是多大?有做過(guò)高壓高溫試驗(yàn)嗎?貼個(gè)電路與參數(shù)吧.

MOS溫度70度,是IRF830,柵極電阻10歐,柵源間47歐,

做什么燈管?什麼電壓都沒(méi)有!??????

220v分體節(jié)能燈功率105W

105W用irf830做到70度基本上已經(jīng)不算高了

做多大功率的?可能是MOSFET 的電流小了.用個(gè)IR840試試

我給你個(gè)方法:減小電感量,注意PCB布線(xiàn)規(guī)則!

從僅有的幾個(gè)參數(shù)來(lái)看,G,S極間的電阻明顯過(guò)小,這樣會(huì)減小門(mén)極充電電流,從而增加開(kāi)通時(shí)間,使得開(kāi)通損耗大大增加,建議取數(shù)十k的電阻.
另外,可以在門(mén)極電阻上反向并聯(lián)一個(gè)4148,這樣可以加速FET門(mén)極電荷的泄放,減小關(guān)斷時(shí)間,從而減小關(guān)斷損耗.
另外請(qǐng)關(guān)注MOSFET的Coss這個(gè)參數(shù),它與開(kāi)通損耗也有很大的關(guān)系,建議取Coss小的FET.你這個(gè)PFC功率不大,通態(tài)損耗占不了很大的比例,與Coss存儲(chǔ)電荷相關(guān)的損耗應(yīng)該占了比較大的比例.
另外,在PFC Choke磁芯不飽和的前提下,感值越大越好,因?yàn)殚_(kāi)關(guān)頻率會(huì)隨著感值的增加線(xiàn)性降低,從而可以大體上線(xiàn)性降低FET的開(kāi)關(guān)損耗.而且對(duì)EMI也有好處.減小感值的辦法是完全錯(cuò)誤的,只能增加損耗,決不可取.
如果還不行,可以考慮加一個(gè)RCD Snubber,這樣可以軟化FET關(guān)斷電壓波形,從而降低其關(guān)斷損耗,但是這樣總的損耗并沒(méi)有減小,只是轉(zhuǎn)移到了 RCD 的 R 上.一般來(lái)說(shuō),你這個(gè)功率等級(jí)基本上不需要加這個(gè)東西.

YES,說(shuō)的太對(duì)了.頂死你.