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精華問(wèn)答一（寬禁帶直播交流群）
緣分:
請(qǐng)問(wèn)一下，CAN芯片5腳懸空行嗎？CAN布線有講究不？
風(fēng)雨同舟:
有，高速的。
緣分:
用等長(zhǎng)或是不允許別線交叉。
風(fēng)雨同舟:
盡量布在輸出端。
省錢(qián)高手怪點(diǎn)點(diǎn):
不需要。
Dimon:
@緣分?你距離長(zhǎng)的話，串canh59Ω，串canl59Ω；距離短，懸空沒(méi)事，外界干擾多的話也建議加一下。
緣分:
往哪里加59？
Dimon:
5-6 5-7之間。
省錢(qián)高手怪點(diǎn)點(diǎn):
為啥59？
緣分:
5腳不是應(yīng)該接vcc/2電壓?jiǎn)幔?/span>
Dimon:
5角是個(gè)基準(zhǔn)電平，以這個(gè)基準(zhǔn)來(lái)解析canh和canl的電信號(hào)。@省錢(qián)高手怪點(diǎn)點(diǎn) canh 和canl 之間阻抗掛120Ω，為了匹配基準(zhǔn)電平，應(yīng)該是60Ω
省錢(qián)高手怪點(diǎn)點(diǎn):
那為啥是59不是60呢？
Dimon:
60Ω電阻不常見(jiàn)，不在標(biāo)準(zhǔn)電阻之列，用59居多。如果5腳懸空，canh和canl之間接120Ω。如果要引入5腳，就分別接120Ω的一半。
省錢(qián)高手怪點(diǎn)點(diǎn):
那如果總線上有10個(gè)設(shè)備呢？
Dimon:
理論做法是首尾加120Ω。實(shí)際就我個(gè)人來(lái)看，一般使用中每個(gè)節(jié)點(diǎn)都加，沒(méi)太大影響。
風(fēng)雨同舟:
公司串了5.1K電阻，阻值大小和 canh 、canl電壓有關(guān)吧？
Dimon:
看你節(jié)點(diǎn)數(shù)。120Ω都只是經(jīng)驗(yàn)值，還要算線長(zhǎng)啥的，反正我都不計(jì)算，直接掛兩個(gè)59Ω，計(jì)算是為了 更好的特征阻抗匹配，經(jīng)驗(yàn)值拿起來(lái)就用省事。@風(fēng)雨同舟?你說(shuō)的串5.1k是canh 和canl的上下拉電阻吧？常見(jiàn)的還有1k。canh和canl 之間一般都是120Ω左右 。就是系統(tǒng)計(jì)算也不會(huì)差別那么大，也許是我沒(méi)接觸過(guò)canh和canl之間串那么大的。
緣分:
用加TVS管嗎？
Dimon:
加tvs只是保護(hù)，通信總線，你不加不影響正常使用。
緣分:
是保護(hù)CAN芯片嗎？為什么SW_3V3用0歐電阻而不像其它那樣用磁珠呢？
電子白板專用電源:
實(shí)際就是為了EMI，布線而設(shè)定的。
緣分:
0歐電阻是為了EMI?
電子白板專用電源:
這個(gè)電路是為了EMI，0是為了布線不糊涂。3V3,SW_3V3 實(shí)際都是3.3V,GND，SW_GND，實(shí)際都是地。但是他們又不能交叉，所以用0歐姆最后接在一起。
緣分:
磁珠也是嗎？
電子白板專用電源:
磁珠也可以，但是磁珠還有另外的意思，濾波。這個(gè)電路應(yīng)該是用于ARM 系列的高速板。
精華問(wèn)答二（PSIM仿真技術(shù)交流群）
旅行zhai:
各位好！第一個(gè)是軟件里的電路PFC電感電流波形，第二個(gè)是我復(fù)制了一個(gè)，但是第二個(gè)PFC電感里的仿真波形就不對(duì)了，為什么？
Nemo:
仿真時(shí)間設(shè)置不同
August:
那個(gè)像時(shí)鐘一樣的也要一樣，左上角那個(gè)。
旅行zhai:
這個(gè)時(shí)間影響波形嗎？時(shí)間是不一樣。
August:
步長(zhǎng)要一樣。
旅行zhai:
我再重新設(shè)置一下。
精華問(wèn)答三（電源學(xué)習(xí)1營(yíng)）
王瑞 :
請(qǐng)教個(gè)問(wèn)題，在筆記本充電時(shí)，對(duì)于3S1P電池（標(biāo)壓11.5V）charge IC輸出給電池的充電電壓是多少？是13.2V（電芯滿充電壓4.4V*3）還是15V（5V*3）？謝謝
前任吉他手:
現(xiàn)在的鋰離子電池充電限制電壓4.4V居多，4.4x3=13.2V。鋰離子電池充電限制電壓有4.2V4.35V4.4V等幾個(gè)版本，具體看電池的技術(shù)規(guī)格書(shū)。
王瑞:
@張海濤-助理工程師-成都?感謝答復(fù)，不太理解的是，看華為/opo的手機(jī)charge IC給電池的都是5V（盡管電池也是4.4V的禁充電壓）
德考拉:
這個(gè)要看電池，電池的種類很多?？磸S家要求。
前任吉他手:
手機(jī)內(nèi)部有充電電源管理ic，會(huì)把5V降壓到4.4以下。不是所有手機(jī)的充電，都是5V，具體看手機(jī)的快充充電協(xié)議。
德考拉:
二極管有0.7v壓降。
緣分:
9v
德考拉:
說(shuō)的對(duì)，現(xiàn)在還有9 12的，12v
前任吉他手:
最終電池終端的電壓都是4.4V以下，你知道這個(gè)就OK
悠然山主:
5/9/12/15/18/20，主流充電頭，看你的充電協(xié)議。
王瑞:
@悠然山主?謝謝，請(qǐng)問(wèn)這是筆記本的嗎？
前任吉他手:
筆記本一般19.2V和20V居多，19.5V的也有。筆記本電腦19v19.5v20v比較主流，也有12V的。@王瑞?
王瑞:
感謝！
精華問(wèn)答四（Altium設(shè)計(jì)學(xué)習(xí)1營(yíng)）
緣分:
走線交叉處能加滴淚嗎？
Chu_yi:
可以的，用快捷鍵T+R進(jìn)入設(shè)置界面，然后選擇你要加淚滴的方式和樣式。
波浪濤濤:
英文模式下輸入，別用快捷鍵。
javike:
常規(guī)操作
Farmer_劉:
走線交叉處能加滴淚有好處，差點(diǎn)的銅箔不容易剝離。
緣分:
這個(gè)標(biāo)志要自已畫(huà)嗎？
繁星:
軟件是AD還是cadence
緣分:
Ad
繁星:
找個(gè)圖片用畫(huà)圖板改成黑白的PNG格式，在腳本里倒入就可以了。具體教程網(wǎng)上查一下，有很多。
緣分:
ok
精華問(wèn)答五（PSIM仿真技術(shù)交流群）
緣分:
這個(gè)二極管在這里有用嗎？
古月填作胡:
吸收線圈的反向電流。
緣分:
4148行嗎，用不用改肖特基？
只色不戒:
速度越快越好。
緣分:
快恢復(fù)二極管。
古月填作胡:
4148可以。
江玉霖:
感性器件需要續(xù)流。
昨夜星辰:
蜂鳴器的一端都接地了，這個(gè)二極管就沒(méi)必要了。
精華問(wèn)答六（電源網(wǎng)活動(dòng)福利群）
武略的朋友:
請(qǐng)教一下mos管的導(dǎo)通損耗如何計(jì)算，有例題最好。
王生-功率mos:
@武略的朋友?MOS規(guī)格書(shū)上都有，看耗散功率。
武略的朋友:
Mos的開(kāi)關(guān)損耗，這個(gè)一般都是要計(jì)算的。
張夜雨:
損耗 = 導(dǎo)通損耗 + 開(kāi)關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗 = I^2*Rd，開(kāi)關(guān)損耗：開(kāi)通過(guò)程損耗 + 關(guān)閉過(guò)程損耗
昨夜星辰:
這個(gè)算的其實(shí)也不準(zhǔn)，它的不同溫度下啊，RdS也不一樣。
張夜雨:
所以一般手冊(cè)上都給給一個(gè)測(cè)試條件，比如25度條件下的測(cè)試值。
武略的朋友:
@張夜雨?有公式?jīng)]？這需要量化。
張夜雨:
開(kāi)通過(guò)程和關(guān)閉過(guò)程的比較復(fù)雜，我還真沒(méi)認(rèn)真算過(guò)，一般就算了個(gè)導(dǎo)通損耗。
武略的朋友:
@張夜雨?謝謝。
武略的朋友:
開(kāi)通過(guò)程損耗和關(guān)閉過(guò)程損耗這兩個(gè)損耗怎么計(jì)算呀?@張夜雨?
張夜雨:http://www.elecfans.com/d/1008046.html，你參考一下。
武略的朋友:
謝謝。
精華問(wèn)答七（MOSFET學(xué)習(xí)2營(yíng)）
林國(guó)榮:
請(qǐng)教一個(gè)問(wèn)題，為什么開(kāi)關(guān)電路中，有些MOS管在關(guān)斷時(shí)DS尖峰電壓超過(guò)了他的耐壓值不出現(xiàn)異常，能吸收能量不大的尖峰，有些品牌的不行。是那個(gè)參數(shù)問(wèn)題，可以有效測(cè)試出來(lái)對(duì)比嗎？
國(guó)瓷電容(MLCC):
這個(gè)是芯片問(wèn)題，有些芯片抗壓能力超強(qiáng)。正常芯片>600V的應(yīng)該瞬間可以去到720的。
張碩:
我也有這個(gè)疑問(wèn)，耐不耐搞是不主要是續(xù)流二極管強(qiáng)不強(qiáng)啊
林國(guó)榮:
@國(guó)瓷電容(MLCC)?正常的超過(guò)自己的耐壓會(huì)鉗位的！
國(guó)瓷電容(MLCC):
這要看芯片設(shè)計(jì)，正如剛才張工所說(shuō)，續(xù)流二極管作用；有些芯片設(shè)計(jì)不一樣。其實(shí)可以把芯片剖開(kāi)，看看里面損壞為電壓還是電流還是其它因素，然后再來(lái)分析最好。
張碩:
謝謝。
林國(guó)榮:
怎么看是電壓損壞還是電流損壞？
吳享林:
邊緣柵極處有小的擊穿點(diǎn)基本上是電壓型損壞，中間有大面積擊穿的是電流型損壞。
林國(guó)榮:
奮斗:
可以理解這個(gè)是電壓損壞對(duì)嗎？@吳享林?
林國(guó)榮:
我們?cè)谶@個(gè)全橋電路中使用的IFR3205(國(guó)產(chǎn)代替品）
吳享林:
是的。
奮斗:
好的，謝謝。
豬:
我看著有大面積損壞，為啥不叫電流型損壞。
林國(guó)榮:
有可能電壓損壞后再大電流損壞！
奮斗:
并聯(lián)使用，只要一個(gè)電壓損壞了，其他的驅(qū)動(dòng)不會(huì)停，就是電流損壞。
精華問(wèn)答八（MOSFET學(xué)習(xí)2營(yíng)）
豬:
各位，數(shù)字電源和模擬電源中間為啥加了一個(gè)磁珠和電阻？
深圳市芯茂微電子:
抗干擾，EMC。
豬:
我之前見(jiàn)得都是加磁珠，為啥還加個(gè)電阻呢？
張碩:
那是虛線，你看這資料是不給你提供了參考電源的電路啊。
人到中年:
數(shù)字地干擾大，數(shù)字電路自身抗干擾好一些，模擬電路抗干擾差，用0歐電阻獨(dú)立分開(kāi)，兩種回路電流不互相影響，減少干擾
黃遠(yuǎn)鋒:
磁珠主要濾高頻10MHz以上，電阻抗低頻干擾，犧牲點(diǎn)效率。
豬:
好的，感謝。