降壓變換器是最常見的電源拓撲。其主要組件包括輸入和輸出電容器、開關(guān)（例如 MOSFET）和電感。這些設(shè)備的目標是調(diào)節(jié)輸出電壓。而上下管MOSFET只有與穩(wěn)壓器結(jié)合使用時才會發(fā)揮作用，它們會形成一個集成的降壓穩(wěn)壓器 IC。

選擇具有最佳電感的恰當IC 并不是很困難。要成功選擇與降壓變換器配合良好的電感，以避免過多功耗并提高效率，最關(guān)鍵是注意一些設(shè)計參數(shù)。

降壓變換器功耗與效率基本原理

通過降壓變換器及其基本部件的功能框圖，我們可以清楚了解哪些組件有助于提高效率，以及哪些參數(shù)應(yīng)予以考慮（見圖 1）。

圖1:降壓變換器基本原理圖

如果分解降壓變換器的效率和功耗，我們可以看到對功耗和效率影響最大的是 MOSFET 和電感，靜態(tài)電流和可調(diào)電阻則貢獻不多（見圖 2）。

圖 2：帶MPL-AL6060-150 15μH 電感的 MPQ4572 降壓變換器效率曲線

圖 3 顯示了帶 2A 負載的 24V 至 5V 降壓變換器效率分解圖。電感和 MOSFET 貢獻了870mW的功耗，而靜態(tài)功耗僅在總功耗上增加了900µW。為了實現(xiàn)最高效率并避免浪費能源，我們必須確保將最先進的開關(guān)元件與高性能電感相結(jié)合。

圖3: 降壓穩(wěn)壓器的效率分解圖

電感量(L)

根據(jù)經(jīng)驗，通常建議以 30% 至 40% 的紋波電流開始設(shè)計變換器。首先用公式 (1)計算出標稱電感 (L)：

其中 DC 為變換器占空比，VOUT為輸出電壓，fSW 為開關(guān)頻率，而?IL 為紋波電流。在本例中，輸入電壓為 24V，輸出電壓為 5V，紋波電流為800mA（平均 2A 負載），開關(guān)頻率為 500kHz。 根據(jù)這些數(shù)值，我們可以計算出典型電感值為 9.89µH。

紋波電流(?IL )

紋波電流 (?IL) 是疊加在平均負載電流上的低頻交流電流量，它流經(jīng)主功率電感并為輸出電容器 (COUT) 充電。紋波電流可以通過等式 (2) 來估算：

圖 4 展示的重要設(shè)計參數(shù)包括峰值電流 (IPEAK) 和平均電流 (IAVG)。平均電流是我們系統(tǒng)的預期負載電流，它與降壓變換器的輸出有關(guān)。紋波電流 ((?IL) 的一半被添加到平均負載電流上，形成峰值電流。對一個成功且高效的降壓變換器設(shè)計來說，其電感飽和電流 (ISAT) 必須超過峰值電流。

圖4: 平均負載電流上的紋波電流

圖 5 顯示了一個經(jīng)優(yōu)化的 24V 至 5V 降壓變換器示例，該變換器采用了MPS 的MPQ4572和一個 15µH電感 (MPL-AL6060-150)。其紋波電流圍繞 2A 負載電流振蕩，具有完美的三角波形。

圖 5：24V 降壓變換器的電感電流（藍色）和開關(guān)節(jié)點電壓（黃色）

飽和電流(ISAT)

現(xiàn)代電感中使用的鐵磁材料具有的物理特性是，匝數(shù)越多和電感 (L) 越高，飽和電流 (ISAT) 就越低。 圖 6顯示了一個典型的ISAT曲線圖。從中我們可以預期在 2A 負載電流下的有效電感為 13µH。

圖6: 飽和電流（ISAT）與電感電流（IL）之間的函數(shù)關(guān)系

當流過電感的電流增加時，電感會降低，作為一個電源設(shè)計人員，記住這一點很重要 。 溫度升高會降低有效電感。 根據(jù)電感中使用的技術(shù)、結(jié)構(gòu)和材料，飽和電流曲線可以穩(wěn)定至高達幾安培。

由于高效電感具有軟飽和特性，且降壓變換器IC 具有峰值電流限制等保護功能。 因此電感不可能選錯。即使電感過高或過低，我們?nèi)匀豢梢缘玫胶侠淼慕Y(jié)果。但是，飽和電流留有足夠的裕度很重要，因為裕度不足會導致系統(tǒng)效率低下，而較低的飽和電流會導致電感電流出現(xiàn)尖峰（見圖 7）。

圖 7：飽和電流過低的電感電流（藍色）和開關(guān)節(jié)點電壓（黃色）

額定電流(IR)和直流電阻(RDC)

另一個需要考慮的重要參數(shù)是額定電流 (IR)。 請記住，隨著電感的增加，額定電流 (IR) 會降低。再進一步，我們可以直接使用平均負載電流來估計有效溫升 (?T)。

由于銅繞組內(nèi)部的直流損耗，溫升與自熱直接相關(guān)。 這意味著直流電阻越低，自熱越低，電感的額定電流（IR）就越高。

在較小的封裝尺寸中，構(gòu)成電感線圈的漆包銅線直徑也很小。這會導致較高的直流電阻、直流損耗和較低的IR。因此，在封裝尺寸和額定電流之間選擇一個好的折衷方案，對于成功設(shè)計降壓變換器非常重要。根據(jù)經(jīng)驗，平均工作條件下，20°C 至 30°C 的溫升是較為可靠的起點（見圖 9）。另外，要保證EMC性能，PCB上的元件需要非常小，這樣才能讓熱回路也更小。

圖9: 額定電流曲線圖

匹配電感和降壓穩(wěn)壓器以獲得最佳效率

現(xiàn)在我們已經(jīng)了解了基本原理，要實現(xiàn)降壓變換器的最佳效率，我們需要選擇彼此性能匹配的一個穩(wěn)壓器 IC 和一個電感。 如果忽略電感的交流損耗和 MOSFET 的轉(zhuǎn)換損耗，則可以關(guān)注直流功耗。

任何導體的功耗 (PLOSS) 都可以用公式 (3) 來計算：

由于MOSFET 有開有關(guān)，因此開關(guān) MOSFET 的傳導損耗并不總是在整個開關(guān)周期內(nèi)累加。 當上管MOSFET (HS-FET) 導通時，其功率損耗要乘以占空比 (DC) 。通過比較電感的直流電阻 (RDC) ) 與MOSFET 的導通電阻RDS(ON)，我們可以取RDS(ON)的分數(shù)進行匹配。(RDC) ) 和(DC x RDS(ON))應(yīng)彼此接近。它們不需要完全相等，但在差值非常接近時（1mΩ以內(nèi)），我們可以得到很高的效率。

例如，對于 24V 到 5V 的轉(zhuǎn)換，占空比為VOUT / VIN = 0.208，這意味著 HS-FET 僅在 20.8% 的時間內(nèi)傳導電感電流。 也意味著傳導損耗僅占總傳導損耗的 20.8%。但是，下管MOSFET (LS-FET) 以 79.2% 的占空比傳導電感電流，即在大多數(shù)情況下都處于導通狀態(tài)。 這就是為什么大多數(shù)現(xiàn)代降壓穩(wěn)壓器都具有不同的MOSFET上下管開關(guān)比。

為了最大限度地降低損耗并實現(xiàn)尺寸、性能和成本之間的最佳折衷，首先需將電感的直流電阻與 MOSFET 的 RDS(ON)比率進行匹配。

由于現(xiàn)代降壓變換器的導通電阻范圍從數(shù)十到數(shù)百 mΩ，因此，采用圓形或扁平銅線以及模塑鐵氧體化合物的小型高導電功率電感，可以相匹配獲得最佳性能。

Conclusion

市場上有大量不同的電感，因此匹配合適的電感和降壓變換器將是一項挑戰(zhàn)。即使需要在尺寸、效率和成本之間做出妥協(xié)，但總有一款電感可以滿足我們最終應(yīng)用的技術(shù)和環(huán)境要求。

現(xiàn)代降壓穩(wěn)壓器 IC 和模塑功率電感都具有數(shù)十毫歐范圍的直流電阻和傳導電阻。確保所有電阻都在同一范圍內(nèi)將有助于在尺寸和效率之間實現(xiàn)最佳平衡。較大的封裝電感和 MOSFET 通常有助于降低功率損耗。然而，在一定的尺寸下，成本和 PCB 空間會迅速增加而無法顯著提高性能。 因此，針對必要的飽和電流 (ISAT)、額定電流 (IR)、電阻 ((RDC)) 和導通電阻 (RDS(ON)) ，通過合理的努力實現(xiàn)功率電感與降壓變換器的最佳匹配，這是獲得最佳性能的一種快速簡便的方法。