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c1的選擇:一要滿足MOS源極電壓不超,二要滿足關(guān)斷瞬間足夠軟,在此前提下越小越好,太大則增加吸收網(wǎng)絡(luò)的電流和損耗,典型值1n,L2的選擇:理論上L2是一個(gè)理想電感,所有計(jì)算公式都是針對(duì)理想電感算出來(lái)的,包括軟開(kāi)關(guān)效果.然而實(shí)際電路中,除非你用空心線圈做,否則,由于L2流過(guò)的電流動(dòng)態(tài)特別大以及磁芯的非線性飽和特性,它的工況遠(yuǎn)不是一個(gè)理想電感了,而更接近一個(gè)飽和電感.遺憾的是,飽和電感很難用簡(jiǎn)單的算法求解.而實(shí)際上,對(duì)于軟開(kāi)關(guān)的工程目的,飽和電感的效果遠(yuǎn)比理想電感要好,具體用多大的飽和電感可以用仿真的辦法求解,它直接關(guān)系到開(kāi)通與關(guān)斷瞬間的軟特性,與C1聯(lián)合作用下,改變電感參數(shù),使開(kāi)通與關(guān)斷瞬間的瞬間功率小于安全上限并大致相等即可.典型值8*15mm磁通穿心1匝或2匝(根據(jù)磁心初始導(dǎo)磁率而定),需要指出的是,這個(gè)電感是要發(fā)熱的,要散熱(它的發(fā)熱量可以理解為采用軟開(kāi)關(guān)以后MOS減少的發(fā)熱量).C2的選擇:在最不利占空條件下能夠全充全放即可,與C1一個(gè)數(shù)量級(jí).