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開關(guān)電源解決強磁場干擾的方法
cqky2010
最新回復(fù)：2016-08-03 09:27
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推挽變換器動態(tài)時，容易產(chǎn)生偏磁嗎？？？有圖！
cqky2010
最新回復(fù)：2014-12-15 16:30
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DCM 反激變壓器設(shè)計 氣隙
cqky2010
最新回復(fù)：2013-10-10 19:26
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電壓控制芯片
cqky2010
最新回復(fù)：2012-03-12 21:11
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芯片欠壓保護功能的理解。。
cqky2010
最新回復(fù)：2013-02-16 16:01
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芯片軟啟動
cqky2010
最新回復(fù)：2012-02-06 16:09
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正激與反激的區(qū)別
cqky2010
最新回復(fù)：2012-01-12 21:45
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反激變壓器設(shè)計
cqky2010
最新回復(fù)：2011-12-31 20:28
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雙向開關(guān)管
cqky2010
最新回復(fù)：2011-12-04 09:51
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DCM CCM DC-DC
cqky2010
最新回復(fù)：2011-11-03 17:29
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cqky2010：
自己頂一下，求助。。。
2016-08-03 09:27 回復(fù)
原帖：開關(guān)電源解決強磁場干擾的方法
cqky2010：
ok,明白了，謝謝哦！
2014-12-15 16:30 回復(fù)
原帖：推挽變換器動態(tài)時，容易產(chǎn)生偏磁嗎？？？有圖！
cqky2010：
推挽，半橋，全橋均存在磁通不平衡的問題，但是我接觸到的內(nèi)容看，隔直小電容在半橋與全橋中應(yīng)用較多，而推挽用隔直電容較少見，請問，這其中有什么區(qū)別嗎？
2014-12-12 18:23 回復(fù)
原帖：推挽變換器動態(tài)時，容易產(chǎn)生偏磁嗎？？？有圖！
cqky2010：
沒有人解答啊，我查閱了一些書籍，的確存在上述磁不平衡的問題，在動態(tài)時。
2014-12-12 09:28 回復(fù)
原帖：推挽變換器動態(tài)時，容易產(chǎn)生偏磁嗎？？？有圖！
cqky2010：
樓上正解，應(yīng)該是我理解錯誤。DCM與CCM模式都需要考慮磁芯氣隙，只是在設(shè)計的時候，CCM模式下磁芯易飽和，需要側(cè)重考慮氣隙。謝謝各位！
2013-10-10 19:26 回復(fù)
原帖：DCM 反激變壓器設(shè)計 氣隙
cqky2010：
現(xiàn)在已經(jīng)找到一個芯片TL494，不知道可否提供別的一些芯片用于單電壓環(huán)控制呢？
2012-03-12 21:11 回復(fù)
原帖：電壓控制芯片
cqky2010：
開關(guān)電源的單電壓環(huán)控制。
2012-03-12 21:10 回復(fù)
原帖：電壓控制芯片
cqky2010：
剛看到要頂一下
2012-02-07 22:43 回復(fù)
原帖：PROTEL99SE怎樣用敷銅代替走線
cqky2010：
謝謝您的指點：總結(jié)一下:芯片啟動時，VDD達到15.4才啟動，啟動之后，當芯片VDD電壓在大于9.4V之間時芯片能正常工作，當VDD電壓低于9.4V后，芯片欠壓鎖定，當芯片電壓再次升到15.4V以上時，芯片才能正常工作。
2012-02-06 22:49 回復(fù)
原帖：芯片欠壓保護功能的理解。。
cqky2010：
VDD在15.4V與9.4V之間芯片是怎么工作的呢？
2012-02-05 20:00 回復(fù)
原帖：芯片欠壓保護功能的理解。。
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