性无码一区二区三区在线观看,少妇被爽到高潮在线观看,午夜精品一区二区三区,无码中文字幕人妻在线一区二区三区,无码精品国产一区二区三区免费

樓主威猛！DS加47p電容是不是對100M-200M頻段特別有效果？

一語中的，事前的設(shè)計遠比整改有效的多；樓主的MOSFET S極串聯(lián)磁珠的方法確實沒有使用過；下次嘗試一下；樓主對60-80M超標有沒有好的方法？

按照46樓的方法，逐一檢測，排除，用圖表和數(shù)據(jù)說明問題。

確實不易，綜合性能高確實較困難。

低壓滿載還是挺明顯的，應(yīng)該在1%-1.5%的提升。

3樓已經(jīng)說的比較清楚，一般要綜合電源的整體效率，MOSFET溫升，電源EMI的因素綜合考慮，測試確定；對于Qg較小，開關(guān)速度快得MOS比如超級結(jié)，適當增大阻值；對于普通的VDMOS則要適當減小驅(qū)動電阻。

分析總結(jié)的很有道理。

最好捉取VDS,VGS，IDS信號波形分析，重點是電流波形。你用什么型號的MOSFET，有沒有規(guī)格書，核對一下規(guī)格書中的SOA，如果在SOA內(nèi)，MOSFET失效，就要懷疑MOSFET品質(zhì)，如果不在SOA內(nèi)，就要檢查你的過流保護電路。 

MOSFET是電壓控制器件，如果驅(qū)動電阻比較小，MOSFET受控能力減弱；G端驅(qū)動電阻有抑制GS振蕩的作用，如果GS振蕩過大，VGSP-P超過額定值，GS擊穿，MOSFET失效;最好捉取VDS,VGS，IDS信號波形分析。

470是不是阻值有點太大了，200已經(jīng)足夠大了。看看保險絲有沒有燒掉，整流橋是否OK。