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電子負(fù)載不是精度問題，電子負(fù)載里面也是運(yùn)放+MOS做的，是與外部某種電路配合不好時(shí)，形成振蕩，就可能會(huì)有瞬間大電流脈沖，為了避免這種可能性，你自己想辦法驗(yàn)證吧。我們以前也是遇到過這類電子負(fù)載大電流的情況的。

SOA你才15A，不會(huì)有問題的，只可能是負(fù)載瞬間電流相當(dāng)大才會(huì)。再說，你加了TI的控制芯片，本身就是為了過流短路保護(hù)的。我們用過50A都是用2個(gè)PMOS并聯(lián)驅(qū)動(dòng)的。所以你不用擔(dān)心控制方式問題。你的負(fù)載是電子負(fù)載吧？也有可能是電子負(fù)載有問題，你改用電阻負(fù)載測(cè)下25A看看。比如用100瓦的水泥電阻1R，2串4并，就是0.5R800瓦，實(shí)際就會(huì)是12V24A不到300瓦。

并聯(lián)后，實(shí)際是2.2mR，25A*2.2mR*25A=1.375W，也就是說不是直流發(fā)熱燒MOS的。是問輸入輸出電容多大，后端DCDC的輸入電容，也有關(guān)系的。后面DCDC的輸入電容太小的話，DCDC的脈沖電流也會(huì)引起PMOS的脈沖電流大。后面DCDC的輸入電容太大的話，開通PMOS時(shí)的沖擊電流會(huì)大。用示波器抓2mR合金電阻上的波形(從上電啟動(dòng)到燒毀MOS管時(shí)的波形，都抓出來)。就能知道是什么原因引起的了。知道原因后，就好解決。

我們15A都只用一個(gè)PMOS5*6mm就可以了

由于你沒有完整原理圖，請(qǐng)告之你后端負(fù)載電容多大？就是12V輸出的濾波電容。最好也有12V的輸入濾波電容值。另外，你量一下在10A電流時(shí)，MOS的DS之間壓差多少mV給我。此時(shí)一并量一下VGS是多少V。左邊與右邊MOS，差別就是電流不均，左邊那路比右邊電流大，說明設(shè)計(jì)有問題。只有將上面幾個(gè)參數(shù)都查出來，才好一次性解決。

請(qǐng)將完整原理圖和PMOS周邊PCB圖都截圖上來。一定給你找到原因。

不錯(cuò)

回復(fù)后可查看該帖，我也說兩句

U2U4的2腳上應(yīng)該有電容的吧？U2U4可能是二極管。給U3U5供電。U3U5就是6腳的MOS驅(qū)動(dòng)芯片

你在輸出接上個(gè)電容試試，10uF鉭電容。