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逆變器是DCTOAC的產(chǎn)品不同與ACTODC,且你的電路又是推挽的,又何嘗要去考慮到變壓器的漏感呢!這種繞法我們一直在使用,關(guān)且我現(xiàn)在做的功率還是你的倍數(shù)關(guān)系呢!3525用在前級也是一種較好的IC,因為你用的B647,D667管子是通過一個幾十R的電阻到3625的圖騰輸出的,所以你也應對此電阻在實驗中做適當?shù)恼{(diào)節(jié),建意采用的驅(qū)動管的導通電流較大的,而非功率大的為好!因為你的3525是一個小的DC/DC提供,不要人為地加入了電源的輸入紋波,且最好是其它的苡片的供電如也是從小DC提供的話最好有一個電感將VCC隔開.我不知你的變壓器的初級是多少的,如是12V輸入,可將圈數(shù)盡可能地減少,利于損耗最小,同時如果你的變壓器初級采用銅帶來做就最好是銅帶引出腳,不要在銅帶的輸入端再用銅線焊接后引出,這樣會是瓶頸的200A通過你說能不發(fā)熱嗎!或者是多股銅線并起來代替銅帶.不要忘了,并線不能焊接在變壓器的PIN腳上,一定要銅線直插機板呀.另一方面你可看看你的左右MOSFET在帶輕載時其尖鋒電壓是不同的,一個超出了很多,可能在50V以上(針對12V來說),而另一可能在30V左右,這就是你的MOSFET的驅(qū)動電阻不當,當然跟驅(qū)動管也有關(guān)啰!再者就是你在LAYOUT時可能沒有注意A、B輸出交義或以重地平行所致.(同時我講這話是有前提的,就是你的變壓器匝比是正確的,且PWM的脈寬深度不是很大的前提)!

一、最直接的方式可將原單片機換成帶模/數(shù)轉(zhuǎn)換的芯片,但這樣其價格會相對高些需對程序作些更改.二、再者可以在逆變器的輸出四個對管的MOSFET對地取樣電阻那加入一級電流比較電路(或放大電路),人為地增加一級模/數(shù)電路,檢測比較后,將芯片停振.三、如果不想讓芯片停振,也可將這級加入的模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路的輸出控制信號去控制芯片的后級驅(qū)動電路也能達到過流回饋的目的.

一、1800w,12V的逆變器,電流就將近在200A左右,采用再好的變壓器,任你怎樣更改變壓器的參數(shù)繞法,始終發(fā)熱量集與一身,再大的努力都將是發(fā)熱太大,得不嘗矢.可采取兩個或多個變壓器來并聯(lián)分擔,但在注意并聯(lián)時的各變壓器的電流分配問題.二、逆變器的PWM初級是工作在全橋還是推挽狀態(tài)下?如在推挽狀態(tài)下,變壓器可采用三明治的多股并繞法,先繞初級一個繞組,再繞次級繞組的一半,再進行初級的另一組的并繞,最后再進行次級另一半的完成.三、逆變器工作時,變壓器溫升高以外,同時MOSFET的左右推挽管發(fā)熱量對稱嗎?如果不對稱原因有三:1)、你的LAYOUT就有問題,電流分布不均;2)、變壓器的匝比、參數(shù)、繞法有問題;3)、PWM的工作頻率就不對;四、空載工作時MOSFET左右溫升對稱嗎?電流大嗎?請更改變壓器參數(shù),適當?shù)卦龃?減小驅(qū)動電阻.