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樓主是不是華科的看到你在白云上問(wèn)了同樣的問(wèn)題

說(shuō)反了一個(gè)積分環(huán)節(jié)是I一個(gè)積分環(huán)節(jié)加上一個(gè)微分環(huán)節(jié)是PI一個(gè)積分環(huán)節(jié)加上兩個(gè)微分環(huán)節(jié)是PID至于動(dòng)態(tài)響應(yīng),主要和系統(tǒng)的帶寬相關(guān).PID的動(dòng)態(tài)響應(yīng)快主要是他的兩個(gè)零點(diǎn)更好的補(bǔ)償了系統(tǒng)的相位滯后使系統(tǒng)的帶寬增加

又測(cè)了一下次級(jí)的測(cè)量有問(wèn)題,樓上的計(jì)算是對(duì)的.

沒(méi)有什么效果電感量增大的同時(shí)漏感也增大了

請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有詳細(xì)的變壓器和電感屏蔽的資料?謝謝

初級(jí)匝數(shù)增加,磁芯的deltaB就減小,可以是磁芯的工作區(qū)域H-B線性度更好,但是磁芯的利用率不是很低么?在10匝的時(shí)候,deltaB計(jì)算為+-0.2T增加到22匝,deltaB連+-0.1T都不到.還有就是增加初級(jí)電感量對(duì)減少關(guān)斷震蕩有什么幫助?

沒(méi)有加MOSFET關(guān)斷緩沖電路,只反并聯(lián)了個(gè)二極管

我算了一下,EC55的AL(nH/N2)值在4000左右18匝,那么L=4000nH*18*18=1.296mH和測(cè)量結(jié)果基本一致

請(qǐng)問(wèn)如何仿真MOSFET關(guān)斷時(shí)的初級(jí)震蕩?

RC吸收電路加在變壓器初級(jí)電路上是有的,為了降低關(guān)斷速度,去掉了實(shí)測(cè)加不加放電二極管對(duì)關(guān)斷速度影響不是太大