2020-12-15 23:52
來自專題：反激拓?fù)銻CD進(jìn)階分析
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- 在本專題的上一篇文章（http://www.e-ticket.cn/eestar/article-1217.html）中，作為RCD電路專題的第一篇文章，實際上完全沒寫RCD電路。在本文中，將寫一
- 反激電源的RCD吸收，對電源研發(fā)行業(yè)從業(yè)者來說是非常常見的電路，一般認(rèn)為為了處理反激電源變壓器漏感帶來的功率管電壓尖峰，需要通過RCD電路進(jìn)行處理。盡管十分常見，但是我還是決定寫一個專題的系列文章，初2020-12-09 23:10來自專題：反激拓?fù)銻CD進(jìn)階分析
- 這個專題的前面幾篇文章簡單寫了一些做高頻開關(guān)電源的難點： 制約開關(guān)電源頻率提升的局限是什么（一） 概述 制約開關(guān)電源頻率提升的局限是什么（二）功率半導(dǎo)體 制約開關(guān)電源頻率提升的局限是什么（三） 無源元2020-11-28 00:03
- 高頻開關(guān)電源控制電路的時間精度除了功率元件和拓?fù)?，控制電路也是開關(guān)電源的重要組成部分。電源工作頻率提高，即意味著電源控制部分對時間的控制精度也要提高——PWM類拓?fù)湟_的控制占空比寬度，調(diào)頻類拓?fù)?2020-11-21 01:14
- 高頻開關(guān)電源中的磁性元件讀過前面文章的讀者應(yīng)該有印象，在系列文章的前言中提到了開關(guān)電源設(shè)計時會采用AP法來選擇磁性元件的磁芯尺寸，并借以說明隨工作頻率的上升，磁芯體積會隨之下降。實際上，這個結(jié)論十分粗2020-11-13 18:58
- 寫在前面上一節(jié)內(nèi)容寫到了高頻開關(guān)電源的拓?fù)?，這一節(jié)主要寫開關(guān)電源中的功率半導(dǎo)體元件（可控硅、三極管、IGBT、MOSFET等）。各種功率半導(dǎo)體開關(guān)的局限常規(guī)的各種電源變換拓?fù)涠家蕾嚬β拾雽?dǎo)體元件做功率2020-11-04 21:46
- 寫在前面在開關(guān)電源這個行業(yè)干了十年了，做過的、熟悉的、了解的東西還比較多。這篇文章的內(nèi)容其實斷斷續(xù)續(xù)寫了很久，試著從多個角度寬泛而不深入的寫一下開關(guān)電源工作頻率受到的限制。結(jié)論性的內(nèi)容更多，論據(jù)較少，2020-11-04 21:45