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我覺得是否可以在吸收電路上想一些辦法，可以優(yōu)化突波吸收電路（即RCD緩沖器），減小MOS開關(guān)損耗，從而減小溫升。另外你的PCB布局是否合理，我建議可以好好考慮下布局，有可能出現(xiàn)的電流尖峰是由于PCB布局不合理導(dǎo)致初級寄生出的漏感過大而導(dǎo)致。