大家好，我是電源漫談，很高興和各位一起分享我的第75篇原創(chuàng)文章，喜歡和支持我的工程師，一定記得給我點贊、收藏、分享。

大家好，我是電源漫談，眾所周知，由于沒有IGBT所具有的拖尾電流，SiC MOSFET可以比IGBT實現(xiàn)更高頻化，同時關(guān)斷損耗又不至于太高，有助于提高系統(tǒng)功率密度。

值得注意的是，開關(guān)速度在一定程度上取決于柵極電阻，包含芯片內(nèi)部和外部串聯(lián)柵極電阻，針對合適的系統(tǒng)級考慮選擇合適的外部柵極電阻。

芯片的內(nèi)部柵極電阻取決于材料的物理特性和芯片尺寸，芯片尺寸越小，則其柵極電阻越大，SiC MOSFET首先比Si MOSFET的尺寸小，所以一般來說，柵極電阻會變大一些，在芯片內(nèi)部柵極電阻確定的情況下，盡可能的選擇適當(dāng)外部柵極電阻，以抑制開關(guān)尖峰電壓的基礎(chǔ)上，盡可能減小開關(guān)損耗。

以1200V的MSC025SMA120B分立器件為例，我們可知其典型的柵極電阻為0.88ohm，相對較小，側(cè)面也印證出其內(nèi)部芯片尺寸較大。

圖1 典型SiC MOSFET的柵極電阻ESR參數(shù)

關(guān)于SiC MOSFET的柵極電阻的討論就到這里，下次再聊。

參考資料: 部分資料整理自網(wǎng)絡(luò)。