關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，前面已經(jīng)發(fā)了2篇：
今天我們繼續(xù)繼續(xù)聊米勒效應(yīng)。
1、一道問題
照例，先拋出來一道問題：如果MOS管處于米勒平臺(tái)的區(qū)間內(nèi)，MOS管工作在哪個(gè)區(qū)？
A：恒流區(qū)；
B：可變變阻區(qū)；
C：部分在恒流區(qū)，部分在可變電阻區(qū)；
D：截止區(qū)；
題不大，但卻是真正考驗(yàn)基本功。要回答這個(gè)問題，需要從兩方面入手：
①搞清楚MOS管三個(gè)工作區(qū)的工作條件；
②搞清楚MOS管米勒平臺(tái)的變化歷程。
2、MOS管3種工作狀態(tài)
MOS管的3種工作狀態(tài)：截止區(qū)、恒流區(qū)(飽和區(qū))、可變電阻區(qū)，這個(gè)想必大家都知道。但光知道這個(gè)還不太夠，還需要清楚進(jìn)入相應(yīng)工作區(qū)的充分條件。
如上圖所示，Ohmic Region即為可變電阻區(qū)，Active Region即為飽和區(qū)，也叫恒流區(qū)，Cut-off Region即為截止區(qū)。由于MOS管為壓控型器件，只需要控制柵-源極電壓Vgs電壓，即可控制MOS管的導(dǎo)通。
當(dāng)Vgs<Vth時(shí)，MOS管處于截止區(qū)；
當(dāng)Vgs>Vth且Vds<Vgs-Vth時(shí)，MOS管處于可變電阻區(qū)；
當(dāng)Vgs>Vth且Vds>Vgs-Vth時(shí)，MOS管處于恒流區(qū)（飽和區(qū)）；
當(dāng)然上面的條件，我想很多同學(xué)都知道。但是我想讓同學(xué)們理解里面的含義，而不是單純地記憶公式。比如，可變電阻區(qū)的Vds<Vgs-Vth是怎么來的呢？
在Vgs>Vth的前置條件下，保證源極S側(cè)的導(dǎo)電溝道存在。再在漏極-源極間加入一個(gè)電壓Vds，要保證漏極D側(cè)的導(dǎo)電溝道也存在，就必須使得Vgd>Vth。這樣Vgs和Vgd都大于Vth，漏極S和源極D之間的導(dǎo)電溝道才會(huì)一直存在。
而Vgd等于Vgs+Vsd，可變換為Vgs-Vds。Vgd>Vth，即Vgs-Vds>Vth，則有：Vds<Vgs-Vth。
恒流區(qū)的Vds>Vgs-Vth就不展開解釋，具體可以參看《Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)？》，里面的解析比較詳細(xì)。
3、MOS管米勒平臺(tái)變化歷程
要搞清楚MOS管米勒平臺(tái)的變化歷程，不妨我們用TINA-TI做下仿真，結(jié)合仿真數(shù)據(jù)來分析變化過程。
①搭建MOS管的仿真電路，如下圖所示。還需要檢測柵源電壓Vgs、漏源電壓Vds和漏極電流Id。
VF1，監(jiān)測Vgs的電壓波形；
VF2，監(jiān)測Vds的電壓波形；
VF3，監(jiān)測驅(qū)動(dòng)源VG1的電壓波形；
AM1，監(jiān)測Id的電流波形。
②跑一下“瞬時(shí)分析”，看下整體的波形，如下圖所示。
如上圖所示，a點(diǎn)標(biāo)記的時(shí)間位置為2.05us。可以明顯看出：
①在a點(diǎn)前，漏極無電流Id；
②在a點(diǎn)后，漏極開始有電流Id(如AM1所示)，即MOS管開始導(dǎo)通；
該MOS管的開啟電壓Vth為2.93V，即為a點(diǎn)。
為方便進(jìn)一步觀察，將仿真結(jié)果進(jìn)一步放大，如下圖所示：
不知道屏幕前的你，看完上圖片有沒有什么疑惑。反正我是有疑問?。?！
如上圖紅框所示，Id在米勒平臺(tái)期間仍在上升。在米勒平臺(tái)結(jié)束時(shí)，漏極電流才達(dá)到最大值。這和我之前了解到電流變化趨勢不同。
上圖，相信很多同學(xué)在很多文章中都看過?；蛘咴诰W(wǎng)上搜一下“米勒效應(yīng)”，
隨便點(diǎn)開幾篇文章都有這幅圖片。在這幅圖中，可以明顯看出：漏極電流Id是在t2時(shí)刻達(dá)到最大值，在米勒平臺(tái)期間（t2-t3時(shí)間段）Id基本保持不變。這幅圖和仿真出來的結(jié)果相差很大。
期初，有懷疑這幅圖的正確性。幾經(jīng)努力，找到了這幅圖片的出處，源自安森美(Onsemi)的技術(shù)文檔《AN-9010_MOSFET Basic》（文末可以免費(fèi)獲取）。鑒于是大廠的技術(shù)文檔，暫時(shí)打消了我對(duì)其正確性的懷疑。
再次去查詢相關(guān)資料，在B站上看到一個(gè)視頻，是老外在講解米勒效應(yīng)，展現(xiàn)出來的實(shí)測波形，綠色的Id確實(shí)是在橙色的Vgs米勒平臺(tái)期間上升，基本在米勒平臺(tái)結(jié)束后Id到達(dá)最大值，如下截圖所示。
（圖片來自B站Eric老師發(fā)的視頻截圖）
仿真波形和實(shí)測波形可以呼應(yīng)，說明仿真數(shù)據(jù)沒有錯(cuò)。
這樣的話，仿真沒有錯(cuò)，Onsemi的圖也沒有問題，但是波形趨勢相差很大，那問題出在哪里呢？是誰的問題呢？
我暫時(shí)沒有想通，期待屏幕前的大神能幫忙撥開迷霧，指點(diǎn)迷津。
由于本文在仿真中遇到了暫時(shí)解釋不通的問題，所以在文章開頭提出的問題，暫時(shí)沒有得到驗(yàn)證解決。
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