一. 可控硅的基本介紹
1.1 名稱：
可以控制的硅器件，又稱晶閘管、閘流晶體管，英文名THYRISTOR
1.2 分類：
A、單向可控硅 SCR (Silicon Controlled Rectifier）
（可以控制陽(yáng)極到陰極一個(gè)方向?qū)ǎ?/p>
B、雙向可控硅 TRIAC（Bi-directional thyristor ）
（可以控制陽(yáng)極與陰極之間兩個(gè)方向都能導(dǎo)通）
C、快速可控硅 FST (Fast switching thyristor)
（導(dǎo)通速度比較快的可控硅（>400Hz） ）
D、可關(guān)斷可控硅 GTO( Gate Turn-off thyristor)
（既可以控制導(dǎo)通，又可以控制關(guān)斷）
1.3 常用的封裝：
注意：
1.4 可控硅的極性
注意：
對(duì)于可控硅而言，T1和T2不同供應(yīng)商可能會(huì)標(biāo)識(shí)不同.
記憶方法：T1與G極同方向，判斷相位時(shí)電流流向T1為正.
二.TRIACS的優(yōu)缺點(diǎn)介紹
TRIAC是最便宜的交流靜態(tài)開關(guān)方案
TRIAC與傳統(tǒng)的繼電器相比較有以下優(yōu)點(diǎn)：
※沒(méi)有可活動(dòng)的部件
? 提高壽命及可靠性
? 抗震動(dòng)和擺動(dòng)能力強(qiáng)
? 無(wú)觸點(diǎn)震動(dòng)
? 無(wú)機(jī)械噪聲
※ 更容易用電子電路驅(qū)動(dòng)à脈沖觸發(fā)à達(dá)到節(jié)能的效果
需要注意的地方：
? 功率損耗：Triacs在實(shí)際工作時(shí)，導(dǎo)通時(shí)存在動(dòng)態(tài)阻抗，消耗能量，溫升難處理
? 因控制端和主回路端沒(méi)有隔離，所以在使用時(shí)可能會(huì)用可控硅光耦或者固態(tài)繼電器做隔離.
三.TRIACS的工作狀態(tài)及關(guān)鍵參數(shù)
3.1 OFF狀態(tài)
VDRM：加在可控硅兩端的正向重復(fù)峰值電壓（重復(fù)周期：10ms或8.3ms)
VRRM：加在可控硅兩端的反向重復(fù)峰值電壓（重復(fù)周期：10ms或8.3ms)
VDSM/VRSM：加在可控硅兩端的 正向/反向 非重復(fù)峰值電壓
VGD： 門極不觸發(fā)電壓.
dv/dt 的限制：元件的寄生電容提供了IGT的路徑.
dv/dt：實(shí)際的dv/dt超出規(guī)格書標(biāo)稱的靜態(tài)dv/dt，會(huì)出現(xiàn)誤導(dǎo)通. 對(duì)于元件本身是沒(méi)有危險(xiǎn)的
3象限的triacs具有非常高的dv/dt.
IGT越小，dv/dt能力越弱.
dv/dt是負(fù)溫度系數(shù)的，溫度越高，抗噪性越差.
如何抑制靜態(tài)dv/dt？
1.增加RC緩沖電路
注意：RC阻值不合理會(huì)導(dǎo)致漏電流過(guò)大，造成關(guān)閉調(diào)光器后，存在閃燈的情況.
2.增加?xùn)艠O阻容濾波器.
CGA1顯著降低了Triacs的 di/ dt 能力(Q2,Q3)
注意：Triacs禁止使用CGA1
抗EFT的能力
家電電器必須達(dá)到電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)的最低要求。因?yàn)殡p向可控硅通過(guò)負(fù)載直接連接市電，這類電器對(duì)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)中的電快速瞬變(EFT)實(shí)驗(yàn)所用瞬變事件特別敏感。
雙向可控硅內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作象限劃分
G和T2的電流流向T1為+，反之為﹣.
（根據(jù)G和T2流向TI的電流方向，判斷工作象限）
只有標(biāo)準(zhǔn)型的可控硅為是四個(gè)象限都可以工作的；