海旭：
在DS之間并電容好像對米勒電容沒影響，我在實際中加這個電容對效率有提高。加這個電容好處正如你所說對關(guān)斷時MOS的DV/DT減小，減小mos的誤開通可能性。同時對整流管和EMC都有好處。但是這個電容應(yīng)該是減小關(guān)斷損耗，正因為關(guān)斷時MOS的DV/DT減小，所以關(guān)斷時電壓電流疊加乘積小了，可以理解為關(guān)斷時部分諧振電流是流經(jīng)DS間并聯(lián)電容，真正流經(jīng)mos的電流小了，所以損耗也小。 在DS間并電容真正的缺點是在死區(qū)內(nèi)可能需要更大的電流來把電容上的電荷抽走來實現(xiàn)軟開關(guān)，在固定死區(qū)的LLC中很難在小載或者空載實現(xiàn)完全軟開關(guān)，但現(xiàn)今數(shù)字控制，死區(qū)隨負載或者說頻率可調(diào)，這個不是問題。 另一個缺點就是在寬范圍輸入輸出的電源中，高頻采取PWM方式控制中，可能損耗大些。這個看你調(diào)脈寬范圍，最小脈寬越小損耗越大。但是一般到調(diào)脈寬的時候輸出電流小。損耗也沒我們想象那么大，很多電源實際工作中也很很少工作在此狀態(tài)，所以這個時候效率也沒人在乎。 據(jù)我所知，華為模塊最小占空比不會低于20%，雖然輕載有點硬開關(guān)，但是mos的開通電壓還是非常低，不會高于50V，所以不會很熱，同時也能滿足低壓輕載輸出要求。 另外說句，我雖不是華為的，但是能做到通信行業(yè)老大，里面會養(yǎng)一些打醬油的閑人么。就目前來說，國內(nèi)電源做的最好的還是華為，沒有之一。