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關(guān)于反激電源的效率，溫升

請問各位老師，我手頭在做一個50W的反激，輸入100VDC，效率80%+，20度下測試，MOS溫度90多度，DIODE溫度80多度，是不是溫度太高，標準如何規(guī)定？

謝謝！

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zvszcs
LV.12
2
2011-03-22 12:59

太高了，你過不了50度這關(guān)啊，我們一般溫升不得超過35度

 

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dolameng
LV.4
3
2011-03-22 13:44
@zvszcs
太高了，你過不了50度這關(guān)啊，我們一般溫升不得超過35度 

溫升35度，那得是軟開關(guān)吧，硬開關(guān)可能么？還是用大的散熱片？

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dolameng
LV.4
4
2011-03-22 13:51
@zvszcs
太高了，你過不了50度這關(guān)啊，我們一般溫升不得超過35度 

直接上圖上不了，.RAR文件中是一些波形圖，請指點。

波形圖 

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bpyanyu
LV.8
5
2011-03-22 14:04

確實太高了，100VDC輸入可以用低電壓的MOS了，你要是能在這里選擇個好管子應(yīng)該MOS管的溫度下來很多，看你效率也就還行的樣子，還是想法加大散熱器吧。

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liuhou
LV.9
6
2011-03-22 14:54

是有點高，高溫下加個30度就過不了。

 

還有你試試看能不提高效率啊，你的80%偏低了。

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2011-03-22 15:05
你這個溫度也實在太高了啊
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dolameng
LV.4
8
2011-03-22 16:53
@liuhou
是有點高，高溫下加個30度就過不了。 還有你試試看能不提高效率啊，你的80%偏低了。
提升效率，從哪入手呢？變壓器是外購的，我改不了。
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sangjuen
LV.8
9
2011-03-22 17:15
@dolameng
提升效率，從哪入手呢？變壓器是外購的，我改不了。

開關(guān)電源技術(shù)，本質(zhì)上是讓變壓器和MOS管（或三極管）工作在最高效率和最大出力的技術(shù)。是頻率、輸出功率、以及電源效率的匹配與折中的結(jié)果。

拓撲一定下，其關(guān)鍵技術(shù)就是變壓器的技術(shù)！

變壓器設(shè)計不合理且不能改，永遠做不出好電源！

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cheng111
LV.11
10
2011-03-22 22:46
@sangjuen
開關(guān)電源技術(shù)，本質(zhì)上是讓變壓器和MOS管（或三極管）工作在最高效率和最大出力的技術(shù)。是頻率、輸出功率、以及電源效率的匹配與折中的結(jié)果。拓撲一定下，其關(guān)鍵技術(shù)就是變壓器的技術(shù)！變壓器設(shè)計不合理且不能改，永遠做不出好電源！

sangjuen大師說的很到位啊。多多指教。

變壓器是一個重點，還要考慮你的功率管的溫升。

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隱形專家
LV.10
11
2011-03-23 07:04
@sangjuen
開關(guān)電源技術(shù)，本質(zhì)上是讓變壓器和MOS管（或三極管）工作在最高效率和最大出力的技術(shù)。是頻率、輸出功率、以及電源效率的匹配與折中的結(jié)果。拓撲一定下，其關(guān)鍵技術(shù)就是變壓器的技術(shù)！變壓器設(shè)計不合理且不能改，永遠做不出好電源！

正解

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dolameng
LV.4
12
2011-03-23 08:17
@sangjuen
開關(guān)電源技術(shù)，本質(zhì)上是讓變壓器和MOS管（或三極管）工作在最高效率和最大出力的技術(shù)。是頻率、輸出功率、以及電源效率的匹配與折中的結(jié)果。拓撲一定下，其關(guān)鍵技術(shù)就是變壓器的技術(shù)！變壓器設(shè)計不合理且不能改，永遠做不出好電源！

現(xiàn)在也沒有確認就是變壓器的問題，變壓器磁芯和線圈溫升并不是高的離譜，50度左右，

如果不是變壓器的問題，改善效率的辦法通常有哪些？還請sangjuen老師指點。

4樓有驅(qū)動，電流，D極電壓波形，請參考。

多謝！

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sangjuen
LV.8
13
2011-03-23 08:56
@dolameng
現(xiàn)在也沒有確認就是變壓器的問題，變壓器磁芯和線圈溫升并不是高的離譜，50度左右，如果不是變壓器的問題，改善效率的辦法通常有哪些？還請sangjuen老師指點。4樓有驅(qū)動，電流，D極電壓波形，請參考。多謝！
驅(qū)動上升速度太慢且有干擾。解決振鈴你試一下如下的方法：1、在驅(qū)動IC的Vcc端對地并474CBB，2、G極Rg并加速電容再串一2歐姆電阻。3、增加-5V負壓驅(qū)動，使MOS可靠截止。
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glf680409
LV.8
14
2011-06-16 23:48

改用低內(nèi)阻的MOS管及超低VF的肖特基。。。

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powerants
LV.6
15
2011-06-17 20:50
@zvszcs
太高了，你過不了50度這關(guān)啊，我們一般溫升不得超過35度 
35度,散熱器比較大吧
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leowang2002
LV.4
16
2011-06-17 21:06
@glf680409
改用低內(nèi)阻的MOS管及超低VF的肖特基。。。

看看FET開關(guān)損耗有多大？

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