在DC-DC電路設(shè)計(jì)中，相信大伙都見過芯片手冊推薦電路圖中的“自舉電容”，如下所示：

如上圖所示，就是接在BOOT和SW管腳之間的一個(gè)電容，一般情況下，常用0.1uF即可滿足要求。那加這個(gè)電容的作用是什么？先來了解一下基本概念：自舉電容其核心的作用就是通過電容充放電過程，把低側(cè)電壓與電源疊加形成更高的驅(qū)動(dòng)電壓，主要用于控制高側(cè)功率器件（比如MOS管）的柵極，使之順利導(dǎo)通。可能對于一些初學(xué)者來說，上面這段話過于抽象了，那我們換個(gè)角度去思考。

我們嘗試從DC-DC的基本拓?fù)鋪碚归_，可能大伙更容易接受。

（1）使用PMOS搭建的電源拓?fù)洌缦聢D所示：

從上圖可以知道，要使MOS管導(dǎo)通，只需要滿足輸入的PWM為低電平（0V）即可（Vgs<0）。那如果說把上圖中的PMOS更換成NMOS呢？會(huì)怎樣，如下圖所示：

那要想上圖中的NMOS管導(dǎo)通就需要滿足Vgs>0，那怎么樣才能讓PWM的電壓高于S極呢？這時(shí)候，加上自舉電容就能解決這個(gè)問題了。這個(gè)時(shí)候，有小伙伴就會(huì)問了，那么麻煩，直接用PMOS不就行咯！是的，直接用PMOS是沒有問題，市面上不用自舉電容的DC-DC芯片也是有的，比如TLV62569PDDCR，如下圖所示：

但從MOS管的生產(chǎn)工藝上看，PMOS的導(dǎo)通電流可以做不到很大，相同成本下，NMOS電流可以做到很大(Rdson相對較低)。我們以TPS54202DDCR內(nèi)部框架圖來舉例，如下圖所示：

上圖中我們可以看出是有兩個(gè)NMOS管的，一個(gè)在上面，一個(gè)在下面，分別稱為高側(cè)MOS管和低側(cè)MOS管。假如某一時(shí)刻低側(cè)MOS管導(dǎo)通了，那自舉電容會(huì)如上圖中的紅色路徑所示進(jìn)行充電，直到充到和Boot Charge一樣的電壓。而此時(shí)DC-DC芯片是處于續(xù)流的狀態(tài)，續(xù)流路徑如上圖黃色箭頭所示。輸出主要靠電感和電容維持。當(dāng)?shù)蛡?cè)MOS管被關(guān)閉時(shí)，要想讓高側(cè)MOS管導(dǎo)通，就必須滿足Vgs>0,而高側(cè)MOS的S極是接在SW（輸出端），G極是接在內(nèi)部的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器，而自舉電容直接并在BOOT和SW之間，在低側(cè)MOS管關(guān)閉，高側(cè)MOS管需要導(dǎo)通時(shí)，此時(shí)自舉電容就會(huì)向高側(cè)MOS提供導(dǎo)通能量，使之滿足導(dǎo)通條件Vgs>0，這樣，就可滿足下一個(gè)循環(huán)了。高側(cè)MOS管關(guān)閉時(shí)，下側(cè)MOS管導(dǎo)通，繼續(xù)為自舉電容進(jìn)行充電，然后下管MOS關(guān)閉，自舉電容放電，高側(cè)MOS導(dǎo)通。其實(shí)不單單是DC-DC電路中有用到自舉電容，驅(qū)動(dòng)電機(jī)的H橋驅(qū)動(dòng)電路中也同樣采用這種方式，原理都是一樣。