3樓已經(jīng)說(shuō)的比較清楚,一般要綜合電源的整體效率,MOSFET溫升,電源EMI的因素綜合考慮,測(cè)試確定;
對(duì)于Qg較小,開關(guān)速度快得MOS比如超級(jí)結(jié),適當(dāng)增大阻值;對(duì)于普通的VDMOS則要適當(dāng)減小驅(qū)動(dòng)電阻。
如果測(cè)量的波形不好,還是要改參數(shù)的