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暫無(wú)內(nèi)容

開(kāi)關(guān)電源解決強(qiáng)磁場(chǎng)干擾的方法

cqky2010

最新回復(fù)：2016-08-03 09:27

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推挽變換器動(dòng)態(tài)時(shí)，容易產(chǎn)生偏磁嗎？？？有圖！

cqky2010

最新回復(fù)：2014-12-15 16:30

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DCM 反激變壓器設(shè)計(jì) 氣隙

cqky2010

最新回復(fù)：2013-10-10 19:26

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電壓控制芯片

cqky2010

最新回復(fù)：2012-03-12 21:11

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芯片欠壓保護(hù)功能的理解。。

cqky2010

最新回復(fù)：2013-02-16 16:01

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芯片軟啟動(dòng)

cqky2010

最新回復(fù)：2012-02-06 16:09

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正激與反激的區(qū)別

cqky2010

最新回復(fù)：2012-01-12 21:45

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反激變壓器設(shè)計(jì)

cqky2010

最新回復(fù)：2011-12-31 20:28

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雙向開(kāi)關(guān)管

cqky2010

最新回復(fù)：2011-12-04 09:51

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cqky2010

最新回復(fù)：2011-11-03 17:29

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cqky2010：

自己頂一下，求助。。。

2016-08-03 09:27 回復(fù)

原帖：開(kāi)關(guān)電源解決強(qiáng)磁場(chǎng)干擾的方法

cqky2010：

ok,明白了，謝謝哦！

2014-12-15 16:30 回復(fù)

原帖：推挽變換器動(dòng)態(tài)時(shí)，容易產(chǎn)生偏磁嗎？？？有圖！

cqky2010：

推挽，半橋，全橋均存在磁通不平衡的問(wèn)題，但是我接觸到的內(nèi)容看，隔直小電容在半橋與全橋中應(yīng)用較多，而推挽用隔直電容較少見(jiàn)，請(qǐng)問(wèn)，這其中有什么區(qū)別嗎？

2014-12-12 18:23 回復(fù)

原帖：推挽變換器動(dòng)態(tài)時(shí)，容易產(chǎn)生偏磁嗎？？？有圖！

cqky2010：

沒(méi)有人解答啊，我查閱了一些書(shū)籍，的確存在上述磁不平衡的問(wèn)題，在動(dòng)態(tài)時(shí)。

2014-12-12 09:28 回復(fù)

原帖：推挽變換器動(dòng)態(tài)時(shí)，容易產(chǎn)生偏磁嗎？？？有圖！

cqky2010：

樓上正解，應(yīng)該是我理解錯(cuò)誤。DCM與CCM模式都需要考慮磁芯氣隙，只是在設(shè)計(jì)的時(shí)候，CCM模式下磁芯易飽和，需要側(cè)重考慮氣隙。謝謝各位！

2013-10-10 19:26 回復(fù)

原帖：DCM 反激變壓器設(shè)計(jì) 氣隙

cqky2010：

現(xiàn)在已經(jīng)找到一個(gè)芯片TL494，不知道可否提供別的一些芯片用于單電壓環(huán)控制呢？

2012-03-12 21:11 回復(fù)

原帖：電壓控制芯片

cqky2010：

開(kāi)關(guān)電源的單電壓環(huán)控制。

2012-03-12 21:10 回復(fù)

原帖：電壓控制芯片

cqky2010：

剛看到要頂一下

2012-02-07 22:43 回復(fù)

原帖：PROTEL99SE怎樣用敷銅代替走線(xiàn)

cqky2010：

謝謝您的指點(diǎn)：總結(jié)一下:芯片啟動(dòng)時(shí)，VDD達(dá)到15.4才啟動(dòng)，啟動(dòng)之后，當(dāng)芯片VDD電壓在大于9.4V之間時(shí)芯片能正常工作，當(dāng)VDD電壓低于9.4V后，芯片欠壓鎖定，當(dāng)芯片電壓再次升到15.4V以上時(shí)，芯片才能正常工作。

2012-02-06 22:49 回復(fù)

原帖：芯片欠壓保護(hù)功能的理解。。

cqky2010：

VDD在15.4V與9.4V之間芯片是怎么工作的呢？

2012-02-05 20:00 回復(fù)

原帖：芯片欠壓保護(hù)功能的理解。。

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