本節(jié)討論級聯(lián)型GaN工作原理，歡迎熟悉工作特性的朋友一起交流。

目前單體GaN耐壓十分有限，普遍做到200V，那么高壓領(lǐng)域該如何解決呢？隨之級聯(lián)型高壓GaN結(jié)構(gòu)提出，解決了高壓領(lǐng)域的應(yīng)用問題，目前可以達到900V。最具有代表的是Transphorm公司產(chǎn)品。

級聯(lián)結(jié)構(gòu)是利用低壓MOS和耗盡型GaN進行級聯(lián)，形成可以耐高壓的器件。

圖1 級聯(lián)器件等效模型

圖2 輸出伏安特性

那么為什么低壓Si MOS和常開型GaN級聯(lián)后就形成了耐高壓的器件呢？目前也有一些論文在研究級聯(lián)型GaN，但很少講述其工作特性。下面分享一篇論文中關(guān)于級聯(lián)型GaN的工作特性分析。這是偶然間發(fā)現(xiàn)的文章，感覺講的挺詳細，在這里分享給大家。

上述過程詳細分析了級聯(lián)GaN的工作特性，但是在Vds夾高壓時，Vgs=0時，器件正向阻斷特性是如何分析的呢（黃色標(biāo)記部分）？這里還是有一些模糊。如果對本部分感興趣的朋友，可以一起討論??！

【參考文獻】

Cascode型GaN功率器件的開關(guān)過程及損耗分析

需要閱讀全文的朋友可以自行下載文章研究。歡迎大家留言討論，或者發(fā)現(xiàn)更詳細講述級聯(lián)GaN的資料一起分享學(xué)習(xí)。