在過去幾年中，SiC MOSFET 在高壓 (>600V) 和大功率應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位。熱導(dǎo)率、高臨界場、大大提高的開關(guān)效率以及在其表面形成二氧化硅的能力等優(yōu)勢使其能夠在關(guān)鍵工藝、設(shè)計和可靠性方面得到改進(jìn)，從而使其能夠在一些高增長應(yīng)用中大規(guī)模使用，例如在用于車載充電器、牽引逆變器和直流到直流轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器、電機控制、運輸系統(tǒng)和電網(wǎng)的電動汽車。
早在 1990 年代，關(guān)于 GaN 的大多數(shù)研究都集中在藍(lán)色和最終白色 LED 和激光器的制造上。約 3.4 eV 的直接帶隙，通過金屬有機 CVD (MOCVD) 產(chǎn)生的異質(zhì)結(jié)層形成具有 Al、In、P 和量子限制的四元層的能力為此奠定了基礎(chǔ)。然后利用這項工作來利用高電子遷移率晶體管 (HEMT) 中實現(xiàn)的高電子遷移率和飽和速度來制造遠(yuǎn)優(yōu)于其硅對應(yīng)物的射頻器件。正是在 RF MMIC 領(lǐng)域，GaN PoweHEMT 工藝和設(shè)計技術(shù)得到了顯著改進(jìn)，如今，它們構(gòu)成了一些重要的通信、雷達(dá)和電子戰(zhàn)設(shè)備的主干，其中一些設(shè)備的額定頻率超過或等于 RF X - 頻帶頻譜（8.5 至 11 GHz）。
這些射頻設(shè)備的電壓范圍通常在 <200V 范圍內(nèi)。橫向 HEMT 器件相對于垂直 V-DMOS 具有天然的缺點，通常用于SiC MOSFET 以創(chuàng)建 HV 器件（代表性器件橫截面見圖 1 (a) 和 1(b)）。柵極和漏極之間的橫向漂移區(qū)中的高表面電場通常會限制高電壓限制，并且在塑造/降低電場的場板技術(shù)方面的一些進(jìn)步將允許提高該額定值。
圖 1 (a) GaN Power HEMT 器件結(jié)構(gòu)和圖 1 (b) SiC VDMOS 器件結(jié)構(gòu)
表 1 列出了 SiC 和 GaN 的一些關(guān)鍵材料特性。
表 1：SiC MOSFET 和 GaN Power HEMT 的一些關(guān)鍵材料特性。BFOM 是 Baliga 品質(zhì)因數(shù)
應(yīng)該注意的是，盡管文獻(xiàn)中引用的體 SiC 遷移率要高得多（~ 700 到 1000 cm2/Vs），但在 MOSFET 中獲得的遷移率要低得多，盡管這是由于 SiC/SiO2 處的陷阱位點界面。在形成器件傳導(dǎo)通道的 AlGaN/GaN 界面處形成的二維電子氣 (2-DEG) 上觀察并報告了 GaN Power HEMT 列出的遷移率。
從最初對射頻器件的關(guān)注開始，在 GaN 晶體管方面取得了巨大進(jìn)展，以提供 HV 功率 FET 范圍內(nèi)的器件。Transphorm、ST Microelectronics、GaN Systems、Cambridge、Innoscience、GaN Power International 和 Texas Instruments 等多家公司提供額定電壓為 650V 或更高的器件。從電壓的角度來看，這達(dá)到了一些 EV 應(yīng)用的最佳位置，例如 2 級車載充電器 (OBC) 和其他長期以來被認(rèn)為屬于 SiC 領(lǐng)域的應(yīng)用。GaN 提供更低的終端電容和更高的遷移率，允許器件縮放和更快、更高效的開關(guān)。沒有 pn 結(jié)也不會導(dǎo)致開關(guān)的反向恢復(fù)損失。傳熱和封裝成為關(guān)鍵限制，現(xiàn)在很多研究都集中在改善這一點。
下面的圖 2 和圖 3 說明了 GaN 在這些應(yīng)用中的擴展空間。
圖 2：GaN 在 SiC 功率 FET 領(lǐng)域的成長空間
圖 3：GaN Power HEMT 的電壓與頻率空間使用情況
GaN 的生長通常在 SiC 或 Si 襯底上進(jìn)行。緩沖層有助于緩解晶格失配造成的壓力。RF GaN 制造商通常選擇 GaN on SiC 方法，以利用 SiC 對高功率密度放大器的卓越熱能力。功率 FET 行業(yè)選擇了 GaN on Si 方法。硅襯底提供了一種更便宜的方法，也為 200 毫米晶圓制造提供了一條更簡單的途徑。Innoscience 在中國的 8 英寸 GaN on Si Fabs 已經(jīng)證明了這一點。
GaN Power HEMT 器件自然是耗盡模式器件（或 d 模式：常開，需要負(fù) Vgs 才能關(guān)閉）。對于大多數(shù)功率 FET 應(yīng)用，增強模式（或 e 模式：常關(guān)，0V 應(yīng)關(guān)閉器件）行為是必不可少的。為此，使用了兩種不同的方法。一方面，可以使用 p 型 GaN 或 AlGaN 柵極來修改勢壘高度，在該層下方創(chuàng)建一個耗盡區(qū)，從而創(chuàng)建一個常關(guān)器件。這種方法受到許多人的青睞，用于生產(chǎn) e-mode HEMT 器件。另一種方法是將 LV Si-MOSFET 與 GaN 器件串聯(lián)，如圖 4 所示。
兩種方法之間存在權(quán)衡。雖然單 e-mode 器件使用更簡單，使并聯(lián)器件更簡單，并提供出色的電容和反向恢復(fù)特性，但問題是由于 p-AlxGayN 的特性，很難實現(xiàn)遠(yuǎn)高于 1.5V 的閾值電壓層。這使門容易受到開關(guān)噪聲和雜散器件行為的影響。
圖 4：級聯(lián)排列的 GaN d 模式 HEMT
使用共源共柵方案獲得了更加穩(wěn)健的柵極，Vt 處于有利的≥ 2.5V 范圍內(nèi)。較高的柵極裕度可以實現(xiàn)更直接的柵極驅(qū)動器。
為了比較設(shè)備行為以及每種方法的優(yōu)缺點，下面的表 2 中給出了參數(shù)分析。在此分析中，選擇了四個器件，兩個 SiC MOSFET 和兩個 GaN Power HEMT。所有四個都具有大約 650V 的最大 Vds 工作電壓和大約 20 mOhms 的 25C Rdson 額定值。兩個 GaN 器件標(biāo)記為 G1 和 G2，而 SiC 器件標(biāo)記為 S1 和 S2。此外，器件 S2 和 G2 使用相同的封裝，因此在這種情況下可以忽略封裝引起的某些 AC 特性的差異。
表 2：2 個 SiC 器件 S1、S2 與 2 個 GaN 功率 HEMT 器件 G1、G2 的參數(shù)比較
關(guān)注的參數(shù)以黃色突出顯示，有利的參數(shù)以綠色突出顯示。顯而易見的是，具有單一 e 模式器件的 G1 提供了 GaN 的一個關(guān)鍵優(yōu)勢，即沒有反向恢復(fù)電荷 Qrr。然而，高得多的 I gss柵極泄漏也突出了較差的柵極裕度。另一方面，G2 具有良好的柵極裕度，與 SiC 非常相似，但 Qrr 相應(yīng)增加。
通常，較低的柵極電荷 Qg 在兩種 GaN 功率 HEMT 中都突出顯示。這可以顯著改進(jìn)硬開關(guān)應(yīng)用。
表 2 中突出顯示的 GaN 的一個明顯缺點是 Rdson 的溫度系數(shù)較差，在 150C 時 ≥ 25oC Rdson 的兩倍。也有人認(rèn)為，如果目標(biāo)是滿足某個 150oC 的 Rdson，則 GaN 器件實際上必須在 25oC 時有多余的裕量，并相應(yīng)增加芯片尺寸和柵極/輸出電容。Rdson 的增加使得更并行的設(shè)備方法更加關(guān)鍵。由于寄生元件種類繁多，特別是在級聯(lián)排列中，并聯(lián) GaN 器件可能會帶來挑戰(zhàn)。具有自適應(yīng)控制的集成柵極驅(qū)動器可能是一種可能的解決方案。