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樓主，能否發(fā)我一份精通開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)到我郵箱Lrh_gd@163.com,謝謝

賽爾康，但一部分也是給三星做的充電器。

FET開(kāi)慢點(diǎn)驅(qū)動(dòng)損耗大、效率低（Pgs=Vgs×Qg×fs  Qg=It=CissVsg)

歐洲能源標(biāo)準(zhǔn)不斷提高，超結(jié)MOSFET和低VF值的肖特基市場(chǎng)應(yīng)用應(yīng)該是一個(gè)大的趨勢(shì)；現(xiàn)在韓國(guó)的充電器已經(jīng)大量使用超結(jié)MOSFET。

想辦法降低漏感，選擇雪崩能量高的MOS，一般廠家600V的MOS電壓都會(huì)做到630以上。

[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/72/110591229072607.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

文工:你好!請(qǐng)幫我看下這個(gè)用SMD802做的原理圖,輸出19.2V,550MA效率很低,只有66%,MOS管很燙

這是個(gè)縮圖,可按CTRL+鼠標(biāo)中鍵進(jìn)行縮放

謝謝回復(fù),看得到呀

不好意思,我這里沒(méi)有實(shí)驗(yàn)設(shè)備,是沒(méi)有接地的二類設(shè)備.是做垂直和水平耦合板的間接放電測(cè)試不過(guò),謝謝