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講的對！MOSFET是導(dǎo)通電阻IGBT是導(dǎo)通電壓兩者功耗就看應(yīng)用的電流大小了。開關(guān)速度也不一樣，MOSFET的快IGBT關(guān)斷時(shí)有拖尾！

 通常門級都有一個下拉電阻，不僅不能沒有它，而且必須具有足夠低的阻值。原因是高輸入電壓情況下輸入功率突增時(shí)，F(xiàn)ET的漏極電壓突然上升，因此漏極到門極電容兩端會產(chǎn)生一個電壓脈沖，電壓脈沖產(chǎn)生電流，并對門極充電并因此產(chǎn)生電勢，使FET誤導(dǎo)通！一般阻值為4.7-10k！

剛好,我也看到這個圖片,是蘇州創(chuàng)惠電子的.我見到一超聲電路圖,就是需要多個接頭,因?yàn)閾Q能器發(fā)熱,會使電路匹配失調(diào),通過不斷調(diào)整變壓器次級以及電感量,使電路重新匹配!