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大師應(yīng)該不是在說我吧，我可沒說過你的技術(shù)不靠譜。請問你所說的五代技術(shù)是不是指零電流關(guān)斷，零電壓開通？我可是很尊重技術(shù)的，我不會覺得自己的技術(shù)好了，別人的就差。你申請的專利我下載看了，分析了，仿真了，我也在貼中說了想法很好。我始終認為一山總比一山高，人如果自我封閉了，自負了自然不會進步。我再說DSP的問題，首先我們不關(guān)心它內(nèi)部多復(fù)雜，它肯定比intel的cpu簡單多了，280200賣7塊人民幣，能有多復(fù)雜。其次，它解決了什么問題，大家都知道器件參數(shù)一致性問題，也就是說器件是有容差的，這個會導(dǎo)致電源的一致性問題，比如輸出限流點，傳統(tǒng)的辦法是把余量做足，比如說限流點是額定的120%，但是多出20%是要付出成本的，或者你用高精度的器件，但那也是成本。而且現(xiàn)在高端的電源，客戶要求電源能上報電壓電流溫度故障信息等數(shù)據(jù)，精度要求還比較高，但是這些數(shù)據(jù)采樣都會受器件參數(shù)影響。假如用DSP，我們就可以在生產(chǎn)的過程中增加測試環(huán)節(jié)，把所有參數(shù)校準(zhǔn)一遍，這個跟儀器的校準(zhǔn)是一個道理，這個是幾乎不增加成本的。所以并不是說用dsp的人就不懂得用模擬電路。當(dāng)然dsp并不適合所有電源，這就好像寶馬用倍耐力的輪胎，五菱榮光也用倍耐力好嗎？最后強調(diào)，我認為你的技術(shù)很好，但是不是最好，我不知道。然后，我認為中國人做電源水平參差不齊，畢竟這個行業(yè)這么大，但不是說中國電源技術(shù)都差，現(xiàn)在艾默生易達powerone臺達都被中國電源公司打壓的不行，都在搞合并重組，難道只是因為中國電源便宜，而且會抄。就算抄，抄得好也是要有水平的。未來電源技術(shù)，主要在工藝上突破，國內(nèi)公司雖然起步晚，但是也在搞。

大師不要太悲觀，覺得國內(nèi)的電源技術(shù)就是抄。哪天你買個華為98的電源測下就知道，你所說的5代技術(shù)早就產(chǎn)品化了，解決的問題不止你說的那么多。而且DSP控制發(fā)揮了很多的作用，模擬和數(shù)字電源都做得好的人才知道DSP到底好在哪里。能想象50人的研發(fā)團隊賣出10億美金的產(chǎn)品嗎？其中DSP貢獻很大。對大公司來說，DSP的成本已經(jīng)不是問題。

對于運營商來說，只關(guān)心電費，管你發(fā)電過剩，我一次投資，一年收回成本，剩下9年都是賺的。現(xiàn)在電源還可以這么買，你出低效的錢，把沒年省下的電費和我提成。小公司當(dāng)然是自己賺錢就行，大公司講的是成就客戶，不然人家怎么選你做戰(zhàn)略伙伴。再說現(xiàn)在發(fā)電過剩了嗎？夏天還經(jīng)常錯峰用電呢。水電煤電都破壞環(huán)境，人家發(fā)達國家還收碳排放稅。華為用的是幾代技術(shù)？這個三代、五代也是你說的，業(yè)界可沒有人這么說。華為更不會附和你吧。我說過，華為的也是零電流關(guān)斷，零電壓開通，用的是普通coolmos，所有半導(dǎo)體器件可以在淘寶上買到，信息量夠大了吧，總不能告訴你是誰做的吧。

1、碳化硅不如MUR那才是笑話，你要是做50K頻率用碳化硅也是一個笑話。你用不用GaN和SiC是你的事，人家Cree一年那么多的晶圓出貨量擺在那，我只是想說半導(dǎo)體進步推動電源技術(shù)進步。SiC是笑話，那大家都一起看笑話吧。2、你的效率97%是什么條件測試的，我可是看到了，PF值什么都不管。華為的電源要是用400V的直流輸入那效率都99%了，400Vdc輸入也是工況之一，但人家宣傳的是230Vac輸入的效率，PF值>98,THD

半導(dǎo)體的未來是氮化鎵，當(dāng)然以后還會有更好的材料，半導(dǎo)體器件的進步遠大于電源技術(shù)的進步，應(yīng)該說，半導(dǎo)體的進步推動了電源技術(shù)發(fā)展。目前氮化鎵的電源成本可以做到和硅持平，但是新東西推廣有困難，連英飛凌都抗拒，因為會影響自家的業(yè)務(wù)，但是英飛凌已經(jīng)收購了IR并購買了松下的氮化鎵技術(shù)，很快就會推出產(chǎn)品。氮化鎵和SiC除了開關(guān)特性好，還有耐壓高的優(yōu)勢，現(xiàn)在1200V以上的SiCMOSFET商用，以前大家用3電平的也開始改用2電平了。今天大吹特吹的諧振技術(shù)實際上在上世紀70年代都有，不信的可以去找資料。原因是，70年代的開關(guān)管開關(guān)損耗很大，甚至只能零電流關(guān)斷。半導(dǎo)體進步后才有了硬開關(guān)變換器，接著大家追求高功率密度，提高了開關(guān)頻率，所以又有了軟開關(guān)，后面氮化鎵商用了估計又要回到硬開關(guān)技術(shù)，現(xiàn)在氮化鎵做軟開關(guān)頻率做到30Mhz的都有，但是磁性器件又成為另一個瓶頸。再來說你喜歡貶低的華為電源，好不好就看客戶買不買，難道客戶都是傻子嗎？五代技術(shù)，就算不計較成本能達到98%的效率？

看了大師專利，明白你的意思了，并聯(lián)一個電感并且利用諧振電容鉗位得到一個環(huán)流來實現(xiàn)MOSFETzvs。不錯！我估計你一直在解決的是控制問題。第5代功率電路一樣的嗎？

mos管上并電容是會減小關(guān)斷損耗，但是影響很小，0.01%量級的。勵磁電感電流導(dǎo)致效率低的原因不是關(guān)斷損耗，而是管子上的電流有效值帶來的損耗，除非開關(guān)管的裕量實在太大了或者開關(guān)頻率很高才會影響關(guān)斷損耗。上面的LC諧振只能工作在0電流吧？貌似無法0電壓，或者你的目的只是解決輕載問題，重載都在諧振點附近了。這個拓撲更適合用IGBT。華為的電源雖然有pfc，但是輸出電壓是43-58V可調(diào)的。如果穩(wěn)定的母線沒有意義，所以……

當(dāng)然coolmos的P6，cp，c7的開關(guān)速度是比c6，c3要快不少。前者是針對硬開關(guān)設(shè)計，不適合用在LLC。實際測試，llc并不適合用很快速度的開關(guān)管。這就是為什么大家喜歡用irf460之類，就是你說的coolmos容易炸，實際在今天coolmos成本和效率都很有優(yōu)勢。

我所說的coolmos就是47n60這一類的，coolmos特性都差不多，沒有快慢之分，有帶快恢復(fù)體二極管的（二極管恢復(fù)時間200nS以下，是普通的1/3-1/2）。你所說的速度很快的mos估計是用在無線功放上的，也有人拿來做電源，不過是特殊用途的電源。vicor和HW的1Mhz都是帶同步整流的，不然是沒法98%的。人家用的是數(shù)字控制，控制電路器件很少（100個以內(nèi)）。

有一點你說對了，做這個模塊工藝很重要。不過vicor和HW的模塊上面一個特殊器件都沒有，都是普通的coolmos?，F(xiàn)在開始火起來的GaNmos幾個公司都沒用，因為大公司對供貨風(fēng)險比小公司更顧慮。還有你前面提到的LLC反著用，市場上有很多產(chǎn)品，用的是IGBT，比MOS還便宜。松下90年代的產(chǎn)品還有用NPN三極管做的LLC適配器，效率照樣接近90%，成本就更低了。說白了就是工作在所謂的3區(qū)，即原邊ZCS區(qū)。