郁悶的小鳥：
大俠說(shuō)得很有道理,謝謝!我對(duì)器件的制造工藝不懂.不過(guò)您說(shuō)的“要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內(nèi)阻太大.從元件層面看,離柵遠(yuǎn)的MOS單元該開(kāi)是開(kāi)不起;該關(guān)時(shí)關(guān)不掉.這是炸機(jī)的根本原因”和您出的第二個(gè)解決方案向矛盾啊,強(qiáng)觸發(fā)時(shí)dv/dt更大啊,那不更容易損壞?IRFP460和IXYS管子的參數(shù)表面上看開(kāi)關(guān)速度差的很多,我總覺(jué)得IR公司的產(chǎn)品既然速度慢還挺有市場(chǎng),管子內(nèi)在結(jié)構(gòu)必然有其獨(dú)特優(yōu)點(diǎn),只是不知是什么.愿大俠賜教!!謝謝