各位大俠:
一臺(tái)電流型感應(yīng)加熱電源,250V/200A,工作頻率300~400kHz.原先是選用IR公司的IRF460(20A/500V),每橋臂24只并聯(lián).每只都加吸收電路(25歐電阻,1500P電容),門極電阻10歐,能工作到250V/200A額定.后來460器件供貨不暢加之老板想升級(jí)就選用了IXYS公司的IXTQ26N60P(26A/600V),該型管子的各項(xiàng)性能指標(biāo)都比460強(qiáng),200V以下工作良好,可是只要電壓超過200V就炸管子,且管子壞時(shí)火光四射(460壞時(shí)僅有輕微的爆裂聲).
能試的方法都試了,可還是不行,百思不得其解啊,各位大俠給出出主意這是什么原因呢?小妹拜謝了!!!
高頻電源,用IXTQ26N60P替代IRF460時(shí)為何老是炸管?
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@samszapl
你買IXYS的東西怎么會(huì)不知道鵬源的電話呢?你在哪兒買的啊?0755-82947272-813IXYSFAE黃工的電話
打電話問了,他說我的驅(qū)動(dòng)能力不夠.我們覺得不可能啊,460比IXYS管子的驅(qū)動(dòng)功率要求大多了,我的驅(qū)動(dòng)既然能夠驅(qū)動(dòng)460,怎么會(huì)驅(qū)動(dòng)IXYS反而不夠呢?!
我覺得是由于管子開關(guān)速度太快造成di/dt或dv/dt過大損壞的,各位大俠說說是不是這個(gè)原因造成的呢?
小妹拜謝了.
我覺得是由于管子開關(guān)速度太快造成di/dt或dv/dt過大損壞的,各位大俠說說是不是這個(gè)原因造成的呢?
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@郁悶的小鳥
打電話問了,他說我的驅(qū)動(dòng)能力不夠.我們覺得不可能啊,460比IXYS管子的驅(qū)動(dòng)功率要求大多了,我的驅(qū)動(dòng)既然能夠驅(qū)動(dòng)460,怎么會(huì)驅(qū)動(dòng)IXYS反而不夠呢?!我覺得是由于管子開關(guān)速度太快造成di/dt或dv/dt過大損壞的,各位大俠說說是不是這個(gè)原因造成的呢?小妹拜謝了.
IXYS的MOS只適合低頻工作,如果想到你那頻率,只有ZVS方式工作了.而且,要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內(nèi)阻太大.從元件層面看,離柵遠(yuǎn)的MOS單元該開是開不起;該關(guān)時(shí)關(guān)不掉.這是炸機(jī)的根本原因.
你現(xiàn)在有兩個(gè)方法解決:
1)換威士的460,IR的一級(jí)代理大體上都有代理這家的器件.(威士用的是IR工藝做的.)
2)在上升沿;用25V強(qiáng)觸發(fā)開通,開通穩(wěn)態(tài)用9~15V維持.在下降沿;用-15V強(qiáng)制關(guān)閉,關(guān)閉穩(wěn)態(tài)同0V維持.
你現(xiàn)在有兩個(gè)方法解決:
1)換威士的460,IR的一級(jí)代理大體上都有代理這家的器件.(威士用的是IR工藝做的.)
2)在上升沿;用25V強(qiáng)觸發(fā)開通,開通穩(wěn)態(tài)用9~15V維持.在下降沿;用-15V強(qiáng)制關(guān)閉,關(guān)閉穩(wěn)態(tài)同0V維持.
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@xkw1
IXYS的MOS只適合低頻工作,如果想到你那頻率,只有ZVS方式工作了.而且,要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內(nèi)阻太大.從元件層面看,離柵遠(yuǎn)的MOS單元該開是開不起;該關(guān)時(shí)關(guān)不掉.這是炸機(jī)的根本原因.你現(xiàn)在有兩個(gè)方法解決:1)換威士的460,IR的一級(jí)代理大體上都有代理這家的器件.(威士用的是IR工藝做的.)2)在上升沿;用25V強(qiáng)觸發(fā)開通,開通穩(wěn)態(tài)用9~15V維持.在下降沿;用-15V強(qiáng)制關(guān)閉,關(guān)閉穩(wěn)態(tài)同0V維持.
大俠說得很有道理,謝謝!我對(duì)器件的制造工藝不懂.
不過您說的“要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內(nèi)阻太大.從元件層面看,離柵遠(yuǎn)的MOS單元該開是開不起;該關(guān)時(shí)關(guān)不掉.這是炸機(jī)的根本原因”和您出的第二個(gè)解決方案向矛盾啊,強(qiáng)觸發(fā)時(shí)dv/dt更大啊,那不更容易損壞?
IRFP460和IXYS管子的參數(shù)表面上看開關(guān)速度差的很多,我總覺得IR公司的產(chǎn)品既然速度慢還挺有市場,管子內(nèi)在結(jié)構(gòu)必然有其獨(dú)特優(yōu)點(diǎn),只是不知是什么.
愿大俠賜教!!
謝謝
不過您說的“要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內(nèi)阻太大.從元件層面看,離柵遠(yuǎn)的MOS單元該開是開不起;該關(guān)時(shí)關(guān)不掉.這是炸機(jī)的根本原因”和您出的第二個(gè)解決方案向矛盾啊,強(qiáng)觸發(fā)時(shí)dv/dt更大啊,那不更容易損壞?
IRFP460和IXYS管子的參數(shù)表面上看開關(guān)速度差的很多,我總覺得IR公司的產(chǎn)品既然速度慢還挺有市場,管子內(nèi)在結(jié)構(gòu)必然有其獨(dú)特優(yōu)點(diǎn),只是不知是什么.
愿大俠賜教!!
謝謝
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@郁悶的小鳥
大俠說得很有道理,謝謝!我對(duì)器件的制造工藝不懂.不過您說的“要求dv/dt要足夠小.主要原因是IXYS的絕緣柵鍍鋁層太薄,造成柵寄生內(nèi)阻太大.從元件層面看,離柵遠(yuǎn)的MOS單元該開是開不起;該關(guān)時(shí)關(guān)不掉.這是炸機(jī)的根本原因”和您出的第二個(gè)解決方案向矛盾啊,強(qiáng)觸發(fā)時(shí)dv/dt更大啊,那不更容易損壞?IRFP460和IXYS管子的參數(shù)表面上看開關(guān)速度差的很多,我總覺得IR公司的產(chǎn)品既然速度慢還挺有市場,管子內(nèi)在結(jié)構(gòu)必然有其獨(dú)特優(yōu)點(diǎn),只是不知是什么.愿大俠賜教!!謝謝
開時(shí),用更高的電壓觸發(fā),可以在相同的柵電阻的條件下,能有更大的驅(qū)動(dòng)電流,遠(yuǎn)處的MOS單元可以更快的開,反之,關(guān)閉時(shí)負(fù)壓驅(qū)動(dòng);能更快的驅(qū)動(dòng)遠(yuǎn)處的MOS單元.
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