存儲器

    存儲器的基本結(jié)構(gòu)可以分為兩種：隨機存取存儲器（Random Access Memory，簡稱RAM）和只讀存儲器（Read-Only Memory，簡稱ROM）。

存儲器太多了五花八門的，接口也很豐富，I2C，SPI,串口，并口等等。

這個是課本上的51的內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)，涉及到匯編的知識，之前的老司機多數(shù)都是用的匯編編程，現(xiàn)在的編程語言豐富而繁多了，但是匯編直到今天還在用，涉及的底層邏輯清晰可見，編程相對來說簡單，就是寫起來繁多，這里就不贅述了，感興趣的伙伴重新看下匯編吧。

存儲其實指令操作比較多，硬件相對比較單一，我們就按照實際項目講解，存儲的硬件功能原理。

W25Q128JVSIG這顆料屬于SPI  nor FLASH, 128Mbit(16MB),8位數(shù)據(jù)總線寬度，NOR Flash是一種閃存類型，可以用于存儲程序代碼、固件、操作系統(tǒng)以及其他數(shù)據(jù)。閃存是一種非易失性存儲器,也屬于ROM.

NOR FLASH存儲原理：NOR Flash中的存儲單元由晶體管和電荷儲存區(qū)域組成，通過在晶體管的柵極和源極之間施加電壓，可以控制電荷的存儲和釋放，從而表示數(shù)據(jù)的0和1。

架構(gòu)特點：NOR Flash具有并行訪問結(jié)構(gòu)，這意味著每個存儲單元都有一個地址，并且可以直接訪問任何存儲單元。這使得NOR Flash具有快速的隨機訪問能力，適用于執(zhí)行代碼和讀取關鍵數(shù)據(jù)。

讀取操作：NOR Flash的讀取速度比較快，典型的讀取時間在幾十納秒到幾微秒之間。此外，NOR Flash具有低延遲，可以快速響應讀取請求。編程和擦除：與其他閃存類型相比，NOR Flash的編程和擦除操作較為簡單。

編程是指向存儲單元寫入數(shù)據(jù)，而擦除是將存儲單元中的數(shù)據(jù)擦除為全1狀態(tài)。NOR Flash支持按字節(jié)編程，這意味著可以直接在需要更改的位置寫入數(shù)據(jù)，而不需要整體擦除。引導存儲器：由于其較快的讀取速度和低延遲特性，NOR Flash常被用作引導存儲器。

在嵌入式系統(tǒng)中，引導存儲器用于加載啟動代碼和操作系統(tǒng)。通過在NOR Flash中存儲引導代碼，可以實現(xiàn)設備的快速啟動和穩(wěn)定運行。

NOR FLASH唯一一點就是比較貴，相對應的NAND FLASH,NAND 只是讀取速度比NOR慢，其他的性能基本優(yōu)于NOR，然后最大的優(yōu)勢是大容量下的性價比高，后面我會用一文單獨來寫DDR，這個是我們用的比較多的應用RAM。不過我們系統(tǒng)不太復雜的，用的比較多的還是小容量的，性價比高，還便宜的存儲器。

當然MCU啟動，離不開Boot，Boot是任何一款MCU都有的特性。首先應FLASH，從分類上來看應該屬于Parallel NOR FLASH，你的應用代碼都是保存在FLASH里，每次上電CPU會自動從FLASH里獲取應用代碼并執(zhí)行，這個行為就是Boot，網(wǎng)上應該有很多篇幅介紹了Boot的啟動方式和工作原理，這里就不班門弄斧了。

小結(jié)：

1.根據(jù)需求選取自己需要的元器件，一定要仔細查看規(guī)格書,元器件的電壓，電流，存儲空間，地址位，數(shù)據(jù)位，通訊接口和工作速度等等。

2.選取的存儲器要關注MCU的啟動方式，boot的選擇mode。