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我后來(lái)找出來(lái)原因，正是變壓器的寄生電容引起的。我把MOS管驅(qū)動(dòng)放得緩慢一點(diǎn)，也有一點(diǎn)效果。謝謝！

我補(bǔ)充兩點(diǎn)：首先，根據(jù)吸收電路的損耗表達(dá)式可知，吸收電路的損耗大于原邊漏感的能量，因此初步判斷原邊勵(lì)磁電感的一部分能量也被吸收電路損耗；其次，吸收電路二極管導(dǎo)通時(shí)，原邊漏感電流方向向下，且基本是線性下降，而此時(shí)原邊勵(lì)磁電感電壓的方向是下正上負(fù)，又因?yàn)樵诼└须娏飨陆档倪^(guò)程中勵(lì)磁電感和漏感電流的方向相同，因此對(duì)原邊勵(lì)磁電感來(lái)說(shuō)，其電壓和電流呈非關(guān)聯(lián)方向，因此它在釋放能量。 

請(qǐng)問(wèn)一下電容C2是什么電容？是原邊的匝間電容？還是？

[圖片] 

不好意思，我看錯(cuò)了。我想說(shuō)的是如果是DS結(jié)電容放電的話，那電流應(yīng)該是在MOS內(nèi)部流通的，外面應(yīng)該檢測(cè)不到的

RCD吸收回路吸收的能量，一部分是漏感的能量,還有一部分是初級(jí)電感儲(chǔ)能。這句話是正確的，確實(shí)，后一部分是很多人不會(huì)想到的。但我覺得cmg你表達(dá)的意思和26樓的意思還不一樣，26樓說(shuō)RC回路不只吸收漏感能量，還消耗部分初級(jí)電感儲(chǔ)蓄的能量，應(yīng)該是26樓認(rèn)為，由于RC的時(shí)間常數(shù)比較小，放電非常快，使得吸收電容C上的電壓很快放到低于反射電壓，因此吸收電阻就因承受反射電壓而損耗很大。而cmg大師你表達(dá)的意思是否是原邊電流下降，副邊電流上升的過(guò)程中，RC回路同時(shí)吸收了漏感的能量和一部分原邊勵(lì)磁電感的能量？不知我的理解是否正確？

如果是DS結(jié)電容放電的話，那電流應(yīng)該是在MOS內(nèi)部流通的，外面檢測(cè)不到吧？

以DCM為例，電流信號(hào)進(jìn)入芯片引腳之前，一般都會(huì)有RC濾波。當(dāng)輸入電壓升高時(shí)，占空比減小，此時(shí)原邊電流所含的高頻分量會(huì)更多一些。由于采用的是同樣的RC濾波參數(shù)，因此高壓輸入時(shí)，原邊電流的高頻分量衰減的更加嚴(yán)重，導(dǎo)致控制IC感知到的電流峰值比實(shí)際的電流峰值來(lái)得?。ū凰p），因此過(guò)功率能力會(huì)更強(qiáng)一些

我覺得你想問(wèn)的是針對(duì)電流采樣的濾波，其截至頻率和開關(guān)頻率的關(guān)系吧？如果是這樣的話，我覺得首先要明確濾波的目的：既要濾除掉不必要的干擾信號(hào)，又要保留想要的電流信號(hào)。個(gè)人覺得針對(duì)100KHz的開關(guān)頻率，因?yàn)槠潆娏鞑ㄐ螢槿遣ɑ蛘咛菪尾?，包含很?00KHz正弦信號(hào)的高頻分量，因此最好使濾波器的截止頻率放在100KHz的9倍左右，即，要包含9次諧波及其以下的分量，這樣既可以濾掉過(guò)高頻率的干擾信號(hào)，又不至于失真。如果你想進(jìn)行定量的分析，可以針對(duì)你的電流波形進(jìn)行傅里葉分解，然后查看各次分量所占的比例。

只要是反激電源，這個(gè)尖峰一定會(huì)有的。如果你是通過(guò)MOS管s極到地的采樣電阻采樣的電流，則這個(gè)電流尖峰由兩部分組成;1mos管開通時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)柵源間電容充電而產(chǎn)生的電流2MOS管開通后母線電壓給變壓器原邊的分布電容充電的電流