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MOS管的柵極電阻一般取多大?

作用是限制驅(qū)動電流?
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oneday
LV.1
2
2014-01-16 09:51
調(diào)節(jié)di/dt，調(diào)整開關(guān)速度。一般選規(guī)格書的測試條件值，或者在規(guī)格書上給出的范圍更加測試條件選取。
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2014-01-16 11:03
二樓說的調(diào)節(jié)di/dt，控制mosfet的開啟和關(guān)斷時間是一方面，另一方面，加入阻尼，防止寄生電感和Cg發(fā)生振蕩。這個阻值要綜合考慮效率、EMI等問題，一般在幾歐到上百歐
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oneday
LV.1
4
2014-01-16 11:13
@rj44444
二樓說的調(diào)節(jié)di/dt，控制mosfet的開啟和關(guān)斷時間是一方面，另一方面，加入阻尼，防止寄生電感和Cg發(fā)生振蕩。這個阻值要綜合考慮效率、EMI等問題，一般在幾歐到上百歐
加入阻尼和防止Cg發(fā)生振蕩那是并電容。寄生電感是天生的，要避開寄生電感引起的振蕩那是要串磁珠的。發(fā)生這些的因素還是和MOS的Qg密切相關(guān)，Qg又和MOS管的工藝相關(guān)。
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2014-01-16 11:17
@oneday
加入阻尼和防止Cg發(fā)生振蕩那是并電容。寄生電感是天生的，要避開寄生電感引起的振蕩那是要串磁珠的。發(fā)生這些的因素還是和MOS的Qg密切相關(guān)，Qg又和MOS管的工藝相關(guān)。
寄生電感是不可避免的，回路加入電阻，降低Q值，增大阻尼，衰減振蕩。測一下不加這個電阻的波形就知道了。
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2014-01-16 16:59

3樓已經(jīng)說的比較清楚，一般要綜合電源的整體效率，MOSFET溫升，電源EMI的因素綜合考慮，測試確定；

對于Qg較小，開關(guān)速度快得MOS比如超級結(jié)，適當(dāng)增大阻值；對于普通的VDMOS則要適當(dāng)減小驅(qū)動電阻。

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2014-01-17 00:26
欠阻尼
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2014-01-17 01:22
@rj44444
寄生電感是不可避免的，回路加入電阻，降低Q值，增大阻尼，衰減振蕩。測一下不加這個電阻的波形就知道了。

如果測量的波形不好，還是要改參數(shù)的

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2014-01-17 02:33
@山東大漢
如果測量的波形不好，還是要改參數(shù)的
大漢，你是真不睡覺啊。晚安
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2014-01-17 10:16
根據(jù)你所需電流取值大小
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shenx123
LV.10
11
2014-01-17 10:37
@贛辰實業(yè)-mike
根據(jù)你所需電流取值大小
MOS的溫升會影響的
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