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杜佐兵
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電子產(chǎn)品-ESD設(shè)計(jì)分析1
電子產(chǎn)品-ESD設(shè)計(jì)分析2
電子產(chǎn)品-ESD設(shè)計(jì)分析3
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電子產(chǎn)品-ESD設(shè)計(jì)分析2

靜電不能被消除,只能被控制。

控制ESD的基本方法:

堵;

從機(jī)構(gòu)上做好靜電的防護(hù),用絕緣的材料把PCB板密封在外殼內(nèi),不論有多少靜電都不能到釋放到PCB上。

導(dǎo);

有了ESD,迅速讓靜電導(dǎo)到PCB板的主GND上,可以消除一定能力的靜電。

對(duì)于金屬外殼接地的產(chǎn)品我來(lái)分析一下ESD問(wèn)題;

先來(lái)分析金屬外殼的內(nèi)部電路及PCB的ESD的設(shè)計(jì);參考如下結(jié)構(gòu):

針對(duì)這些穿過(guò)電路板PCB的干擾:

一方面我們要規(guī)劃干擾在PCB上的路徑(注意這是在電路板-PCB布局布線是需要提前規(guī)劃的);另一方面要盡量控制干擾的幅度。

干擾電流為何會(huì)穿越PCB?

一定是PCB電路板一邊的連接線,輸入I/O線引入了干擾,干擾從另一邊的控制電路,功能單元,系統(tǒng)走線導(dǎo)向大地(參考接地板)!

如果引線都在PCB電路板的一邊會(huì)是啥情況?應(yīng)該可以大大提高抗擾能力。

絕大多數(shù)情況下做不到,四邊有引線是常見情況;引線多,整改難度相應(yīng)提高,不過(guò)還是有對(duì)策。

首先逐一插拔連接線,看看拔掉哪個(gè)接口或連接線可以提高抗擾度。如果可以找得到影響抗擾度的連接線或接口,我們可以直接跨接電容,把干擾旁路掉。

在對(duì)應(yīng)導(dǎo)線上套磁環(huán)可以減小干擾電流,也是措施之一。(我常用這種方法來(lái)指導(dǎo)客戶進(jìn)行問(wèn)題的判斷和分析;聽我講課的朋友都很了解?。?/span>

如果插拔接口或連接線沒(méi)有明確的發(fā)現(xiàn),就要規(guī)劃干擾路徑也就避免或者減少流經(jīng)敏感電路的干擾電流,例如避免干擾電流流經(jīng)CPU/MCU&控制電路及復(fù)位電路等;如上圖所示!

對(duì)于CPU/MCU,盡量使引腳處于高阻狀態(tài),阻止干擾電流流入!

CPU/MCU的輸出引腳,要串電阻并旁路電容,切不可引腳直通外部電路!

即便沒(méi)有干擾信號(hào),引腳直通也是不合理的,易引起CPU/MCU的故障損壞!

 

直接引起硬件復(fù)位的情況

注意,看門狗復(fù)位也會(huì)導(dǎo)致軟件死機(jī)需要重啟機(jī)復(fù)位。

硬件復(fù)位主要是兩個(gè)源頭:

A.電源電壓過(guò)低,CPU內(nèi)部電路產(chǎn)生了一個(gè)復(fù)位信號(hào);

B.復(fù)位引腳上有一個(gè)復(fù)位脈沖信號(hào)注入。

1.CPU/MCU電源線布線合理,退耦電容適當(dāng)布置,依靠ESD耦合過(guò)來(lái)的這點(diǎn)能量拉動(dòng)電源到復(fù)位電平的可能性比較小,不作優(yōu)先考慮。

2.復(fù)位引腳有干擾的情況比較多出現(xiàn),優(yōu)先考慮。

注意點(diǎn):

a)復(fù)位電路引線是否過(guò)長(zhǎng);

b)復(fù)位電路是否形成大圈;

c)芯片復(fù)位引腳是否接一個(gè)小電容到就近地;

d)復(fù)位信號(hào)有沒(méi)有供其他芯片使用;

e)有沒(méi)有用專用復(fù)位芯片。

布局得當(dāng)就不太容易產(chǎn)生硬復(fù)位,相對(duì)與重啟機(jī)還是比較容易處理的。

如果是a、b問(wèn)題,則在輻射抗擾度測(cè)試時(shí)也會(huì)產(chǎn)生復(fù)位。

基本措施:

靠近CPU復(fù)位引腳切斷復(fù)位信號(hào)線串1~10KΩ電阻,復(fù)位引腳對(duì)地就近并1~10nF電容。相對(duì)來(lái)說(shuō),直接硬復(fù)位干擾還是比較容易處理的。

軟件方面,需要確定的某個(gè)I/0口或控制信號(hào)受干擾引起誤動(dòng)作的情況。

由于ESD是瞬態(tài)干擾,持續(xù)時(shí)間非常短,重復(fù)讀取控制信號(hào)狀態(tài)基本上就可以排除干擾。注意增加的濾波電路也有可能起反作用,特別是磁珠與電容組合會(huì)展寬干擾電平,需要增加信號(hào)確認(rèn)時(shí)間,對(duì)于需要快速響應(yīng)的程序就要好好考慮一下。

A.確定的某個(gè)模擬量信號(hào)受干擾引起誤動(dòng)作的情況;先用硬件的方法進(jìn)判斷。

由于ESD是瞬態(tài)干擾,數(shù)字濾波程序運(yùn)用排除最大最小值的辦法就可以排除干擾。同樣,濾波電路會(huì)展寬干擾信號(hào),造成連續(xù)采到幾個(gè)干擾信號(hào),不能全部排除。

B.干擾引起硬復(fù)位的情況。主要有兩種情況會(huì)讓CPU/MCU復(fù)位,一個(gè)是復(fù)位引腳受干擾,另一個(gè)是電壓下降使上電判斷電路產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。

這些相對(duì)比較容易處理,增加電源電容、合理布線基本上可以解決問(wèn)題。

C.比較難處理的是死機(jī)或者死機(jī)引起的看門狗復(fù)位。

可能是任何引腳引入干擾的干擾,需要逐一排除,由于很少是單一引腳引入干擾,處理起來(lái)比較麻煩,如果結(jié)構(gòu)上或者外圍電路上沒(méi)有有效措施,電路板PCB布局布線重新做的可能性較大。

D.軟件敏感性,引腳阻抗,F(xiàn)lash芯片寫操作。ESD脈沖短,脈沖群也不長(zhǎng),未必與軟件敏感狀態(tài)重疊,所以測(cè)試驗(yàn)證時(shí)要充分考慮這些情況。硬件設(shè)計(jì)可以提高干擾強(qiáng)度,一定要注意軟件敏感環(huán)節(jié)。

電路板PCB干擾機(jī)理分析

1.金屬構(gòu)件是否會(huì)產(chǎn)生交大dv/dt,并耦合到臨近的敏感電路;

2.檢驗(yàn)放電通路是否由于寄生電感因di/dt產(chǎn)生感性耦合到敏感電路;

3.ESD通常是同時(shí)存在dv/dt及di/dt,一般dv/dt更容易產(chǎn)生耦合;

4.共模電流預(yù)規(guī)劃措施不佳,讓較多共模干擾電流流經(jīng)敏感電路;

5.敏感電路對(duì)地有較低共模阻抗,使較大共模干擾電流經(jīng)由敏感電路流向地。

流經(jīng)敏感電路的共模干擾電流不會(huì)消失,它同樣還要流回地,任何從敏感電路引出的導(dǎo)線都有可能是流經(jīng)敏感電路的干擾電流流回地的途徑;

6.共模干擾電流在敏感電路產(chǎn)生差模才會(huì)引起干擾,敏感電路有較大的阻抗不平衡,使流經(jīng)的共模干擾電流產(chǎn)生了差模電壓;

7.受干擾器件引腳阻抗過(guò)高;

8.器件受擾動(dòng)作閾值過(guò)低;

9.軟件未能分離機(jī)處理好瞬態(tài)干擾信號(hào)(或者是軟件算法有問(wèn)題);

 

電路板PCB干擾對(duì)策措施

A.考慮到dv/dt是源頭,可以優(yōu)化金屬構(gòu)件接地性能降低dv/dt,增加金屬構(gòu)件連接處緊固件數(shù)量、增加導(dǎo)線數(shù)量直徑縮短長(zhǎng)度、貼膜等有一些作用。

以500伏為單位,進(jìn)行測(cè)試,看看敏感放電電壓有沒(méi)有變化,進(jìn)行測(cè)試分析;

有較大改善則進(jìn)一步增加措施,直到模擬出實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

B.增加耦合距離減少耦合電容增加耦合阻抗,主要是比較貼近金屬構(gòu)件的導(dǎo)線、過(guò)于靠近金屬構(gòu)件的PCB走線。約束導(dǎo)線使之遠(yuǎn)離金屬構(gòu)件、插入聚四氟乙烯片、插入獨(dú)立屏蔽保護(hù)等可以達(dá)到一些效果。

C.分析共模干擾電流的路徑,增加敏感線路對(duì)共模干擾電流的阻抗,疏導(dǎo)共模干擾電流繞過(guò)敏感電路。實(shí)際措施一般就是串電阻并電容,電容一端一般連接到最近的地(也有連接到其他地方更好的情況)。

D.增加敏感電路對(duì)地共模阻抗降低敏感電路分流的共模干擾電流。

整理一下接口連接線,初步判斷哪些對(duì)地阻抗比較低。一般來(lái)說(shuō),電源線對(duì)地阻抗比較低,套磁環(huán)是一個(gè)增加阻抗的方法。有比較多引出線的情況下,增加電源線阻抗并不一定有效,甚至起反作用。

在其它控制/檢測(cè)連接出線上重復(fù)套磁環(huán)(小電流線可以考慮用電阻),測(cè)試改善效果。(推薦使用這種方法來(lái)進(jìn)行測(cè)試和改善!)

 

重點(diǎn)IC的干擾分析受干擾的部位已明確到具體的芯片引腳

例如:已知芯片的某個(gè)引腳上有信號(hào)變化,引起設(shè)備誤動(dòng)作。

對(duì)策措施

A.加強(qiáng)該引腳抗干擾措施,靠近引腳加對(duì)地旁路電容,干擾源阻抗較低的情況下需要串電阻;

B.對(duì)瞬態(tài)突變的檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行軟件濾波。

C.疏通敏感芯片各引腳(或者電路區(qū)域的進(jìn)出線)的對(duì)地連接,讓干擾電流繞過(guò)芯片(敏感電路),主要措施是旁路電容這同時(shí)有利于降低引腳的對(duì)地阻抗。

在干擾源阻抗比較低的情況下,單獨(dú)加旁路電容效果不佳,串電阻配合效果好。這是很好而且低成本的措施;注意在設(shè)計(jì)時(shí)就需要考慮到。

D.選用抗干擾性能比較好芯片,是比較有效的措施。

E.對(duì)于比較有特征的干擾信號(hào),特別是窄脈沖干擾信號(hào),軟件可以比較有效排除,且成本低。

上述措施互不排斥且互補(bǔ),擇有效且低成本的措施方案改善。

 

我在進(jìn)行電子產(chǎn)品實(shí)際電路設(shè)計(jì)中的ESD的設(shè)計(jì)措施:

1、雪崩二極管來(lái)進(jìn)行ESD保護(hù)。

這也是設(shè)計(jì)中經(jīng)常用到的一種方法,典型做法就是在關(guān)鍵信號(hào)線并聯(lián)一雪崩二極管到地。該法是利用雪崩二極管快速響應(yīng)并且具有穩(wěn)定鉗位的能力,可以在較短的時(shí)間內(nèi)消耗聚集的高電壓進(jìn)而保護(hù)電路板。

2、使用高耐壓電容進(jìn)行電路保護(hù)。

該做法通常將高耐壓的陶瓷電容或Y電容放置在I/O連接器或者關(guān)鍵信號(hào)的位置,同時(shí)連接線盡可能的短,以便減小連接線的感抗。若采用了耐壓低的電容,會(huì)引起電容的損壞而失去保護(hù)的作用。

3、采用鐵氧磁珠進(jìn)行電路保護(hù)。

鐵氧磁珠可以很好的衰減ESD電流,并且還能抑制輻射。當(dāng)面臨著兩方面問(wèn)題時(shí),一個(gè)鐵氧磁珠會(huì)時(shí)一個(gè)很不錯(cuò)的選擇。

4、火花間隙法。

這種方法是在一份材料中看到的,具體做法是在銅皮構(gòu)成的微帶線層使用尖端相互對(duì)準(zhǔn)的三角銅皮構(gòu)成,三角銅皮一端連接在信號(hào)線,另一個(gè)三角銅皮連接地。當(dāng)有靜電時(shí)會(huì)產(chǎn)生尖端放電進(jìn)而消耗電能。

5、采用LC濾波器的方法進(jìn)行保護(hù)電路。

LC組成的濾波器可以有效的減小高頻靜電進(jìn)入電路。

電感的感抗特性能很好的抑制高頻ESD進(jìn)入電路,而電容有分流了ESD的高頻能量到地。同時(shí),該類型的濾波器還可以圓滑信號(hào)邊緣而較小RF效應(yīng),性能方面在信號(hào)完整性方面又有了進(jìn)一步的提高。

6、多層板進(jìn)行ESD防護(hù)。

當(dāng)成本允許的情況下,選擇多層板也是一種有效防止ESD的一種手段。在多層板中,由于有了一個(gè)完整的地平面靠近走線,這樣可以使ESD更加快捷的耦合到低阻抗平面上,進(jìn)而保護(hù)關(guān)鍵信號(hào)的作用。

7、電路板外圍留保護(hù)帶的方法保護(hù)法。

這種方法通常是在電路板周圍畫出不加組焊層的走線。在條件允許的情況下將該走線連接至外殼,同時(shí)要注意該走線不能構(gòu)成一個(gè)封閉的環(huán),以免形成環(huán)形天線而引入更大的麻煩。

8、采用有鉗位二極管的CMOS器件或者TTL器件進(jìn)行電路的保護(hù)。

這種方法是利用了隔離的原理進(jìn)行電路板的保護(hù),由于這些器件有了鉗位二極管的保護(hù),在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中減小了設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。

9、多采用去耦電容設(shè)計(jì)。

這些去耦電容要有低的ESL和ESR數(shù)值,對(duì)于低頻的ESD來(lái)說(shuō),去耦電容減小了環(huán)路的面積,由于其ESL的作用使電解質(zhì)作用減弱,可以更好的濾除高頻能量。   

 

我再總結(jié)一下;對(duì)于電子產(chǎn)品/設(shè)備-電路板級(jí)的堵和導(dǎo)

電路板級(jí)的堵和導(dǎo)

1、增大PCB板材面積,以增加GND面積,增強(qiáng)其中和靜電的能力;成本或者差異化的堆疊讓我們做小。

2、實(shí)在很小的板子,則必須要有至少一層完整的GND層;并且要能夠跟電池地腳保持良好的連接;我們常常因?yàn)槌杀緹o(wú)法做到留出完整的地層。

3、很小的電路板,因?yàn)殡娐钒宓闹泻碗姾赡芰τ邢?,則要多考慮從整機(jī)上堵,少考慮導(dǎo)。

4、器件選擇上,要選用高耐壓ESD的器件;靜電保護(hù)器件在選擇時(shí)需要考慮其容性,避免不合適的容性導(dǎo)致其所保護(hù)信號(hào)線的信號(hào)本身的失效。

5、器件擺放時(shí),容易被ESD影響的器件,盡量罩在屏蔽罩中。

6、屏蔽罩必須保證有效而分布均勻的接地!要較為直接的接到主地上,盲孔直接結(jié)合埋孔;要四周分布均勻地接地。

7、對(duì)IO口和鍵盤等容易暴露的部分電路,必須增加靜電保護(hù)器件。

8、器件擺放上,必須遵守就近釋放的原則,ESD保護(hù)器件應(yīng)靠近IO和側(cè)鍵等擺放;其次是跨在中間路上;避免靠近芯片擺放;這樣能夠減少ESD脈沖信號(hào)進(jìn)入附近線路的瞬態(tài)耦合;雖然沒(méi)有直接的連接,但是這種二次輻射效應(yīng)也會(huì)讓其他部分工作紊亂。

9、Layout走線必須遵守有效保護(hù)的原則;走線應(yīng)該從接口處先走到TVS處,然后才能走到CPU等芯片處;遠(yuǎn)遠(yuǎn)地“掛”在信號(hào)線上的靜電保護(hù)器件,會(huì)因?yàn)橐€寄生電感過(guò)大而導(dǎo)致保護(hù)失效,讓保護(hù)形同虛設(shè)。

10、TVS管的接地腳與主地之間的連接必須盡可能的短,減小接地平面的寄生電感。

11、TVS器件應(yīng)該盡可能靠近連接器以減少進(jìn)入附近線路的瞬態(tài)耦合。雖然沒(méi)有到達(dá)連接器的直接通路,但這種二次輻射效應(yīng)也會(huì)導(dǎo)致電路板其它部分的工作紊亂。 

12、避免在板邊走重要的信號(hào)線;例如時(shí)鐘、復(fù)位信號(hào)。

13、主板上未使用的地方盡可能的鋪成地;并且連接到主地上;多鋪地減小了信號(hào)與地之間的間距,相當(dāng)于減小信號(hào)的回路面積。(該面積越大,所包含的場(chǎng)流量越大,其感應(yīng)電流也越大)

14、需要注意ESD對(duì)地層的直接放電有可能損壞敏感電路。在使用TVS二極管的同時(shí)還要使用一個(gè)或多個(gè)高頻旁路電容器,這些電容器放置在易損元件的電源和地之間。旁路電容減少了電荷注入,保持了電源與接地端口的電壓差。

15、電源走在主板中間比在板邊好;地布局在板中間比板邊好。

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