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當(dāng)R端電壓只比參考電壓高出很小的電壓值時(shí)，比較器就是一個(gè)放大器。正如4樓jacki_wang老兄所言，形成一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡，一個(gè)負(fù)反饋。R點(diǎn)電壓升高超過(guò)2.5V后，比較器電壓升高——〉三級(jí)管導(dǎo)通——〉K點(diǎn)電壓降低——〉K點(diǎn)電壓通過(guò)上邊的二極管把R點(diǎn)電壓拉低。假設(shè)R點(diǎn)電壓升高后比較器輸出高電平，則三級(jí)管飽和道通——〉K點(diǎn)電壓為0.2V——〉通過(guò)二極管把R點(diǎn)拉低到0.2+0.7=0.9V——〉比較器輸出低電平。這樣的可能結(jié)果有兩個(gè)：1、動(dòng)態(tài)平衡；2、振蕩。（前提是假設(shè)比較器的輸入阻抗遠(yuǎn)大于通過(guò)R點(diǎn)被測(cè)電路的輸出阻抗。）

1、對(duì)于晶體振蕩器，主要看你要求的實(shí)現(xiàn)方式、精準(zhǔn)級(jí)別、測(cè)試方面測(cè)試環(huán)境?！獙?shí)現(xiàn)方式如恒溫、溫補(bǔ)、無(wú)溫度修正、串聯(lián)、并聯(lián)等?！?jí)別比如2E、3E?！獪y(cè)試方面如日穩(wěn)（日穩(wěn)定度）、年穩(wěn)、相位噪聲等。——測(cè)試環(huán)境如測(cè)試時(shí)溫度、電磁環(huán)境（主要是輻射）等。這些主要跟切型（如AT、BT、SC）、切割工藝水平和接點(diǎn)連接方式/應(yīng)力有關(guān)。2、以前我制作高檔晶振，一般是用原子鐘來(lái)調(diào)校。3、也許摟主不是問(wèn)晶體振蕩器，而只是問(wèn)的晶體諧振器。那就又不一樣。4、一般而言，只要不涉及通訊/通信（板內(nèi)、板間和設(shè)備之間），對(duì)于頻率要求不會(huì)很高。高檔晶振可能貴到數(shù)萬(wàn)元一只，體型大，難侍候。一般用途沒(méi)有必要。5、對(duì)于晶體振蕩器的某些參數(shù)，事實(shí)上理論界至今還是有點(diǎn)分歧的。主要源于數(shù)學(xué)模型和不同。