最近閱讀到一篇關(guān)于GaN器件驅(qū)動(dòng)電路的文獻(xiàn)，不知文中的方法在實(shí)際中是否有使用的？如果有知道的朋友，歡迎留言說明目前的發(fā)展趨勢。

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這篇文章相對(duì)較新，但是該種方法已經(jīng)研究有好多年了。

下面直接進(jìn)入主題吧！

首先文中先說明了傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路在GaN器件運(yùn)用的弊端，傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路拓?fù)渑c工作時(shí)序如圖1所示。

傳統(tǒng)門極驅(qū)動(dòng)存在的問題有：

a． 在高頻應(yīng)用時(shí)， 傳統(tǒng)門極驅(qū)動(dòng)容易引起線路寄生電感和開關(guān)管輸入電容之間的振蕩， 超過 GaN器件的柵源耐壓值， 損壞 GaN 器件;

b． 傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路沒有低阻抗路徑箝位， 抗干擾能力較差， 開關(guān)電源的可靠性低。

然后基于上述缺點(diǎn)，提出了一種可為 GaN 器件提供可靠驅(qū)動(dòng)的電路。

緊接著說明了諧振驅(qū)動(dòng)的發(fā)展歷程。

針對(duì) GaN 器件自身的特點(diǎn)，對(duì)可靠的 ＲGD 電路有以下的要求: GaN 器件開通關(guān)斷時(shí)， 要有低阻抗路徑箝位， 增強(qiáng)抗干擾能力; 電感電流盡量采用脈沖式狀態(tài)， 可有效減小驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通損耗; 驅(qū)動(dòng)電源提供的能量能夠回收， 循環(huán)利用; 盡量采用結(jié)構(gòu)簡單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)， 減少有源器件的使用。

基于ＲGD2電路， 對(duì) 其 改 進(jìn) 得 到 一 種 適 用 于GaN Systems 公司的 GaN 器件的 ＲGD 電路， 其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖 4( a) 所示。圖中ＲGD 電路由 4 個(gè)輔助開關(guān)管 S1—S4 和 1 個(gè)諧振電感 Lr 組成，其中 S1 和 S3采用 P 型 MOSFET，S2 和S4 采用 N 型 MOSFET，Ciss為 Q 的等效輸入電容，VDD為ＲGD電路的驅(qū)動(dòng)電源。圖 4( b) 為 ＲGD 電路的主要工作波形。圖中 S1—S4為 4 個(gè)輔助開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，iLr 為流過諧振電感的電流，Vgs為Q 的柵源電壓。

文中并且詳細(xì)分析了諧振的工作過程。具體工作模態(tài)如圖5所示。

諧振原理分析完畢，并且文中運(yùn)用Buck變換器驗(yàn)證了提出驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)越性。具體實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證各位讀者可以參考原文獻(xiàn)。（文獻(xiàn)已上傳，歡迎點(diǎn)擊“資料 ”下載）

參考文獻(xiàn)

[1] 一種適用于 GaN 器件的諧振驅(qū)動(dòng)電路

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