大家好，我是硬件微講堂。這是我的第50篇原創(chuàng)文章。為避免錯(cuò)過干貨內(nèi)容，一定記得點(diǎn)贊、收藏、分享喲。加微信hardware_lecture進(jìn)群溝通交流。

上篇文章中，關(guān)于米勒效應(yīng)仿真時(shí)，在米勒平臺期間漏極電流Id持續(xù)上升的問題，目前還沒有找到合理的解釋（或者哪里出了問題）。已經(jīng)把問題信號釋放出去，也請教了業(yè)內(nèi)的朋友?，F(xiàn)在是2023/2/26 23:12，我們暫且“讓子彈飛一會兒”，稍后再看效果。我們今天聊一位同學(xué)在群里問的問題，我覺得有意思，拿出來和大家分享下。

1、一道問題

如上圖所示，小明問：該電路，在A-B點(diǎn)間測量電阻，阻值應(yīng)該是多少？

具體電路如上圖所示，你覺得應(yīng)該是都是？最好能說出你的理由。

2、第一回合：眾說紛紜

起初，小明拋出問題后，群里討論的很熱鬧，眾說紛紜。有說一兩百的，有說幾百的，也有說510+Rdson，當(dāng)然也有質(zhì)疑通電不應(yīng)該測電阻的……

當(dāng)然，我也給出了“自以為的正確”答案：

①首先，明確題目所給條件不夠充分，沒有明確該MOS管的Vth。不確定柵極分壓后的2.5V，是否大于開啟電壓Vth；

②其次，按照常規(guī)應(yīng)用的思路，漏極不應(yīng)該懸空，應(yīng)該接有電壓。這個(gè)電壓會影響MOS管所處的工作區(qū)。

其實(shí)，按常理說我提的第二條也沒毛病。漏極電壓確實(shí)會影響MOS管的工作狀態(tài)。不清楚的同學(xué)可以翻看上一篇文章《關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)的疑問--求實(shí)錘》中的“MOS管３種工作狀態(tài)”小節(jié)。

但是，注意題目設(shè)定就是這樣。人家就是要漏極懸空，就是這么任性！

3、第二回合：意見聚攏

通過第一回合的討論，小明同學(xué)覺得有必要釋放一些關(guān)鍵信息。如下圖，給出MOS管的Vth參數(shù)典型值為1.2V，即柵極2.5V的分壓是足夠的。

在排除了Vgs<Vth的可能后，大家一直把爭議的聚集點(diǎn)聚焦在漏極電壓上：認(rèn)為漏極需要加電壓，會影響MOS的工作區(qū)。這點(diǎn)和我的思路類似。

這就像我們的生活，沒有那么多的應(yīng)該和不應(yīng)該，沒有那么多的如果和假如，有的只是現(xiàn)實(shí)。我們所能做的就是接受現(xiàn)實(shí)，并努力去改變，去提升！

這道題的題目設(shè)定就是懸空，那就需要按照懸空來考慮。而不是說，應(yīng)該給漏極加電源。這里，我和其他同學(xué)一樣，進(jìn)入了誤區(qū)，而且還不自知！

4、第三回合：揭曉謎底

小明見我們討論的方向要跑偏，把這個(gè)問題換一種問法：漏極（A端）不加電壓，MOS管導(dǎo)通不了？

自以為正確的我，此刻還在反問。小明此時(shí)給出了答案，A端懸空，MOS管可以導(dǎo)通。

此刻，我恍然大悟！這不就是在《Rdson對應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)？》（點(diǎn)擊文章標(biāo)題可直接訪問）文章中討論的拋開漏源電壓Vds，研究柵源電壓Vgs對導(dǎo)電溝道寬度的控制作用么？

在這個(gè)過程中，在Vgs驅(qū)動下，反型層已形成，導(dǎo)電溝道已存在。Vgs加大，導(dǎo)電溝道寬度增加；Vgs減小，溝道寬度就減小。柵源電壓Vgs對導(dǎo)電溝通到寬度有控制作用。而這個(gè)導(dǎo)電溝道就表現(xiàn)為一個(gè)電阻特性：Vgs變化，電阻變化；Vgs不變，電阻不變。

所以，這道題的正確答案應(yīng)該是510+Rdson(Ω)。

5、仿真數(shù)據(jù)

上面的討論，如果你覺得到此就結(jié)束，那你可能不太了解硬件微講堂的調(diào)性，咱們給出的結(jié)論必須要有數(shù)據(jù)支撐，所以仿真走一波！

如上圖，先搭建個(gè)電路。R3(510Ω)左側(cè)懸空，柵極由一個(gè)5V的電壓源做(10k/10k)分壓。A-B兩端掛一個(gè)歐姆表ZM1。

仿真電路搭建好后，開始仿真。在“T&M”--選擇“萬用表”--選擇“Ohm”檔，在Input會自動跳出來ZM1+和ZM1-?？墒牵Y(jié)果怎么是“600.61kohm”？

哪里出問題了？

經(jīng)過分析，原來是我選擇的MOS管的Vth超過了2.5V。經(jīng)過一番搜索，在器件庫里沒有找到Vth低于2.5V的MOS管，于是就把柵極掛的電壓從5V調(diào)整為8V。

再次進(jìn)行仿真，歐姆表讀數(shù)為510.28Ohm，符合理論分析。

7、總  結(jié)

先聊到這里，梳理下今天討論的內(nèi)容：

今天主要是針對小明提出的關(guān)于MOS管實(shí)際電路應(yīng)用問題進(jìn)行了討論，梳理了前后討論過程，并進(jìn)行了理論分析和仿真驗(yàn)證。所涉及的知識點(diǎn)難度不高，但卻具有一定的隱蔽性。

總的來說，這是一個(gè)不錯(cuò)的問題。也歡迎小張、小李、小王以及屏幕前的你……能多提類似的問題，相互交流，共同進(jìn)步。

怎么樣？一個(gè)簡短的問題，給出的回答可淺可深。我的助攻只能到這里，能否晉升到陸地神仙境，一劍開天門，就看你的造化了！

關(guān)注“硬件微講堂”，硬件路上不慌張！