請問各位老師,我手頭在做一個50W的反激,輸入100VDC,效率80%+,20度下測試,MOS溫度90多度,DIODE溫度80多度,是不是溫度太高,標準如何規(guī)定?
謝謝!
太高了,你過不了50度這關啊,我們一般溫升不得超過35度
溫升35度,那得是軟開關吧,硬開關可能么?還是用大的散熱片?
直接上圖上不了,.RAR文件中是一些波形圖,請指點。
波形圖
確實太高了,100VDC輸入可以用低電壓的MOS了,你要是能在這里選擇個好管子應該MOS管的溫度下來很多,看你效率也就還行的樣子,還是想法加大散熱器吧。
是有點高,高溫下加個30度就過不了。
還有你試試看能不提高效率啊,你的80%偏低了。
開關電源技術,本質上是讓變壓器和MOS管(或三極管)工作在最高效率和最大出力的技術。是頻率、輸出功率、以及電源效率的匹配與折中的結果。
拓撲一定下,其關鍵技術就是變壓器的技術!
變壓器設計不合理且不能改,永遠做不出好電源!
sangjuen大師說的很到位啊。多多指教。
變壓器是一個重點,還要考慮你的功率管的溫升。
正解
現(xiàn)在也沒有確認就是變壓器的問題,變壓器磁芯和線圈溫升并不是高的離譜,50度左右,
如果不是變壓器的問題,改善效率的辦法通常有哪些?還請sangjuen老師指點。
4樓有驅動,電流,D極電壓波形,請參考。
多謝!
改用低內阻的MOS管及超低VF的肖特基。。。
看看FET開關損耗有多大?