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#征文#保護(hù)電路之一:DC輸入電源防反接電路設(shè)計(jì)
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#征文#保護(hù)電路之一:DC輸入電源防反接電路設(shè)計(jì)

為防止電源使用者有意無意將輸入引線接錯(cuò)導(dǎo)致電源燒壞,一般的DC電源會(huì)在其輸入端加防反接電路,常見方式為串聯(lián)二極管(串1只或者2對(duì)管組成整流橋)或者并聯(lián)二極管(反接時(shí)短路使大電流流經(jīng)保險(xiǎn)絲,最終使保險(xiǎn)絲熔斷開路),這種保護(hù)方式簡(jiǎn)單粗暴,成本低,適用在小電流電路中。

原理圖放在下圖中。

但是這種電路放在大電流電路中并不適用,首先咱們計(jì)算下功耗,拿流過10A回路電流舉例,咱們選擇20A/100V的肖特基二極管和20A/100V的MOSFET作比較:1.查規(guī)格書(Diode規(guī)格書鏈接)中If vs Vf表格可知,Vf=0.72V@10A,所以二極管上功率P=Vf*If=7.2W;2.查規(guī)格書(MOS規(guī)格書鏈接)中Id vs Rds表格可知,Rds=0.03Ω@10A,所以MOSFET上功率P=If*If*Rds=3W。兩者功耗差別還是比較大的,因此在大電流電路中使用MOSFET設(shè)計(jì)防反接電路更加適宜。

使用MOSFET設(shè)計(jì)防反接電路的優(yōu)劣勢(shì)也比較明顯,優(yōu)勢(shì):導(dǎo)通時(shí)回路電流流經(jīng)DS,阻抗相當(dāng)于MOSFET的Rds(on),一般MOS的Rds都比較小,所以MOSFET的功耗很小,發(fā)熱量也較小,這樣就可以用較小的散熱器,有利于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品小型化;劣勢(shì):如果用戶將輸入端正負(fù)極接反時(shí),整個(gè)系統(tǒng)將不會(huì)工作。本人覺得使用的時(shí)候應(yīng)該具體情況具體分析,適合自己的才是最好的。

下面將介紹防反接電路架構(gòu),注意以下電路中MOSFET的接法,D接輸入端負(fù)極,S接后級(jí)負(fù)載端負(fù)極,工作原理:1.輸入端正接時(shí)(上正下負(fù)),由于MOSFET存在體二極管,所以上電初始階段S端被拉低,R1和R2分壓,其中R2上分得的電壓為MOSFET提供偏置使其DS導(dǎo)通,此后DS就像開關(guān)一樣被打開,維持穩(wěn)定工作;2.輸入端反接時(shí)(上負(fù)下正),DS不通,無法構(gòu)成回路,所以整個(gè)系統(tǒng)無法工作。

仿真結(jié)果(仿真使用IRFP250模型):

輸入正接:

輸入反接:

錯(cuò)誤接法如下圖,反接時(shí)起不到保護(hù)作用:

MOSFET有兩種接法,PMOS和NMOS,考慮到采購因素,我習(xí)慣性用NMOS多一些。同時(shí)也附上PMOS接法:

延伸電路:MOSFET在同步整流中的應(yīng)用,可以把變壓器輸出繞組看成為電壓源,和上述防反接電路是同樣的原理,控制芯片:OB2007MP(附規(guī)格書)

其余常用同步整流電路:

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  • dy-zNZgQeWE 2022-04-04 14:29
    謝謝分享
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