非是藉秋風：
從僅有的幾個參數來看,G,S極間的電阻明顯過小,這樣會減小門極充電電流,從而增加開通時間,使得開通損耗大大增加,建議取數十k的電阻.另外,可以在門極電阻上反向并聯一個4148,這樣可以加速FET門極電荷的泄放,減小關斷時間,從而減小關斷損耗.另外請關注MOSFET的Coss這個參數,它與開通損耗也有很大的關系,建議取Coss小的FET.你這個PFC功率不大,通態(tài)損耗占不了很大的比例,與Coss存儲電荷相關的損耗應該占了比較大的比例.另外,在PFCChoke磁芯不飽和的前提下,感值越大越好,因為開關頻率會隨著感值的增加線性降低,從而可以大體上線性降低FET的開關損耗.而且對EMI也有好處.減小感值的辦法是完全錯誤的,只能增加損耗,決不可取.如果還不行,可以考慮加一個RCDSnubber,這樣可以軟化FET關斷電壓波形,從而降低其關斷損耗,但是這樣總的損耗并沒有減小,只是轉移到了RCD的R上.一般來說,你這個功率等級基本上不需要加這個東西.