redhat_007：
SiC的電子遷移率低，所以，正向?qū)娊M較大，但肖特基二極管已經(jīng)做到1.5V以下了，這和器件設(shè)計(jì)有關(guān)，可以改進(jìn)的。其他參數(shù)都有很大的改善。關(guān)于MOSFET，同樣的問題，但是，任何器件都有應(yīng)用范圍，能提供你的要求嗎？SiCMOSFET的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)是在高溫下，高頻率，高電壓的場(chǎng)合。并且，現(xiàn)在的SiCMOSFET在大電流方面還有一些技術(shù)問題。另外，建議大家去嘗試一下，里面還有很多問題需要解決，我們共同努力吧。