還有人問(wèn)這種問(wèn)題!這個(gè)與開(kāi)關(guān)器件有關(guān),目前開(kāi)關(guān)電源里面使用最多的開(kāi)關(guān)器件是MOSFET,這個(gè)器件的主要開(kāi)關(guān)損耗來(lái)自開(kāi)通時(shí)的容性損耗,所以ZVS是合理的.而且對(duì)于MOS橋式電路,由于MOS固有的體二極管的反向恢復(fù),如果工作在ZCS會(huì)橋臂直通;如果你用IGBT,那就反過(guò)來(lái)了,因?yàn)镮GBT的主要問(wèn)題是關(guān)斷拖尾.
電力電子的核心是器件,沒(méi)有弄懂器件的基本原理的人是不能理解電源的.

同問(wèn)

好嚴(yán)厲啊...

厲害! 看了您回貼,我特意對(duì)比了幾個(gè)MOSFET和IGBT的規(guī)格書(shū).發(fā)現(xiàn)MOSFET的輸出電容Coss確實(shí)比IGBT要大許多,因此硬開(kāi)關(guān)時(shí),MOSFET開(kāi)通損耗應(yīng)該比較大,而關(guān)斷時(shí)由于對(duì)Coss充電比較慢,損耗會(huì)小很多.但是IGBT規(guī)格書(shū)上標(biāo)明的開(kāi)通損耗確反比關(guān)斷損耗要大,比如infineon的SKW15N120和IKW40N120T2.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/126481221959742.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
請(qǐng)高手解惑,謝謝!