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悲哀啊,這么基本的問(wèn)題居然沒(méi)人知道!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

我再頂

自己頂一下,繼續(xù)求答案

厲害!看了您回貼,我特意對(duì)比了幾個(gè)MOSFET和IGBT的規(guī)格書(shū).發(fā)現(xiàn)MOSFET的輸出電容Coss確實(shí)比IGBT要大許多,因此硬開(kāi)關(guān)時(shí),MOSFET開(kāi)通損耗應(yīng)該比較大,而關(guān)斷時(shí)由于對(duì)Coss充電比較慢,損耗會(huì)小很多.但是IGBT規(guī)格書(shū)上標(biāo)明的開(kāi)通損耗確反比關(guān)斷損耗要大,比如infineon的SKW15N120和IKW40N120T2.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/126481221959742.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">請(qǐng)高手解惑,謝謝!

一個(gè)PFC+DCDC的電源系統(tǒng),想測(cè)DCDC部分的效率DCDC的輸入電流(也就是PFC電容的輸出電流)用萬(wàn)用表測(cè)量,所以比較關(guān)心測(cè)得的是有效值還是平均值.另外將PFC電壓與測(cè)得的電流值相乘作為DCDC的輸入功率,不知這種測(cè)法是否準(zhǔn)確?很感謝大家熱心解答,不管懂不懂,都可以發(fā)表自己的見(jiàn)解.在這里發(fā)問(wèn)的人都希望能將疑問(wèn)弄清楚,而不是看到冷嘲熱諷,有可能我誤解了冒號(hào)兄回貼的意思,如果這樣的話我向你道歉,希望你繼續(xù)頂帖

很可笑嗎??請(qǐng)注意有效值只是方均根值,DC電壓怎么就沒(méi)有效值和平均值之分了?不懂就不要亂說(shuō)!!

自己先頂一下

好人啦,謝謝,頂了再下

好像DCM模式下電路模型為一階單極點(diǎn)模型,穩(wěn)定性較好,而CCM模式下為二階雙極點(diǎn)模型容易振蕩吧?

被樓主的精神感動(dòng),不得不下,不得不頂!非常感謝!!!