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呵呵,封片的其實(shí)也有辦法!

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你所說的高溫是指工作時(shí)的溫度還是實(shí)驗(yàn)的溫度?IR的數(shù)值大說明漏電流大!其它條件一定時(shí),IR隨溫度的增高而變大.

高溫75℃加反偏電壓老化80小時(shí)后用XJ4148圖示儀測(cè)試VR,VF,IR.

錢不多,但這口氣難咽!

老兄,最近我也有類似你這樣的遭遇,這些黑心老板......

weiwang888668@sina.com,weiking888668@hotmail.com

Vbe壓降的測(cè)試用UI9600就可以!

關(guān)于Vbe,不同的型號(hào)(或同型號(hào)不同芯片,同芯片不同的封裝廠家)其值也不一樣,不過Vbe大多在0.6-0.8V之間,相對(duì)來說Vbe越小越好!Vbe為負(fù)溫特性,三極管溫度每上升一度Vbe大約下降0.2mv.兩只相同的三極管在同一電路中,Vbe壓降小的Pc功率必然大過Vbe壓降大的,因?yàn)镻c功率與熱阻Rt相關(guān),Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt為熱租,Tj為三極管結(jié)溫度,Ta為一般指25度,Pc為三極管耗散功率).因此三極管的散熱片越大其功率也越大.同時(shí)Vbe也反映了三極管生產(chǎn)廠家的封裝工藝水平.

關(guān)于Vbe,不同的型號(hào)(或同型號(hào)不同芯片,同芯片不同的封裝廠家)其值也不一樣,不過Vbe大多在0.6-0.8V之間,相對(duì)來說Vbe越小越好!Vbe為負(fù)溫特性,三極管溫度每上升一度Vbe大約下降0.2mv.兩只相通的三極管在同一電路中,Vbe壓降小的Pc功率必然大過Vbe壓降大的,因?yàn)镻c功率與熱阻Rt相關(guān),Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt為熱租,Tj為三極管結(jié)溫度,Ta為一般指25度,Pc為三極管耗散功率).因此三極管的散熱片越大其功率也越大.同時(shí)Vbe也反映了三極管生產(chǎn)廠家的封裝工藝水平.