roc918：
MOSFETVDS接負電壓使用 1. N-ChannelMOSFET的制造工藝N-ChannelMOSFET是以一塊雜質濃度較高的P型硅片作襯底,擴散/外延2個N+區(qū)作電極,分別為D/S.在D/S間的絕緣層上再制造一層G. 當G/S間加正電壓時,由于絕緣層的存在,沒有電流流過,但是柵極被充電而聚集正電荷,P型襯底中的多子空穴被正電荷排斥而在表面留下帶負電的耗盡層.當Vgs增加時,耗盡層加寬.繼續(xù)加大超過Vgs(th)時,襯底中的電子被正電荷吸引至表面,在耗盡層和絕緣層間行成反型層.這個反型層就是導電的溝道. 2.N-ChannelMOSFET 電流的形成由N-ChannelMOSFET的制造工藝可以看到,導電溝道的形成是靠Vgs,只要在gs之間增加高過門檻的電壓，就會在D,S之間形成導電溝道。此時，只要在D,S間加電壓就有電流流過。電流的方向由D,S間電壓電位差決定：在D,S之間增加正電壓，電流由D流向S；在D,S之間增加負電壓，電流由S流向D； 3. 寄生二極體從何而來？一般MOSFET出廠時，通常會將源極S和襯底短路以降低導電溝道形成的門檻電壓，這樣在源極就通過襯底同D極之間形成PN結，即我們常說的寄生二極體 4. V（DS）為負時，電流是否從寄生二極體流過？在D,S之間增加負電壓時，由I*Rds(on)