是多大?有做過高壓高溫試驗嗎?貼個電路與參數(shù)吧.

MOS溫度70度,是IRF830,柵極電阻10歐,柵源間47歐,

做什么燈管?什麼電壓都沒有!??????

220v分體節(jié)能燈功率105W

105W用irf830做到70度基本上已經(jīng)不算高了

做多大功率的?可能是MOSFET 的電流小了.用個IR840試試

我給你個方法:減小電感量,注意PCB布線規(guī)則!

從僅有的幾個參數(shù)來看,G,S極間的電阻明顯過小,這樣會減小門極充電電流,從而增加開通時間,使得開通損耗大大增加,建議取數(shù)十k的電阻.
另外,可以在門極電阻上反向并聯(lián)一個4148,這樣可以加速FET門極電荷的泄放,減小關(guān)斷時間,從而減小關(guān)斷損耗.
另外請關(guān)注MOSFET的Coss這個參數(shù),它與開通損耗也有很大的關(guān)系,建議取Coss小的FET.你這個PFC功率不大,通態(tài)損耗占不了很大的比例,與Coss存儲電荷相關(guān)的損耗應(yīng)該占了比較大的比例.
另外,在PFC Choke磁芯不飽和的前提下,感值越大越好,因為開關(guān)頻率會隨著感值的增加線性降低,從而可以大體上線性降低FET的開關(guān)損耗.而且對EMI也有好處.減小感值的辦法是完全錯誤的,只能增加損耗,決不可取.
如果還不行,可以考慮加一個RCD Snubber,這樣可以軟化FET關(guān)斷電壓波形,從而降低其關(guān)斷損耗,但是這樣總的損耗并沒有減小,只是轉(zhuǎn)移到了 RCD 的 R 上.一般來說,你這個功率等級基本上不需要加這個東西.

YES,說的太對了.頂死你.