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偶爾來看看，東西還在

是啊，要搬家了。

工字電感氣隙很大，不容易飽和

趕快改方案吧！國產(chǎn)IC慎用！只要是參數(shù)和這個芯片一樣的，就是同一個人設(shè)計，同一家晶圓廠，最多封裝腳位不同而已。

狗沒瘋，人倒是瘋了！哈哈

簡直是真理,已達到哲學的高度了!

撓到癢癢處了!

做個簡單的分析就知道5V20A能達到多高效率了假設(shè)在90V時效率為90%,最大輸入電流100W/90%/90V=1.23A輸入全橋整流損耗:1.23A*1.6V=2WEMC損耗,估計0.5WPFC效率頂天了算你98%,損耗2.1WDC/DC初級部分效率算98%,損耗2.1W次級同步整流,目前導通電阻最低MOS管導通電阻在100C可低至6mR,則導通損耗20A*20A*0.006=2.4W電路其它部分消耗2W總損耗為11W則可推算出5V/20A效率最高可到100/111=90%如果要求效率達到95%,則全部損耗必須小于100W/95%-100W=5.263W按目前器件和技術(shù)水平基本上是做不到的

這東西確實很貴,老外用的是有彈性的不銹鋼(具體標號不詳),國內(nèi)五金廠要價1元以上,可變通采用錳鋼材料來做,但低溫下容易脆裂,且會生銹.

你的想法是很好,但實現(xiàn)起來可能不易.運行在諧振頻率高端的LLC是以接近50%的占空比工作的,這才是它能獲得高效率的主要原因.當然由于開關(guān)損耗的減少也使效率得到了少量的提升.如果工作在諧振頻率低端,則是ZCS模式.看了一些相關(guān)資料,這種狀態(tài)下一般是固定導通時間,關(guān)斷時間可變,負載越輕,頻率越低,實時占空比越小,因此不能在全負載范圍內(nèi)以50%占空比工作,尤其是頻率低于1/2fs后,峰值電流很大,如此一來,必須選用電流定額很高的IGBT,咱們所期望的采用普通IGBT就能輸出大功率的想法無法達成.