試問(wèn)：IGBT與MOSFET，同樣的耐壓，電流等級(jí)情況，另外如果都是TO247封裝，那么MOSFET能有什么優(yōu)勢(shì)呢？
1、價(jià)格上，IGBT要比MOSFET便宜吧！
2、抗反壓能力上,IGBT好吧！
3、IGBT的導(dǎo)通壓降要小吧！
4、挺多就是IGBT的開(kāi)關(guān)頻率要低一些，驅(qū)動(dòng)上要負(fù)壓，別的好像也沒(méi)什么缺點(diǎn)哦
分析的對(duì)么？還有補(bǔ)充嗎？
IGBT與MOSFET，同樣的耐壓，電流等級(jí)情況下，導(dǎo)通的壓降IGBT小很多？
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@417zhouge
沒(méi)有用到TO247的IGBT，只用了IGBT模塊。大致是這樣的情況，電壓較高，600V,900V，電流超過(guò)50A以后，MOSFET的優(yōu)勢(shì)就不明顯了。Rdson對(duì)應(yīng)的電流產(chǎn)生的壓降會(huì)線性增加，但是IGBT的VCE基本就是1-2V左右。TO-247的封裝對(duì)應(yīng)的散熱面積較小。MOSFET的模塊比較少見(jiàn)，IGBT的模塊比較多，散熱面積大，結(jié)構(gòu)上稍微好處理些。
講的對(duì)！
MOSFET是導(dǎo)通電阻
IGBT是導(dǎo)通電壓
兩者功耗就看應(yīng)用的電流大小了。
開(kāi)關(guān)速度也不一樣，MOSFET的快
IGBT關(guān)斷時(shí)有拖尾！
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@417zhouge
沒(méi)有用到TO247的IGBT，只用了IGBT模塊。大致是這樣的情況，電壓較高，600V,900V，電流超過(guò)50A以后，MOSFET的優(yōu)勢(shì)就不明顯了。Rdson對(duì)應(yīng)的電流產(chǎn)生的壓降會(huì)線性增加，但是IGBT的VCE基本就是1-2V左右。TO-247的封裝對(duì)應(yīng)的散熱面積較小。MOSFET的模塊比較少見(jiàn)，IGBT的模塊比較多，散熱面積大，結(jié)構(gòu)上稍微好處理些。
你好，我可以這樣理解么，我們拿600V為例，MOSFET是電流的平方乘以Rdson為導(dǎo)通的損耗，IGBT是電流乘以Vce是導(dǎo)通損耗，最終就要評(píng)估兩者的總損耗，包括開(kāi)關(guān)損耗等，加起來(lái)，再根據(jù)各自的封裝，看能否達(dá)到散熱要求，是否需要用散熱器等等，最終評(píng)估成本，選擇MOS還是IGBT。有一點(diǎn)，如果選用MOS，我的頻率可以做高，磁性原件就可以小，成本可以減，反之，IGBT不行嘍。
以上理解，請(qǐng)多分析，謝謝
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@f2812
你好，我可以這樣理解么，我們拿600V為例，MOSFET是電流的平方乘以Rdson為導(dǎo)通的損耗，IGBT是電流乘以Vce是導(dǎo)通損耗，最終就要評(píng)估兩者的總損耗，包括開(kāi)關(guān)損耗等，加起來(lái)，再根據(jù)各自的封裝，看能否達(dá)到散熱要求，是否需要用散熱器等等，最終評(píng)估成本，選擇MOS還是IGBT。有一點(diǎn)，如果選用MOS，我的頻率可以做高，磁性原件就可以小，成本可以減，反之，IGBT不行嘍。以上理解，請(qǐng)多分析，謝謝
電流大了之后，磁性元件頻率高，但是發(fā)熱也會(huì)嚴(yán)重，要考慮散熱，書(shū)上說(shuō)的是理論值，實(shí)際應(yīng)用時(shí)是有瓶頸的。
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