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TKS!自以為，Boost和Buck-Boost拓?fù)鋽嗬m(xù)模式，電感電流在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期導(dǎo)通時(shí)間（D1+D2，不包括D3，書籍《高頻功率電子學(xué)》是這樣描述的）內(nèi)的平均值不受輸出電壓（也即輸出濾波電容和負(fù)載）的影響，故系統(tǒng)變?yōu)橐浑A的；Buck拓?fù)涞碾姼须娏骷词故菙嗬m(xù)模式其平均值卻受輸出電壓的影響，何故仍為一階系統(tǒng)？看了一下sometimes推薦的書才豁然開(kāi)朗。

我想了解在一般情況下，PF值為多少時(shí)，就能滿足認(rèn)證對(duì)諧波電流的要求。

大地是零電位的，不管輸出通過(guò)什么方式接外殼，如果外殼接了大地，外殼也就是零電位的。不知道一般的通信電源負(fù)端不通過(guò)電容直接接外殼是否有什么問(wèn)題？

電源網(wǎng)的各位達(dá)人、版主溜到哪里啦，一個(gè)回復(fù)也沒(méi)有，問(wèn)題是否太低B了，還是表達(dá)不清？

何故沒(méi)人討論，自己頂下。

我說(shuō)兩點(diǎn)(只針對(duì)L6599、SG3525做的LLC)：1、可能不能實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)2、最高頻率限制不當(dāng)，電壓可能會(huì)飄高你說(shuō)的過(guò)流是否只輸出過(guò)功率，如果是，則可能炸管，沒(méi)有電流環(huán)，過(guò)功率要謹(jǐn)慎。

本來(lái)我是這樣理解的，對(duì)于普通二極管，耐流一樣，耐壓越高，結(jié)電容越小，對(duì)FR二極管，數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明，耐壓越高，Trr就越大，結(jié)電容沒(méi)標(biāo)，所以揣測(cè)結(jié)電容就越大?？戳四愕幕貜?fù)后我再看多了幾份FR二極管的數(shù)據(jù)手冊(cè)，發(fā)現(xiàn)百度文庫(kù)里面有一份關(guān)于FR二極管的數(shù)據(jù)手冊(cè)http://wenku.baidu.com/view/f547e838376baf1ffc4fad8e.html里面有說(shuō)明結(jié)電容的，耐壓越大，結(jié)電容越小，但Trr越大，這更加不解了？為什么結(jié)電容越小，Trr就越大呢？通常耐流越大晶體的結(jié)面積就越大，從外觀封裝也可以看到耐流越大的封裝就越大，但耐壓越大，晶體是否就越長(zhǎng)，還是同樣長(zhǎng)度而只是參雜的濃度不同？對(duì)于MOS管，結(jié)電容與Id、Rds和Vds都有關(guān)，Id一樣，Vds大的，結(jié)電容小，我也是這樣理解的，但沒(méi)辦法找到兩個(gè)同一廠家同一系列同種工藝Id一樣，而Vds不同的MOS管來(lái)對(duì)比一下其結(jié)電容，所以不敢妄自定論，還希冀行家指點(diǎn)迷津。

如我上面所說(shuō)的，假負(fù)載是加了，假負(fù)載對(duì)空載那路可以壓制電壓飄高，但對(duì)滿嘴那路是不利的，使電壓更低。兩路的功率是一樣的，不知你指的電流比是什么比，斜率、峰值、有效值？望指點(diǎn)一二。

為使耦合更加好，已經(jīng)特意選用了磁芯較長(zhǎng)、截面積較大的EFD40了。綜合考慮損耗、電壓應(yīng)力等各因素調(diào)整了幾次變壓器，但還不能滿足調(diào)整率，以前做過(guò)50W的，用我所的方法是可以滿足調(diào)整率的，此次可能是功率大了一點(diǎn)。由于經(jīng)驗(yàn)有限，自己沒(méi)有什么好的點(diǎn)子，目前做的大部分都是反激，交叉調(diào)整率往往是我的瓶頸，我想強(qiáng)調(diào)的是有沒(méi)有一些方法專門提高反激的交叉調(diào)整率的，還是勞煩大家指點(diǎn)下。

忘了說(shuō)了，假負(fù)載是有了假負(fù)載在空載那路，壓制電壓飄高是有效的，但對(duì)滿載那路是有害的，使電壓更加低。