4
8
2012-07-09 19:30
@天空skydai
驅(qū)動(dòng)MOS的電阻建議不要用的太小，太小了容易在CS腳產(chǎn)生負(fù)壓，

樓上說(shuō)的是在MOS的GS上產(chǎn)生負(fù)壓？

是不是因?yàn)殛P(guān)斷MOS時(shí)，驅(qū)動(dòng)線路中的電感導(dǎo)致的？

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MORNSUN?
LV.1
9
2012-07-09 21:39
增加驅(qū)動(dòng)電阻會(huì)讓MOS管的VDS上升斜率變小，這時(shí)干擾就會(huì)變得??；但同時(shí)由于開(kāi)通時(shí)間變慢，這時(shí)會(huì)增加MOS管驅(qū)動(dòng)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。
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mko145
LV.8
10
2012-07-09 23:02
需要在 EMC和效率之間權(quán)衡一下 ~
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asouth
LV.8
11
2012-07-10 09:48
@jetweel
原來(lái)10歐，還改為47歐

多大功率的電源？用了什么MOS管？

 

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w00d
LV.4
12
2012-07-10 10:29
@hanww2006
測(cè)試MOS門(mén)極對(duì)地波形了嗎？你加大驅(qū)動(dòng)電阻，MOS的開(kāi)工管段都變慢了，Vgs的斜率也變小了，所以干擾就變小了，但同時(shí)，驅(qū)動(dòng)變慢導(dǎo)致的就是MOS的開(kāi)關(guān)損耗增加了，就是你所說(shuō)的效率降了2%，可以考慮用更好的管子彌補(bǔ)。

用更好的管子替代的話也就讓開(kāi)關(guān)的沿變得很直了，這又會(huì)讓EMC過(guò)不了，呵呵，所以這是一個(gè)矛盾，效率和EMC不可兼得。

樓主可以用下空心磁珠穿在MOS管和二極管的引腳上試試，也許可以有所改善。

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e3c.tw
LV.2
13
2012-07-10 10:59
@mko145
需要在EMC和效率之間權(quán)衡一下~

目前 IC Driver 的能力，即使電阻擺到 200ohm 對(duì)效率的影響也不會(huì)很大，是會(huì)有些微影響！

Driver 改大，理論上 dv/dt, di/dt 變小，對(duì) EMC 本來(lái)就會(huì)有幫助！

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